【課題】基板の透明性を制御でき、低温成膜が可能で、ＰＥＴ等の基板に適し、緻密性、基板との付着力に優れ、密着性が向上するＳｉＯ_２コーティング技術を提供すること
【解決手段】エンドホール型イオン源で発生したアルゴンプラズマと、このプラズマを発生させるに用いる電子の一部をヘキサメチルジシロキサンガス又はヘキサメチルシロキサンと酸素の混合ガスに作用させると同時に、イオン源から発生された低エネルギーアルゴンイオンを基板上に照射することを特徴とするＳｉＯ_ｘ膜を形成する方法。上記において、電子をアルゴンガスに照射してアルゴンガスプラズマを生成させると共に、基板上に一部の電子を照射して帯電を防止することが好ましい。装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置 （もっと読む）

【課題】長時間成膜を行った場合でも高品質の薄膜を安定して形成することができるプラズマＣＶＤ成膜装置およびそれを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜を行うための成膜室２を備え、成膜室２内にカソード電極３と、カソード電極３に対向して配置されたアノード電極４とを設けているプラズマＣＶＤ成膜装置１において、カソード電極３とアノード電極４との間に配置されたメッシュ状電極７を備え、メッシュ状電極７にパルス状電圧を印加し、パルス状電圧の波形Ｐがアノード電極４の電圧に対して負の電位となる負電圧と、０Ｖまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置１およびそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積させる微粒子の径を均一にコントロールすることが可能な微粒子の堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を設置する工程と、チャンバ１１内へ供給された有機金属ガスを分解させて基板１３上へ微粒子を堆積させるとともに、プラズマ波長以下の光を基板１３表面に照射し、照射した光に基づいて、基板１３上に堆積された微粒子に近接場光を発生させ、更にこの発生させた近接場光を散乱させることにより、微粒子に堆積しようとする有機金属ガス分子を脱離させる工程とからなり、照射する光の波長を制御することにより、近接場光の散乱光強度が極大となるときの微粒子の粒径を制御し、これにより粒径を均一化させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なりプラズマ励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、光を使う方法では検出窓の曇りと言うCVDプロセスでは不可避の問題があり、量産工程に適合していない。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は反応室においてプラズマを用いて反応ガスを励起して所望の膜を堆積するステップと同反応室にリモートプラズマ励起室で励起されたクリーニングガスを導入して非プラズマ励起雰囲気で同反応室をリモート・プラズマ・クリーニングするステップを繰り返す半導体集積回路装置の製造方法において、容量結合型のプラズマ励起システムにより反応室または反応室の排気のための真空系に局所プラズマを生成し、そのプラズマの電気的特性をモニタすることにより、リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

光誘起化学気相蒸着を使用してナノ粒子上のコーティングを成長させた。エアロゾル化したナノ粒子を気相コーティング反応物と混合し、コーティング反応器に導入し、ここで、混合物を紫外光に曝露した。タンデム型微分移動度分析を使用して、初期粒径の関数としてのコーティングの厚さを決定した。
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【課題】異なる運用方式が指定された場合でもスループットの低下を防止する。
【解決手段】複数のウエハを収納するキャリアと、ウエハに処理を施す複数の処理モジュールと、これら処理モジュールにウエハを搬送する搬送装置が設置された搬送室と、キャリアに収納されたそれぞれのウエハに指定された運用方式に基づき搬送装置および処理モジュール内の処理を実行させるコントローラとを備えており、コントローラはそれぞれのウエハに指定された運用方式のうち所定の運用方式を選択し、選択された運用方式が指定されているウエハから優先して実行させる。一枚のウエハ毎に処理条件を変更せずに済むので、連続処理装置のスループットを向上できる。
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【課題】 堆積膜形成途中の膜剥がれを防止し、高品質な堆積膜を形成可能な堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器内に高周波電力を導入してプラズマを発生させ、基体に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、反応容器内に導入する高周波電力を周期的に変動させて、その１周期の間に１乃至１０μｍの膜厚の堆積膜が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 気相成長中にウエーハが反っても高品質のエピタキシャルウエーハを生産することができる気相成長用サセプタ等を提供する。
【解決手段】 単結晶基板の表面にエピタキシャル層を気相成長し、エピタキシャルウエーハの製造を行う気相成長装置においてウエーハを載置するための気相成長用サセプタであって、該気相成長用サセプタは、少なくとも、前記ウエーハを載置するウエーハ載置面に曲率半径を有する凹形状のザグリが形成されたものであり、前記ウエーハ載置面の曲率半径は、少なくとも、気相成長中のウエーハの表裏間の温度差及び前記単結晶基板と前記エピタキシャル層との間の格子不整合に基づいて計算で求められた前記気相成長中のウエーハの反りと一致している気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理装置において、直流アース不足により発生する放電不安定を抑制する。
【解決手段】真空処理室１に接地された環状導体２６を直流アースとして設置し、環状導体２６からアースへ流れる電流を０Ａ付近になるように電流モニタ２９の値に基づき直流バイアス電源２８を制御系３０で制御することにより、プラズマの空間電位が上昇することによって起こる放電不安定を抑える。 （もっと読む）

