プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
（もっと読む）

電源に接続されている２以上の相対する電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマを用い、該処理空間において前駆体と酸素を含むガス組成物を用いて、ポリマー基材を生産するためのプラズマ処理装置および方法。無機材料の第１層を、ポリマー基材上に、該ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定された該ポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義されるＲ_ｔ−値の少なくとも１００％の最大厚さ（ｄ３）で付着させる。無機材料の第２層は第１層の上に付着させ、ここにおいて、処理空間において酸素は３％以上の濃度を有し、電源を、２以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが４０Ｊ／ｃｍ^２以上になるように制御する。 （もっと読む）

少なくとも２つの相対する電極（２、３）および処理空間（５）を含む、基材（６）を処理するためのプラズマ処理装置。少なくとも２つの電極（２、３）は、処理空間（５）において大気圧グロー放電プラズマを発生させるためのプラズマ制御ユニット（４）に接続されている。ガス供給機器（８）が、処理空間（５）にガス混合物を提供する。操作では、無機材料の第１層を、２％以下の濃度を有する酸素を含むガス組成物を用いてポリマー基材上に付着させ、その間に電源は３０Ｊ／ｃｍ^２以下のエネルギーを提供する。無機材料の第２層は、３％以上の濃度を有する酸素を含むガス組成物を用いて第１層上に付着させる。第２層の形成中、電源は４０Ｊ／ｃｍ^２以上のエネルギーを提供する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレジを向上させることができ、これによりスループットも高く維持することが可能な成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内へ凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗを収容すると共に前記処理容器内へ原料ガスを供給してプラズマＣＶＤ法により前記被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜の形成時の前記処理容器内のプロセス圧力を２３０〜６３０Ｐａの範囲内に設定する。これにより、ステップカバレジを向上させることができ、スループットも高く維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
被処理基板の処理に伴う被処理基板中の素子の不良率を低減するためにダメージの発生しないプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】
処理室と、処理室内に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極または第２の電極にプラズマ生成用の電力を印加するソース電源と、第１の電極または第２の電極にバイアス用の電力を印加するバイアス電源と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、ソース電源，バイアス電源及びガス供給手段を制御する制御手段を有し、被処理基板の表面処理を行うプラズマ処理装置において、制御手段は、プラズマ処理を行う定常プラズマからプラズマを消火する過程において、ソース電源の出力≦バイアス電源の出力の関係を保つように制御する。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向に屈折率が変化した接合膜を有し、この接合膜を介して２つの光学部品同士を高い寸法精度で強固に接合したことによって、耐光性および光学特性に優れた光学素子、およびかかる光学素子を容易に製造可能な光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】積層光学素子５は、第１の光学部品２および第２の光学部品４を用意し、第１の光学部品２の表面上に、プラズマ重合法により、接合膜３を成膜する第１の工程と、接合膜３をプラズマに曝すことにより、接合膜３にエネルギーを付与し、接着性を発現させる第２の工程と、接合膜３を介して第１の光学部品２と第２の光学部品４とを接合し、積層光学素子５を得る第３の工程とを経て製造されたものであり、プラズマ重合法における成膜条件を徐々に変化させることにより、接合膜３の屈折率が第１の光学部品２の屈折率と第２の光学部品４の屈折率とをつなぐように変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

