【課題】バイアスパワー印加によるＳｉＮ膜の埋め込み成膜が可能なプラズマ処理方法、及び、プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】シリコン及び水素を含有する原料ガスと窒素を含有するガスとのプラズマにより、プラズマ処理対象の基板２１に対して窒化シリコン膜を成長させるプラズマ処理方法において、前記基板２１にイオン入射させるバイアスパワーを閾値以上にすることでＳｉ−Ｈ結合量を増加させて圧縮応力を低減させた。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリア特性を設けた誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を処理する方法を提供し、この方法は、ケイ素−炭素結合および炭素−炭素結合を備える前駆物質を処理チャンバへ流すステップと、半導体基板上に炭素−炭素結合を有する誘電バリア膜を形成するために、処理チャンバ内において前駆物質の低密度プラズマを生成するステップであって、この前駆物質中の炭素−炭素結合の少なくとも一部は低密度プラズマ中に保存されかつ誘電膜内に組み込まれるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＳＧのような絶縁層を形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】プロセスは、プロセスガス２８がＳiＨ₄、ＰＨ₃、Ｏ₂およびアルゴンを含む場合、プロセスチャンバ１０にプロセスガス２８を導入する工程を含む。プロセスは、また、初期期間中、約４００から６５０℃の間にペデスタル４４の温度を制御する工程、上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内で、約１から１０ミリトールの間の範囲で圧力を維持する工程を含む。さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、６００℃より低い基板温度において高密度プラズマ化学気相堆積技術を使用して基板上に低ウェットエッチング速度の窒化シリコン膜を堆積する方法に関する。この方法は、更に、プラズマ中の窒素対シリコンの比を比較的高く、且つ処理圧力を低く維持することを含む。 （もっと読む）

【課題】強度が高く柔軟性のある有機無機複合膜及びその製造方法、該有機無機複合膜を用いた反射防止膜及び絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマＣＶＤ法による有機無機複合膜の製造方法において、金属元素含有化合物と有機化合物を異なるプラズマ条件で分解・励起した後、基材上で混合して成膜することを特徴とする有機無機複合膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微結晶膜を形成する結晶粒間の横方向の結合強度を向上させる。
【解決手段】シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。これにより、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とが積層された積層膜２０が形成される。前記方法により、積層膜２０を活性層として機能させるｎチャネル薄膜トランジスタおよびｐチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系絶縁膜との密着性向上が図られたＣＦ_ｘ膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。
【解決手段】半導体装置の層間絶縁膜構造は、下側のＳｉ系絶縁膜と、上側のＳｉ系絶縁膜と、下側及び上側のＳｉ系絶縁膜に挟まれ、厚さ方向の中間のＦ組成ｘよりもＳｉ系絶縁膜との界面のＦ組成ｘが小さいＣＦ_ｘ絶縁膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】10^−３g/m²/day以下の水蒸気透過率を有し、かつ膜質の良好なシリコン窒化物膜を、有機層の耐熱温度以下で高効率に成膜する。
【解決手段】本発明のシリコン窒化物1の成膜方法はプラズマを用いる化学気相成長法により、反応容器110内に設置された少なくとも一層の有機層を有する基体10上にシリコン窒化物膜１を成膜する方法であって、反応容器110内に、SiH₄，NH₃，H₂及びHeを含む原料ガスGを、全ガス圧が大気圧となるように供給する工程と、基体10の上方に設置された電極111に電界を印加して電極111と基体10との間に電場Pを発生させて電極111と基体10との間の原料ガスGをプラズマ状態にする工程と、有機層の耐熱温度以下で基体10上にシリコン窒化物膜1を成膜する工程とを有し、原料ガスG中のH₂の割合が13％以上20％以下であり、NH₃のSiH₄に対する割合が13％以上24％以下である。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスによる、幅の狭い高アスペクト比のギャップを充填するための方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、シーズン前駆体流を該処理チャンバに提供することによってシーズニングされる。高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。複数の基板の各々が該処理チャンバに順次移送されて、エッチングを含むプロセスを実行する。該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ（288nm)と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ（288nm)／Ｈβ〕が１０．０以下であるガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマのもとで、５００℃以下の低温で基板Ｓ上に直接粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャージングダメージの発生を大幅に改善して、プラズマ処理の安定性および信頼性の向上を実現するとともに、プラズマ処理の面内均一性の向上を実現する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器１０に上部電極３８と下部電極１２とが平行に配置され、下部電極１２には第１高周波電源３２より第１整合器３４を介して第１の高周波が印加される。制御部６８は、プラズマ生成に寄与する第１の高周波が、プラズマを生成させる第１の振幅を有する第１の期間とプラズマを実質的に生成させない第２の振幅を有する第２の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第１高周波電源３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板の温度を、基板の温度計測値に基づき目標値に制御する温度制御手段を備えることにより、輻射以外の光を熱と除外して正確な温度制御を可能とする薄膜太陽電池の基板加熱装置を提供することにある。