本発明は、液晶表示装置の金属パターンが切断された場合、レーザーを用いて上部の絶縁膜にホールを形成し、ホールの間に金属薄膜を形成して切断部位を連結するための金属薄膜形成装置およびその方法に関する。本発明の金属薄膜形成方法は、基板上に蒸着された金属パターン４１が切断された場合、切断された金属パターンを連結するためのもので、第１レーザーを照射して金属パターン上の絶縁膜を除去し、薄膜が蒸着できる第１コンタクトホールと第２コンタクトホール４４を金属パターンに形成し、第２レーザーを照射して前記コンタクトホールに金属薄膜４６を充填し、前記第２レーザーを照射して前記ホールの間に金属薄膜を形成する。
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【課題】 中間層３ａの表面状態を改善させ、窒化物半導体単結晶２の成膜に好ましく用いることの出来る単結晶基板と、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌ_ｘＧａ_ｙＮ（ｘ，ｙ≧０、ｘ＋ｙ＝１）の一般式からなる窒化物半導体単結晶２を積層させるために用いられる単結晶基板１ｂであって、一方の主面４ａが凸面として形成されており、さらに当該凸面が鏡面に研磨されていることを特徴とする単結晶基板１ｂと、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛の透明導電膜と薄膜光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することによって変換効率の高い薄膜光電変換装置を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛の透明導電膜（３）上に、ｐ型半導体層（４１−４３）、ｉ型半導体層（４４）、およびｎ型半導体層（４５）が順次積層された薄膜光電変換ユニット（４）の少なくとも１つを含む薄膜光電変換装置（１）の製造方法において、透明導電膜に接する薄膜光電変換ユニット中のｐ型半導体層は透明導電膜上に第１のｐ型結晶質半導体層（４１）、第２のｐ型結晶質半導体層（４２）、及びｐ型非晶質半導体層（４３）をプラズマＣＶＤによって順次積層することによって形成され、第１ｐ型結晶質半導体層の形成と第２ｐ型結晶質半導体層の形成との間においてプラズマＣＶＤの放電が所定時間だけ停止されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥の発生を低減でき、ＩＧ効果に優れた直径３００ｍｍ以上のエピタキシャルウェーハを得る方法を提供する。
【解決手段】ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。単結晶はチャンバ内の引上げ途中の８００〜６００℃の温度領域を２５０〜１８０分かけて通過させて育成される。単結晶は酸素濃度１０×１０¹⁷〜１２×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³及び抵抗率０．０３〜０．０１Ωｃｍを有する。ウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前にウェーハを不活性ガス雰囲気下６５０〜９００℃の温度範囲内の所定の温度で１０分〜４時間保持するプレアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理方法において、プラズマ放電を継続しながらステップ切替えを行う場合、プラズマ処理条件の切替え時におけるプラズマ不安定を防止する。
【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ発生用の高周波電源と、該プラズマ発生用の高周波電源の反射電力を自動的に低減する自動整合機とを備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、予め処理条件切替え後のプラズマ処理条件を決定し（手順１）、切替え後の処理条件でテスト放電して自動整合機で反射波が低減した時点の整合素子の位置を記録し（手順２）、プラズマ処理条件切替え時に自動整合機を予め記録した整合素子の位置に移動させる（手順３）。 （もっと読む）

【課題】同一のプラズマ反応室内において、少なくとも２のプラズマ処理工程を行う場合、その装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】本明細書は、酸化物層で覆われたシリコン基板上に形成される集積受動デバイス（ＩＰＤ）を説明する。
【解決手段】シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。トラップ用中心は、シリコン基板と酸化物層との間に挿入される多結晶シリコン層によって製造される。 （もっと読む）