基板上に非晶質炭素層を堆積させる方法および装置が提供される。一実施形態では、堆積プロセスは、基板処理チャンバ内に基板を位置決めするステップと、炭素と水素の原子比が１：２より大きい炭化水素源を処理チャンバ内へ導入するステップと、水素、ヘリウム、アルゴン、窒素、およびこれらの組合せからなる群から選択されるプラズマ開始ガスを処理チャンバ内へ導入するステップであり、炭化水素源の体積流量とプラズマ開始ガスの体積流量の比が１：２以上であるステップと、処理チャンバ内にプラズマを生成するステップと、基板上に共形の非晶質炭素層を形成するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】 レーザＣＶＤ法による加工品質を保ちつつ、加工時間を短縮することができるレーザ加工方法及装置を提供すること。
【解決手段】 あらかじめ種々の欠陥形状に合わせたスリット形状を複数用意しておき、その形状で一括してレーザー光を照射して導電膜を形成する。断線部を修正する工程は、レーザ出力及び加工時間についての第１の条件で実行する工程および第２の条件で実行する工程からなり、第２の条件におけるレーザ出力は第１の条件におけるレーザ出力よりも低く、第２の条件における加工時間は第１の条件における加工時間よりも長い。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法によって、電荷蓄積層として利用可能な、トラップが多数存在する窒化珪素膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、処理容器１内の圧力を１０Ｐａ以上１３３．３Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源９から、ウエハＷを載置する載置台２の電極７にウエハＷの面積当り０．００９Ｗ／ｃｍ^２以上０．６４Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力密度で高周波電力を供給して、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスを含む成膜ガスを用いてプラズマＣＶＤを行う。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンの交換を軽減でき、マイクロ波発生装置をより長く使用できるようにする。
【解決手段】マグネトロン８０のフィラメント８１にフィラメント電圧を供給し、フィラメント８１と陽極８４との間に陽極電圧を供給して、マイクロ波を発振させるマグネトロン８０を使ったマイクロ波発生装置４５の制御方法であって、ベース値のフィラメント電圧を供給し、マイクロ波の発振中に陽極電圧と陽極電流を測定する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係を基準特性と比較する工程と、陽極電圧と陽極電流の関係が基準特性から外れた場合に、フィラメント電圧を前記ベース値よりも上昇させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
誘電率を低減したＳｉＣ膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−ＣＨ_２−結合が環状にＳｉの２つの結合手を接続し、残り２つのＳｉの結合手に官能基Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ結合され、官能基Ｒ１、Ｒ２は酸素を含まず２重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第１のＳｉＣ膜を成膜し、第１のＳｉＣ膜上に第１絶縁膜を成膜して、第１のＳｉＣ膜及び第１絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第１のＳｉＣ膜と同じ原料を用いて第２のＳｉＣ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。
【解決手段】ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび／または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマＣＶＤによって、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０〜３０［Ｗ／ｓｃｃｍ］、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】切削工具等のコーティング材料として必要な硬度を有するアモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣ_ｘ：Ｈ）膜を、簡単な工程で効率良く低コストで形成する方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりケイ素化合物を含む原料ガスを用いて基板上にアモルファス炭化ケイ素膜を形成する際に、基板に負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）を連続的に印加する。マイクロ波の出力は５０−１２０Ｗで、負の高周波バイアス電圧（−Ｖ_ＲＦ）は６０Ｖ＜−Ｖ_ＲＦ＜１２０Ｖとすることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子の合成のための低圧超高周波パルス・プラズマ反応器システムを提供する。このシステムには、少なくとも１つの基板を受け取るように構成され、選択した圧力まで排気することができるチャンバが含まれる。このシステムには、少なくとも１つの前駆体ガスからプラズマを生成するためのプラズマ源と、選択した周波数でプラズマに連続又はパルスの無線周波数電力を供給するための超高周波無線周波数電力源とがさらに含まれる。この周波数は、パルス無線周波数電力とプラズマとの間の結合効率に基づいて選択される。ＶＨＦ放電及びガス前駆体のパラメータはナノ粒子の特性に基づいて選択される。ナノ粒子の平均サイズ及び粒子サイズ分布は、放電を通るガス分子滞留時間に対するグロー放電の滞留時間（パルシング・プラズマ）と、１つのナノ粒子前駆体ガス（又は複数のガス）の質量流量とを制御することによって操作される。
（もっと読む）

【課題】透明性、耐摩耗性及び耐食性に優れた透明樹脂積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明樹脂基材と、該透明樹脂基材上の少なくとも片面に形成される、少なくとも１層のシリカ膜層と、該シリカ膜層上に形成されるＤＬＣ膜層を最外層として有する透明樹脂積層体とする。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）