【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】Ｐ波検知部５１は、Ｐ波が到来するとその旨をＰ波解析部５２に知らせる。Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度５以上であるか否かを判断する。この結果、震度が５以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部５３にその旨を知らせる。気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、成長条件とを駆使し、基板上１０１への成長膜厚を均一にする方法を提供することにある。
【構成】 本発明は、チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた透明性と高いバリア性を有し、耐衝撃性にも優れた透明バリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）による酸化珪素を主体とする薄膜の成膜条件を、波長６３３ｎｍにおける屈折率が１．４５〜１．５５の範囲内となり、かつ、赤外分光法による分光スペクトルでの珪素原子と酸素原子からなる伸縮振動吸収（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮モード）のピークが１０６０〜１０９０ｃｍ^-1の範囲内となるように設定し、この成膜条件で基材フィルム上に化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）により酸化珪素を主体とする薄膜を形成してバリア層とする。 （もっと読む）

ガス組成物で充填されている処理空間（５）に大気圧グロー放電プラズマを発生させる方法及びプラズマ発生装置。２つの電極（２、３）が、オン時間（ｔ_ｏｎ）の間に電力を供給するために電源（４）に接続されている。電源（４）は所定の時間より短いオン時間（ｔ_ｏｎ）で周期信号を供給するように構成されており、この所定の時間はガス組成物からのダスト凝集中心が処理空間（５）でクラスタとなるのに要する時間に実質的に相当する。本方法及び装置は、処理空間（５）の基板（６）に材料の層を堆積させるために使用することができる。
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【課題】大面積の薄膜太陽電池パネルの生産効率、品質を保持したまま向上させる真空処理装置と製膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置は、（１）プラズマ電極と基板グランドと同一なグランドを有する防着板との間に、少なくとも１つのインダクタあるいはコンデンサ、（２）プラズマ電極の両端部それぞれと高周波電源回路とを接続する伝送線路の任意位置を接続する短絡線と、当該短絡線の両端部それぞれに接続されるインダクタあるいはコンデンサを備えているループ回路、（３）プラズマ電極の両端部それぞれと高周波電源回路とを接続する伝送線路上の各々に並列に接続されるインダクタンス成分としてのインダクタあるいはキャパシタンス成分としてのコンデンサ、任意のインピーダンスを形成することができるインダクタとコンデンサと同軸ケーブルの組み合わせ等が適用されるスタブのうち少なくとも１つを備える。 （もっと読む）

第一態様において、半導体デバイス製造のための第一システムが提供される。第一システムには、（１）基板の表面上に物質層を形成するように適合されたエピタキシャルチャンバと；（２）エピタキシャルチャンバに結合され且つプラズマをエピタキシャルチャンバに導入するように適合されたプラズマ発生器とが含まれる。多くの他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマＣＶＤにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板１上に形成された磁性膜１ａ上にプラズマ反応によって保護膜１ｂを成膜する成膜装置１０は、磁性膜１ａに保護膜１ｂを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室１１と、反応室１１内に保護膜１ｂを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部１２と、反応室１１内に設けられており磁性膜１ａとの間にプラズマを発生させる陽極電極３１と、反応室１１の外部に設けられ、磁性膜１ａに対して非接触で電子流を供給する電子供給源３４，３５と、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部３６とを備える。制御部３６は、電子供給源３４，３５から磁性膜１ａに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極３１に対して供給される電流量以上に制御する。 （もっと読む）

【課題】 スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制することができ、内部リークの発生も防止することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 筒体状の処理容器１４内に被処理体Ｗを保持し、全開及び全閉を含んで弁開度を任意に設定することができる弁機構８６が途中に介設された真空排気系８２により処理容器内の雰囲気を排気しつつ処理容器内に原料ガスと反応性ガスとを供給するようにした成膜装置を用いて薄膜を形成する成膜方法において、原料ガスと反応性ガスとを処理容器内へ交互に供給すると共に、原料ガスの供給時の弁機構の弁開度を、原料ガスの非供給時の弁開度よりも、全閉状態を除いて小さく設定する。これにより、スループットを低下させることなくパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】適正な膜厚制御を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜用の炉と、炉内に配置された被処理体を炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程（Ｓ２）と、相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程（Ｓ４）と、調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程（Ｓ５）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板上の成膜時間を短くするとともに、デバイスの特性低下を抑制すること。
【解決手段】 真空容器１内に高周波による電磁波を形成し、電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板５上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、電磁波をパルス状に形成するとともに、変調器１６を用いて電極３のパルスの単位時間当たりのオン時間を膜厚方向で変更させるようにする。これにより、成膜によって形成される層間の界面を良好に保ち、デバイス特性の低下を抑制することができる。また、オン時間を適宜長くすることで、成膜時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ電極のインピーダンスの整合調整を短時間化する。
【解決手段】 原料ガス条件及び高周波電力条件を含むプラズマ加工条件を入力として、プラズマ加工条件に対応するプラズマ電極のインピーダンス指令値をインピーダンス整合器に出力するニューラルネット４２と、プラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値をニューラルネットに学習させる教師部４４とを備えた制御装置を設け、教師部により、過去のプラズマ加工条件と、プラズマ加工条件に対応するインピーダンス指令値の実績値とに基づいて、入力されるプラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値を出力するようにニューラルネットに学習させ、未知のプラズマ加工条件に対しても、インピーダンスの整合調整を短時間化する。 （もっと読む）

