炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
（もっと読む）

【課題】有機材料の表面にプラズマＣＶＤによってガスバリア膜を形成する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。
【解決手段】第１のプラズマ励起電力でガスバリア膜を形成し、その後、プラズマ励起電力を、前記第１のプラズマ励起電力よりも高い第２のプラズマ励起電力に変更することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、活性層１７を含む半導体積層１３を成長する第１工程と、第１工程の後に、半導体積層１３の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜２１を形成する第２工程と、第２工程の後に、シリコン酸化膜２１の上に形成したレジスト２３を用いてシリコン酸化膜２１を半導体積層１３の表面が露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜２１にストライプ状の溝２５を形成する第３工程と、第３工程の後に、溝２５に、ｐ型クラッド層１９の他の一部１９ｂを成長する第４工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する電圧及び電流を正確に測定して精度の高い抵抗値を求め、断線の予測を精度良く行うことができる電力使用系の断線予測装置を提供する。
【解決手段】電力使用系４２Ａ〜４２Ｅに対して個別に各給電ライン４６Ａ〜４６Ｅを介して供給される電力を制御するようにした電力供給回路系２４に設けた断線予測装置２６において、各給電ライン毎に設けられ、異なる周波数のパルス波をオフ期間に対応させて発生するパルス波発生手段５２Ａ〜５２Ｅと、自己のパルス波発生手段にて発生したパルス波を混合させるパルス波混合手段５４Ａ〜５４Ｅと、伝送される自己のパルス波を検出するパルス波検出手段５６Ａ〜５６Ｅと、パルス波検出手段にて検出されたパルス波に基づいて電力使用系の断線予測を判断する判断手段５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームにより基体を被覆及び表面処理する。
【解決手段】プラズマトーチ（４）を具えた加工室（２）を利用できるようにし、プラズマガスを前記プラズマトーチ（４）を通って送り、その中で電気ガス放電、電磁気誘導又はマイクロ波により加熱して、プラズマビーム（５）を生成させ、前記プラズマビーム（５）を、加工室中に導入した基体（３）上に送り、前記利用できるようにしたプラズマトーチ（４）が固体材料粒子をプラズマ溶射するための電力を有し、前記被覆及び／又は表面処理の間、前記加工室（２）中の圧力が０．０１〜１０ｍｂになり、液状又はガス状の少なくとも一種類の反応性成分を前記プラズマビーム（５）中に注入し、前記基体（３）の表面を被覆し又はそれを処理する。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能な高ストレス薄膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素を含む成膜原料ガスをチャンバー内に供給し、水素が取り込まれた薄膜を半導体基板上に成膜する工程（ステップ１）と、薄膜から水素を離脱させる物質を含む水素離脱ガスを前記チャンバーにパルス的に供給しながら薄膜から水素を離脱させる工程（ステップ２、ステップ１１及び１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合を減少させることができ、Ｎ−Ｈ結合の量とＳｉ−Ｈ結合の量とを合計した総膜中水素量を減らすことが可能なプラズマＣＶＤ窒化珪素膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、マイクロ波を処理容器１内に放射し、処理容器１内に導入された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスを、被処理基板Ｗの表面上に供給し、被処理基板Ｗの表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を３００℃以上６００℃以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を０．００５以上０．０１５以下、マイクロ波パワーを０．５Ｗ／ｃｍ^２以上２．０４５Ｗ／ｃｍ^２以下、処理圧力を１３３．３Ｐａ以上１３３３３Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 異なる周波数の高周波電力を用いるプラズマ処理システムにおいて、高周波電源装置１の出力制御、反射保護制御、損失低減制御を行う際に、他方の高周波電源装置６が、出力制御に悪影響を及ぼすことが分かってきた。
【解決手段】 方向性結合器１８から出力される信号の周波数成分を、制御種類によって適切に選択できるように、フィルタの有無、フィルタ特性を定めることを可能とし、出力制御、反射保護制御、損失低減制御の３つを適切に行わせる。例えば、図１に示すように、基本周波数成分を通過させる進行波側バンドパスフィルタ３２を介した方向性結合器１８の出力を、出力制御に用いる。その他の制御には、バンドパスフィルタを用いないようにする。反射波側も同様である。 （もっと読む）

