【課題】ガラスに替わる電極フィルムとしての、耐熱性、透明性、カール、寸法変化、耐久性をすべて兼ね備えたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状オレフィンとエチレンとの共重合比率が、８０：２０〜９０：１０であり、ガラス転移温度が１７０℃以上の環状オレフィンの付加（共）重合体よりなるフィルムシート１０の少なくとも片面に、プラズマ化学気相成長法によって厚み３０〜３００ｎｍの酸化珪素膜１２を形成することによって、水蒸気透過度が０．３ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下にされたガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。
【解決手段】半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の薄膜を形成する成膜方法において、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電によってプラズマを生成し、放電プラズマによって半導体表面上に２層からなる薄膜を成膜し、２層の薄膜の内、第１層目の薄膜は６０ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速で膜厚１０ｎｍ以下に成膜し、第２層目の薄膜は１００ｎｍ／ｍｉｎ以上の高速で膜厚１０ｎｍ以上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の新たな用途展開の一環として、用途にあわせて太陽電池の意匠性、特に表面色のコントロール性に優れた太陽電池ユニットとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される可視光反射層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。 （もっと読む）

プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）またはプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）による銅含有膜の堆積のためのビス−ケトイミナート銅前駆体の使用方法を開示している。 （もっと読む）

絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。
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絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のC_xH_yガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。
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【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリアセタール樹脂等、接着性、塗装性が良好でない樹脂成形品の表面に塗料等の表面層を形成する場合の接着性、塗装性を、上記従来の表面粗化の処理方法等に比べて著しく向上させることができ、従って、塗料等の表面層の剥離防止効果が良好となる、樹脂成形品の表面処理方法、及びその表面処理後の形成される表面層を有する樹脂成形品の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】樹脂成形品の表面を、酸素を用いてプラズマ処理する酸素プラズマ処理によって前記樹脂成型品表面に水酸基を導入し、導入された水酸基、及び該水酸基と空気中の水分子との相互作用により前記樹脂成形品の表面に付与される水によって、該樹脂成形品の表面を改質することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

PECVDによる基板表面の被覆方法を提供し、当該方法は、有機ケイ素前駆体と随意にO2からなるガス状反応物質からプラズマを生成する手法からなる。当該被覆材の潤滑性、疎水性および/または遮断性は、ガス状反応物質内のO2対有機ケイ素前駆体の比率の設定により、および/またはプラズマ生成に使用する電力の設定により決定される。特に、前述方法により生成される潤滑性被覆材を提供する。前述方法により被覆される容器、および非被覆容器表面の機械的および/または化学的作用から前述の被覆容器内に含有されるまたは収受される化合物または組成物を保護するためのかかる容器の使用法も提供する。
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真性型の微結晶シリコン層向けの方法が提供される。一実施形態では、微結晶シリコン層は、加工チャンバ内へ基板を提供し、加工チャンバ内へガス混合物を供給し、ガス混合物内に第１のモードでＲＦ電力を印加し、加工チャンバ内へガス混合物をパルシングし、パルシングされたガス混合物内に第２のモードでＲＦ電力を印加することによって製作される。
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【課題】被処理体の周辺部における温度分布を個別的に、且つ簡単な構成で制御することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して熱処理を施すために被処理体を載置する載置台構造において、載置台本体６２と、載置台本体内に設けられ、複数のゾーンに分割されて給電ラインＬに接続された抵抗加熱ヒータ群８８を有する加熱手段８６と、電力をゾーン毎に制御するヒータ制御部９２とを備え、最外周に位置する最外周ゾーンの抵抗加熱ヒータである最外周抵抗加熱ヒータの周方向に沿った複数の位置に給電ラインＬ１〜Ｌ４を接続することによって最外周抵抗加熱ヒータ１００を複数の領域に区分して区分ヒータ１００Ａ〜１００Ｄとし、ヒータ制御部は、最外周抵抗加熱ヒータに対応する給電ラインである最外周給電ラインの状態を制御することによって区分ヒータ毎に供給電力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性のみならず、耐酸化性および透明性にも優れるガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｈ結合を有する原料と、Ｎ−Ｈ結合を有する原料と、窒素ガス、水素ガスおよび希ガスの少なくとも１以上とを用い、４１４ｎｍの発光強度Ａ、３３６ｎｍの発光強度Ｂ、３３７ｎｍの発光強度Ｃおよび６５６ｎｍの発光強度Ｄが、『２＜［Ｂ／Ａ］＜２０』、『Ｃ／Ｂ］』、および『０．５＜［Ｄ／Ｂ］＜５０』を満たすプラズマによるプラズマＣＶＤでガスバリア膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを製造する際のプラズマ処理工程において、ウエハに付着する異物を大幅に低減し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】プラズマ分布を制御可能なプラズマ源を備えたプラズマ処理装置において、プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、ウエハ上のシース／バルク境界面の形状を凸型に制御する。プラズマＯｎ／Ｏｆｆ時に、低めのソース電力とウエハバイアス電力を印加し、プラズマ分布を外高に制御するステップを入れることにより、ウエハの中心付近では厚いシースが、外周付近ではそれより薄いシースが形成される。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

ボトルや中空管などのようなプラスチック製または金属製の物体のような成形された物体の内側表面上に薄膜を室温で堆積するプラズマ系の堆積方法が開発された。本発明において、プラスチックボトルの内側表面上の均一な（ダイヤモンド状炭素ＤＬＣとも呼ばれる）水素化非晶質炭素膜が成功裏に堆積される。そのような製品の適用には、食品および薬品業界全体が挙げられる。飲料水、炭酸清涼飲料、ワイン、薬剤などの保管用の、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のボトルには大きな需要がある。しかし、より高い費用によって、それらの広範な使用が妨げられる。より安価な代替案は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のような化学的に不活性な材料で内側を被覆されたプラスチックボトルを使用することであり、商業的に実現可能となるであろう。発明者の方法は、大量生産用に規模を拡大されることができる。この方法は、金属の内側表面へのより良好な接着を有するＤＬＣ膜を得るために、（水素化非晶質ケイ素のような）中間層を形成する炭化物で金属製の棒または管の内側表面上を被覆するのにも使用されることができる。
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