【課題】 真空排気路に設けられた圧力調整バルブにより圧力制御を行う成膜装置において、圧力調整バルブの開度を予測することにより、正常な圧力制御ができない状態で成膜処理が行われることを未然に防止すること。
【解決手段】 今回実施しようとしている成膜処理の処理条件に対応する過去の処理データ（処理条件と、処理圧力に対応する圧力調整バルブの開度と、累積膜厚とからなる。）と、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、に基づいて今回の成膜処理における圧力調整バルブの開度を予測し、その予測値が閾値を越えているか否かを判断する。また過去の処理データに基づいて相関モデル線図を作成し、今回の成膜処理を終えた時の累積膜厚の値と、今回の処理条件と同じ相関モデル線図とに基づいて圧力調整バルブの開度の予測を行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】従来と比較して正確な処理速度分布や処理強度分布をシミュレーションする。
【解決手段】シミュレーション装置１は演算処理部２を備える。演算処理部２は、対向して配設される１対の電極７ａ，７ｂ間に生じるプラズマ粒子の密度分布を、当該電極７ａ，７ｂ間に生じる電場方向または電極７ａ，７ｂの垂線方向に１つの次元軸を有するｍ次元空間（ｍは１≦ｍ≦２の整数）の分布として、電場方向または前記垂線方向の複数の次元軸について算出する第１処理と、第１処理による算出結果に基づいて、基板に対する反応性粒子の密度分布、流量分布または流束分布を、ｎ次元空間（ｎはｍ＜ｎ≦３の整数）の分布として算出する第２処理と、第２処理による算出結果に基づいて、基板に対するプラズマ表面処理の処理速度分布または処理強度分布をシミュレーションする第３処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍で処理を行うプラズマ放電処理装置におけるプラズマ中の電子エネルギー分布等を時間依存のボルツマン方程式等により正確に算出して制御パラメータを決定するシミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システムを提供する。
【解決手段】シミュレーション装置２は、大気圧近傍の圧力下で電極間の電界を周期的または連続的に変化させてプラズマ放電処理を行うプラズマ放電処理装置１０を制御する制御パラメータの中から修正する制御パラメータを指定し、シミュレーションの終了条件を設定する入力手段３と、ガスと電子との素反応の衝突断面積が記憶されたデータベース手段５と、指定された制御パラメータを修正しながら衝突断面積に基づいて時間依存のボルツマン方程式を用いてシミュレーションを行う演算手段６と、演算結果が終了条件を満たしているか否かを判断し、制御パラメータの値を決定する制御手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】スリップ転位や積層欠陥（ＳＦ）の発生を抑制し、より高品質のシリコンエピタキシャルウェーハを効率的に製造する方法及び高品質であって低コストなシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶から結晶面（１１０）で切り出されたシリコン単結晶基板を、サセプタ上に垂直または傾斜させて載置して下端にて支持し、原料ガスを供給しつつ加熱し、前記シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶基板の結晶方位〔−１１０〕または〔１−１０〕に該当する外周位置を下端支持位置として前記サセプタに載置して、前記エピタキシャル層の成長を行なうシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 アライメント精度の向上が可能で高精度な成膜を行える、簡略化・コンパクト化を図ったプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 真空槽１に設けられる一対の平行平板電極２・３の一方の電極２側に、マスク４が重合される基板５を設け、この平行平板電極２・３に電圧を印加してこの平行平板電極２・３間の空間部６に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させることで前記基板５上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空槽１に、前記マスク４と基板５との位置合わせを行うアライメント機構７と、前記空間部６でプラズマ化した成膜材料ガスのこの空間部６からの漏出を阻止するプラズマ漏出阻止機構８とを設ける。この阻止機構８は、空間部６を前記成膜材料ガスがプラズマ化しない絶縁領域で囲う構成とし、この空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してプラズマでない成膜材料ガスを空間部６から排出するように構成する。 （もっと読む）

【目的】 特に、低蒸気圧原料を用いた場合でも、固体原料が均一に消費される原料供給装置を提供することを目的とする。
【構成】 固体原料１５２を収めた、全体がヒータ１３０を用いて加熱された容器１１０内をキャリアガスが通過することにより、前記キャリアガスと共に前記固体原料１５２を外部に供給する原料供給装置１００において、加熱された容器１１０壁面の内側に設置され、前記容器１１０の内壁面に前記固体原料１５２を接触させずに前記固体原料１５２を保持する治具１２０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

プロセスガスをプロセスチャンバに流し且つ流動性ガスをプロセスチャンバに流すことによって基板の上に膜が堆積される。プロセスガスは、シリコン含有ガスと酸素含有ガスを含んでいる。流動性ガスは、ヘリウム流と分子水素流を含み、分子水素流は、ヘリウムの流量の２０％未満の流量で供給される。プラズマは、１０^１１イオン/ｃｍ^３を超える密度でプロセスチャンバ内に形成される。プラズマにより基板の上に膜が堆積される。 （もっと読む）