【解決手段】フィルム状の基板１０上に、少なくとも電極膜及び１つまたは複数の光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成してなる薄膜太陽電池において、光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成する際に、フィルム状の基板１０を加熱する赤外線ヒータ９と、加熱された基板１０の温度を計測する放射熱温度計１１と、放射熱温度計１１による基板１０の温度計測値に基づき基板１０の温度を目標値に制御する温度制御器１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フローティングゲート及びコントロールゲートの間に形成する誘電体膜を第１の絶縁膜、第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜の積層構造で形成するが、第２の絶縁膜を高誘電体膜で形成して半導体素子の電気的特性を向上させ、第２の絶縁膜にプラズマ処理工程を行って第２の絶縁膜の表面を均一にすると共に、第２の絶縁膜の結晶化を抑制し、半導体メモリ素子の漏洩電流の発生を防止することができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 半導体基板上に高誘電体膜を形成する段階と、高誘電体膜を結晶化しないながら膜質を均一にするプラズマ処理工程を行う段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造用のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を構成するプラズマ発生源に関し、定在波の影響及び一対の電極間以外に発生の有害プラズマの発生を抑制し、且つ、供給電力の該一対の電極間以外での消費を抑制可能な大面積・均一のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置及びその方法を提供すること。
【解決手段】
電極両端の互いに対向する位置に配置された第１及び第２の給電点の間の距離を使用電力の波長の四分の一の奇数倍に設定し、時間的に分離された２つのパルス電力をそれぞれに平衡不平衡変換器を介して電極両端より供給することにより、腹の位置が電極中央にある第１の定在波と、節の位置が電極中央にある第２の定在波とを時間的に交互に発生させるということを特徴とするプラズマＣＶＤ装置及びその方法。 （もっと読む）

【課題】複数の分離されたチャンバが内部に形成されたエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、分離チャンバに接続されたガス源、および各ガス分配アセンブリに接続された電源装置によって構成される真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部に形成された複数の分離された処理室を有するエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、複数の分離された処理室に接続されたガス源と、各ガス分配アセンブリに接続された電源とによって一般に構成される真空処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】寸法精度の高い電子写真用ローラ部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】所定の弾性層の外周面にプラズマＣＶＤ法により被膜を形成する工程を有する弾性ローラの製造方法であって、（１）チャンバーの内部に平行に配置した第１及び第２の平板電極の間に、前記弾性層の表面と前記第１の平板電極との距離が２０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下となるように配置する工程と、（２）前記チャンバー内に圧力が１３．３Ｐａ以上、６６６．６Ｐａ以下となるように原料ガスを導入する工程と、（３）前記原料ガスを導入したチャンバー内で前記ローラ基体を、被処理面の周速が６ｍｍ／ｓ以上、１７０ｍｍ／ｓ以下となるように回転させつつ、出力０．３Ｗ／ｃｍ²以上、２．０Ｗ／ｃｍ²以下の電力でチャンバー内にプラズマを発生させ、前記弾性層の表面に被膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子写真用ローラ部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アモルファス炭素膜の成膜方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液状の単一の二重結合を有する鎖状の炭化水素化合物を気化させて供給し且つイオン化させて基板上にアモルファス炭素膜を成膜し、これをハードマスク膜として用いる。前記アモルファス炭素膜は、蒸着率、エッチング選択比、屈折率（ｎ）、光吸収係数（ｋ）及びストレスなどの特性をユーザーの要求に応じて容易に調節することができ、特に、屈折率（ｎ）及び光吸収係数（ｋ）を下げることができて、下部材料層の乱反射を防ぐための反射防止膜を成膜することなく、フォトリソグラフィ工程を行うことが可能になる。また、蒸着工程時における反応副産物の発生が少なく、しかも、チャンバー内部に付着した反応副産物も除去し易くて、チャンバーのクリーニング工程周期を延ばすことができ、チャンバー付属品の交換周期も遅らせることができて時間及びコストを節減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の面内でのシリサイド化を均一に進行させることができるＴｉ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台にＳｉ部分を有する被処理基板を配置し、被処理基板を加熱し、チャンバ内を所定の圧力にし、チャンバ内にＴｉＣｌ_４ガスおよび還元ガスを含む処理ガス導入しつつ、高周波電界を形成することにより処理ガスをプラズマ化し、被処理基板の表面でＴｉＣｌ_４ガスおよび還元ガスによる反応を生じさせて被処理基板のＳｉ部分にＴｉ膜を成膜する際に、被処理基板のＳｉ部分でのＴｉＳｉの生成反応が抑制されるように、チャンバ内圧力および印加する高周波電力のパワーを制御する。 （もっと読む）