【課題】プラズマ化学気相堆積法による有機・無機複合原料を用いるシリカを主成分とする薄膜中に半径が0.3nm-1.0nmの範囲のサブナノスケール空孔を限定的に形成して、比誘電率および屈折率の減少したシリカ薄膜及びその製造方法を提供。
【解決手段】
ケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物中の炭化水素の割合が0.1から1.5である混合物にプラズマ化学気相堆積法による操作が、ケイ酸アルキル流量が20sccm-50sccmであり、炭化水素流量は4sccm-35sccmであり、希釈用不活性ガス流量は40sccm-80sccmであり、成膜反応炉内圧力は50Pa-150Paであり、高周波RF放電出力は200W-300Wであり、基板温度は80℃-100℃、前記得られた複合薄膜を300℃以上での加熱処理もしくは有機シリカ複合膜堆積時の基板温度での酸素プラズマ処理により有機物質を分解脱離させるシリカ薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】スロット同士の間隔と管内波長λｇとのずれを解消することができるプラズマ処理装置と方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波を方形導波管３５の下面３１に複数形成されたスロット７０に通して処理室４の上面に配置された誘電体３２中に伝播させ，誘電体３２表面で形成させた電磁界での電界エネルギーにより処理室４内に供給された所定のガスをプラズマ化させて，基板Ｇにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置１において，方形導波管３５の上面部材４５を導電性を有する非磁性材料で構成し，かつ，該上面部材４５を下面３１に対して昇降移動させるように構成した。ガス種，圧力，マイクロ波供給装置のパワー出力等といった処理室４内で行われるプラズマ処理の条件に応じて，方形導波管３５の上面部材４５を下面３１に対して昇降移動させることにより，管内波長λｇを変化させる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物にチャージした電荷を短時間の中に除去でき、そして被処理物の損傷や搬送トラブル等が無く、かつ、安定したプラズマ処理が行われるプラズマ処理終了技術を提供することである。
【解決手段】 一対の電極間に電圧を印加して供給反応ガスのプラズマを被処理物に作用させてプラズマ処理を行った後にプラズマ処理を終了させるプラズマ処理終了方法であって、
プラズマ処理を終了させようとする時点において、プラズマ処理中の供給電力Ｗ_１よりも小さく、しかしながらプラズマ放電が安定して維持される条件を満たす電力Ｗ_２の中でも最も小さい電力Ｗ_２０に下げる電力低下ステップと、
前記電力低下ステップで低下させられた電力Ｗ_２０条件で、所定時間ｔの間、プラズマ放電を安定して行わしめる放電ステップと、
前記放電ステップの後、電力供給を停止する停止ステップ
とを具備し、
前記プラズマ処理中から前記放電ステップに掛けての間は前記反応ガスを同様に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマの点灯状態を反映した制御を可能にする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、防蝕のために石英ガラスパイプから成る保護管３６を取付け、その保護管３６の外周面に熱電対３８を取付け、その起電圧をセンサ入力部９８でアナログ／デジタル変換して全体制御部９０へ入力し、処理ガスの流量制御弁９２３をフィードバック制御する。したがって、プラズマの点灯状態を反映した制御が可能になり、安定したプルームＰを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。
【解決手段】ガス供給孔２から原料ガスをチャンバー１に導入する。電極４，５間に静電誘導サイリスタ素子を用いた電源３からパルス電圧を印加することによって放電プラズマを発生させる。パルス電圧のデューティー比（％）＝（パルスのオン時間の和／パルス周期）Ｘ１００を０．００１％以上、８．０％以下に制御する。 （もっと読む）

電気又は電子装置を式(Ｉ) [式中R¹、R²及びR³は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR⁴はX-R⁵基であり、式中R⁵はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH₂)_nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)_pR⁶(O)_q(CH₂)_t-基(式中R⁶は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。] で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成されることを特徴とする高分子被膜を有する電気又は電子装置。この種の装置は液体特に環境液体による損傷から保護される。
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【課題】大気圧プラズマにて被処理物を間欠的に処理する場合に、ガスの使用量を必要最小限に抑制しながら安定して処理を行えるようにする。
【解決手段】所定の空間にガスを供給し、前記所定の空間に高周波電圧を印加して大気圧近傍でプラズマを発生させ、プラズマ１１にて被処理物２を処理する大気圧プラズマ処理において、処理開始認識手段５からの信号にて処理開始を決定し、ガスの流量を増加させて被処理物２に対してプラズマ処理し、処理終了認識手段６からの信号にて被処理物２に対する処理終了を決定し、ガスの流量を減少させ、かつ減少させたガスの流量においてもプラズマ１１を点灯維持するようにした。 （もっと読む）

【課題】薬剤用パッケージ上への高分子抑止表面の作製方法。
【解決手段】含有されるタンパク質溶液の活性に影響することなく、薬剤用パッケージ上へのタンパク質の吸着を低減させる１つ又は複数のコーティングを直接、薬剤用パッケージング上に施すことにより、薬剤用パッケージ上にタンパク質抑止表面を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込み性能及び絶縁膜品質の劣化を抑制することが可能な絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】溝が形成された半導体基板をプラズマが生成される反応室１３に載置する。シリコン含有ガスの流量と酸素含有ガスの流量の和に対する水素含有ガスの流量の比を第１流量比、シリコン含有ガスの流量に対する酸素含有ガスの流量の比を第２流量比、第１流量比と第２流量比とのなす線形関係で規定される所定の臨界条件に対し、第１流量比を相対的に大きく第２流量比を相対的に小さく設定した流量条件をクラスタ発生条件、所定の臨界条件に対し、第１流量比を相対的に小さく第２流量比を相対的に大きく設定した流量条件をクラスタ抑制条件とし、クラスタ発生条件でシリコン含有ガス、酸素含有ガス、及び水素含有ガスを含むプロセスガスを反応室中に導入する。その後、クラスタ抑制条件でプロセスガスを反応室中に導入する。 （もっと読む）