【課題】供給した高周波電力によるパワーを十分にプラズマ側で消費することができ、これによりＮ−Ｈ結合が少なく、緻密でガスバリア性の高い窒化珪素膜を成膜する成膜方法およびガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、誘導結合プラズマＣＶＤ法によって窒化珪素膜を成膜するに際し、アンモニアガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを３〜３０Ｗ／ｓｃｃｍとして成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面における成膜反応に着目し、成膜反応に用いられたガスが排気されるガス分圧などから半導体ウェハの表面の反応温度などの状態を把握して製造プロセスをより高精度に制御できる半導体装置の製造方法などを提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェハを反応管に投入して所定の温度までヒータにより温度上昇を行う加熱工程Ｓ１１と、複数の半導体ウェハの所定の温度に加熱された表面に反応ガスを流す成膜工程Ｓ１２と、反応ガスの反応管の排気部でのガス分圧を測定するガス分圧測定工程Ｓ１３とを備え、測定されたガス分圧に基づき、ヒータに供給する電力を調整することにより温度制御を行い、複数の半導体ウェハの表面に薄膜を作製する方法からなる。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ放電処理装置１０を用いる薄膜形成方法により、第１電極１１から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_１、第２電極１２から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_２、放電開始電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＩＶとしたとき、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２なる関係を有し、第２電極から印加する高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であり、かつ前記放電空間に供給される全ガス量の９０〜９９．９体積％が放電ガスである高周波電界を印加して薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｈ結合が少なく、緻密でガスバリア性の高い窒化珪素膜を成膜する。
【解決手段】原料ガスとして、シランガスと、アンモニアガスあるいは窒素ガスとを用い、シランガスの供給流量に対し、所定の計算式で算出される有効パワーを１０〜１００Ｗ／ｓｃｃｍとすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】サセプタに均一に高周波電力を供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、処理容器の内部にて基板Ｇを載置するサセプタ１０５と、高周波電力Ｐｗを出力する高周波電源１３０と、サセプタ１０５に位置する複数の給電ポイントＡにてサセプタ１０５に接続され、高周波電源１３０から出力された高周波電力Ｐｗを複数の給電ポイントＡからサセプタ１０５に供給する複数の供給棒Ｂと、高周波電源１３０と複数の給電棒Ｂとの間に設けられ、複数の給電棒Ｂに一対一に接続された複数の可変コンデンサＣｍを含み、出力側とプラズマ側のインピーダンスをマッチングさせる整合器１２５と、各給電ポイント近傍のコンデンサＣｐの電圧を検出するセンサＳｒと、センサＳｒにより検出された電圧に基づき複数の可変コンデンサＣｍをフィードバック制御する制御装置７００とを備える。 （もっと読む）

【課題】保護膜中に含まれる金属コンタミネーションを低減する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、非磁性基板１の上に密着層２、軟磁性層３、中間層４、Ｒｕ中間層５、グラニュラー磁気記録層６、Ｃｏ合金キャップ層７、ＤＬＣ保護膜８を有する。Ｃｏ合金キャップ層７まで積層した基板１を保護膜形成室２１に搬入する（ステップ１０２）。保護膜形成室２１は、ＲＦ電源から高周波電力が印加されるＲＦ電極２２を備えている。この電極２２に灰分５ｐｐｍ以下、且つかさ密度１.８ｇ/ｃｍ^３以上の一体物のグラファイト材を使用する。保護膜形成室２１に炭化水素ガスを導入し（ステップ１０４）、プラズマを誘引して保護膜８を形成する（ステップ１０８）。保護膜形成後、基板１を取り出し、保護膜形成室２１に酸素ガスを導入し、酸素プラズマによるアッシングを行い、電極２２に堆積した硬質ＤＬＣ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】基材上に酸化シリコン膜を形成するに際し、大気圧プラズマを利用することにより、減圧装置などの複雑化による装置全体の大型化や装置コストの上昇を招くことなく、かつ、焼付け処理や乾燥処理が不要な簡易な方法で大型の基材の成膜を行うことができるようにした、酸化シリコン膜の製造方法を得ること。
【解決手段】表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の量産方法において個別調整を極力低減し、高速に安定したプラズマの初期放電特性を得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。つまり、可変容量素子の容量と反射波の電力との対応関係を、予めマトリックスとして保持しておく。さらに、上記電力が上記上限値を超えている場合に、この電力が上限値未満となる上記可変容量素子の容量を、上記マトリックスから選択して決定する工程とを備える。このように、インピーダンスを整合させる可変容量素子の容量を、予め保持されたマトリックスから選択し設定するので、きわめて高速にプラズマを安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 （もっと読む）