【課題】スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 排気可能になされた処理容器１４内の載置台２０上に被処理体Ｗを載置し、該被処理体を加熱手段４６により所定の設定温度まで昇温すると共に、前記処理容器内に所定のガスを流して所定の熱処理を施すようにした熱処理方法において、前記被処理体に対して前記所定の熱処理を施す直前に、前記被処理体が前記所定の温度に維持されている時に前記加熱手段に印加される電力よりも大きな電力を前記加熱手段に短時間だけ印加する短時間大電力供給工程を少なくとも１回行うようにする。これにより、スループットをほとんど低下させることなく、成膜処理時における膜厚等の熱処理の再現性も高く維持する。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップダメージの発生を大幅に抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に設けたプラズマ用電極３８に、プラズマ発生用電源から所定の電力を供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に収容されている被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、前記被処理体に発生するチャージアップ電圧を抑制するために前記プラズマ処理を開始する際に、前記プラズマ用電極へ供給する電力を徐々に増加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。
【解決手段】ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、ＴＣＯ用途に優れた光学的および電気的性質。前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧が良好であると同時に、隣接する半導体能動膜の所望のキャリア移動度を確保し得るゲート絶縁膜を有するＴＦＴの製造方法に用いることができる薄膜成膜装置を提供する。
【解決手段】内部を真空雰囲気に維持することが可能な成膜チャンバー３５と、プラズマを発生させるための高周波電界を生成する高周波電極３２およびサセプタ電極３４と、所定の周波数の高周波電力を供給するプラズマ励起電源３１およびバイアス電源３３と、図示されない加熱手段と、成膜チャンバー３５内部にガス導入管３６を介して所望のガスを供給するガス供給手段３７と、成膜チャンバー３５内を所望の圧力とするよう排気を行うガス排気手段３８と、各部を制御する制御部３９とを有する構成となっている。 （もっと読む）

処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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【課題】ｎＦＥＴとｐＦＥＴの両方のためのＳＭＴ（応力記憶技術）を提供すること。
【解決手段】ｎＦＥＴ１０４の上に引っ張り応力層１２０を、ｐＦＥＴ１０６の上に圧縮応力層１２２を形成すること、半導体デバイスに応力を記憶するようにアニール１５０すること、および応力層を除去することを含む。圧縮応力層１２２は、高密度プラズマ（ＨＤＰ）堆積方法を使用して堆積された高応力窒化珪素を含むことができる。アニールするステップは、ほぼ４００〜１２００℃の温度を使用することを含むことができる。高応力圧縮性窒化珪素またはアニール温度あるいはその両方によって、圧縮応力記憶がｐＦＥＴ１０６に維持されることが保証される。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積プロセス中に膜を生成する方法、化学気相堆積プロセスを制御する方法及び薄膜で被覆された基板を提供する。
【解決手段】化学気相堆積プロセス中に膜を生成する方法の一実施形態は、第１パルス振幅を有する第１電気的パルスを発生し、該第１電気的パルスを使用して第１密度の基化種を生成し、上記第１密度の基化種における基化種を使用して供給原料ガスを分離し、第１の堆積物質を生成し、該第１の堆積物質を基板上に堆積させ、上記第１パルス幅とは異なる第２パルス振幅を有する第２電気的パルスを発生し、該第２電気的パルスを使用して第２密度の基化種を生成し、該第２密度の基化種における基化種を使用して供給原料ガスを分離し、第２の堆積物質を生成し、該第２の複数の堆積物質を上記第１の堆積物質上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に、膜質及び膜厚が均質な膜を生成する。
【解決手段】 チャンバー１０内の陽極１１ａに対向する陰極１４を、陽極１１ａの中央部に対向する中央電極１４ａと、陽極１１ａの周辺部に対向するリング状の周辺電極１４ｂとで構成している。また、陽極１１ａの外周を囲むように、絶縁体１２を配置している。成膜の開始時には、アークの発生を予防するために、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧よりも高くし、陽柱光が発生した後、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧未満にする。これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。絶縁体１２は、アークに起因する電流が基板１の側面に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】
ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの大面積・均一化プロセスへの応用において、定在波の影響を受けないで、かつ、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及びその表面処理装置を提供すること。
【解決手段】
位相可変２出力の高周波電源を２台設置し、そのいずれか一方の電源の出力をランダムに位相変調するとともに、該２台の電源の各２つの出力の一方をそれぞれ、電極に設定の第１の給電点に、該各２つの出力の他方を該第１の給電点に対向設置の第２の給電点に供給し、かつ、生成される２つの定在波の腹の位置を個々に制御することにより、時間的・空間的に変動しない一様なプラズマを生成する方法及び装置。 （もっと読む）