【課題】導電性の筒状部材を真空容器内に配置すると共に、筒状部材での微小放電を抑制するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内周面にアルマイト層３１ａが形成されたアルミニウムからなる筒状部材３１を、金属製の真空容器１２の内壁面に沿って配置すると共に、真空容器１２の内部の支持台２１、２２上に処理対象の基板Ｗを静電吸着して、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空容器１２の内壁面の全周に渡って形成され、当該内壁面から突設された段差部１２ａと、段差部１２ａの上面の全周に渡って配置された弾性変形可能な金属製のチューブリング３２とを有し、チューブリング３２を介して、筒状部材３１を段差部１２ａ上に載置した。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップの抑制および二次反応の抑制を高いレベルで両立する電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極および円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成して、電子写真感光体を製造するにあたり、基体ホルダーと補助ホルダーとによって円筒状基体を長手方向に加圧した状態で保持し、前記正になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値および前記負になるときの電極と円筒状基体の電位差の絶対値の一方が放電維持電圧の絶対値未満の値であって、他方が放電開始電圧の絶対値以上の値であるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Ｓを収容する処理容器２と、処理容器２内で複数の基板を保持する基板保持部材３と、処理容器２内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５に高周波電力を印加する高周波電源１６と処理容器２内に処理ガスを供給するガス供給手段８，９，１０と、処理容器２内を排気する排気手段１１，１２，１４と、処理容器２内で基板保持部材３を囲うように誘導加熱コイル１５と基板保持部材３との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材３に保持された基板Ｓを加熱する誘導発熱体７とを具備し、誘導発熱体７により、基板Ｓへ誘導電流が流れることが阻止される。 （もっと読む）

【課題】凹凸面が存在する容器や非常に均一性が必要な高いバリア性を必要とする容器に対して均一な成膜を行なうことが可能なバリア膜形成装置、バリア膜形成方法及びバリア膜被覆容器を提供する。
【解決手段】凹部１２ａを有する容器１２を被処理物とし、内面にバリア膜を成膜するバリア膜形成装置であって、前記容器１２を取り囲む大きさの空洞を有する誘電体部材５０と、該誘電体部材５０の外周側を覆う外部電極１３と、前記容器１２の口部１１が位置する側の前記外部電極１３の端面に絶縁部材２６を介して取り付けられ、前記容器１２の内部を、排気管１４を介して減圧する排気手段と、前記排気管１４側から挿入され、前記容器１２内にバリア膜生成用の媒質ガス１９を吹き出すためのガス吹出し部を兼用する内部電極１７と、前記外部電極１３と接地電極間に放電を発生させるための電界を付与するための電界付与手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ボトル口部付近の熱変形や穿孔などを防止しつつ、安定したプラズマ発光状態を得ることができるプラズマ処理装置の提供する。
【解決手段】チャンバ内に設置された処理対象物（ボトル２０）の口部２１を保持する保持手段３０ａを備えたプラズマ処理装置であって、保持手段３０ａが、当該保持手段３０ａの中央部縦方向に穿設された貫通孔１４と、この貫通孔１４に嵌合するほぼ筒状の排気管部材３２ａとを有する。この排気管部材３２ａは、上部開口の外周端の一部がさらに上方へ延設した延設部３２ａ−２を有し、この延設部３２ａ−２は、上部開口の外周のうち、プラズマ処理装置１のマイクロ波導波管が取り付けられている側のみ延設されており、処理対象物（ボトル２０）の口部２１の長さとほぼ同じ長さだけ延設される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、発熱体ＣＶＤ法を用いて、プラスチック成形体の表面に、プラスチック成形体との高い密着性（特に、耐水性）を有するガスバリア薄膜を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性プラスチック成形体９０の製造方法は、プラスチック成形体９１の表面に、発熱体ＣＶＤ法で、構成元素としてＡｌ及びＯを含有するガスバリア薄膜９２を形成するガスバリア性プラスチック成形体の製造方法において、プラスチック成形体を収容した真空チャンバ６の内部に、水素ガスを供給して、プラスチック成形体の表面を還元する水素処理工程と、Ａｌ源原料ガスを供給して、Ａｌ源原料ガスを発熱した発熱体に接触させて、Ａｌ源原料ガスを分解して化学種を生成させ、プラスチック成形体の表面に化学種を到達させることによって、ガスバリア薄膜を形成する成膜工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゲートバルブを介して基体を搬送機から処理室へ移動させる際に、基体へのダスト付着を効率良く抑制することにより、堆積膜の品質向上を図るとともに、優れた生産性を有する堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を提供する。
【解決手段】２つの弁体は、処理室１６０及び／又は搬送機１２０のそれぞれが有する容器側から順に、第１の弁体１２３及び第２の弁体１２４とする。処理室と搬送機が接続されていない場合であって、処理室が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、処理室が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。搬送機が１つの弁体のみを有する場合は、第１の弁体を全閉状態とし、搬送機が２つの弁体を有する場合は、少なくとも第２の弁体を全閉状態とする。排気工程は、第１の弁体を全閉状態とし、第２の弁体を全開状態にして行う。 （もっと読む）

【課題】反応管内の異物汚染を抑制し、装置稼働率の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する石英製の反応管２０３と、前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記反応管内の雰囲気を排気する排気系と、前記処理ガス供給系と前記クリーニングガス供給系と前記排気系とを制御する制御系と、を有し、前記反応管内に前記基板の積層方向に沿って延びる石英製の板状部材２６６ａを設け、前記クリーニングガス供給後の前記反応管内に付着した膜の除去状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡易に、特性の均一性と画像特性を同時に向上させる方法を提供する。
【解決手段】 リング状部材１００の外周面に、周方向の３箇所の位置に凸部１０３を有し、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触しない状態で、リング状部材１００を所定の位置に配置し、その後、リング状部材１００を変形させて、凸部１０３が円筒状基体１０５および補助基体１０８の内面に接触した状態で基体ホルダ４１８に円筒状基体１０５、リング状部材１００および補助基体１０８を設置する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの分解効率を上げ、基板に対する処理速度の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生管６を囲む様に設けられ、少なくとも該プラズマ発生管６の内壁近傍にプラズマ生成領域１２を生成するプラズマ発生手段９，１１と、前記プラズマ発生管６の上流側から処理ガスを供給するガス供給手段１６と、前記プラズマ発生管６の下流側に隣設され、プラズマ化された処理ガスによって基板３を処理する処理室４と、前記ガス供給手段１６と前記プラズマ生成領域１２上端の間に設けられ、前記プラズマ発生管の内壁近傍の処理ガス密度が濃くなる様処理ガスの流れを整える整流板１７と、前記処理管から処理ガスを排気する排気手段２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の表面上にさらに別個の独立したなじみ膜を形成する工程を経ることなしに、初期なじみ性に優れた被覆部材を、できるだけ小さい消費エネルギーで、生産性良く製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】被覆部材の製造方法は、基材４を収容する処理室３内を真空排気し、かつ少なくとも炭素系化合物を含む原料ガスを導入しながら、前記基材に電圧を印加することによりプラズマを発生させて前記基材の表面にＤＬＣ膜を形成したのち、真空排気を続けながら電圧の印加を停止するとともに、原料ガスに代えて水素ガスを導入して、形成したＤＬＣ膜を水素ガスによって処理する。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚や膜質の均一性に優れた堆積膜を形成することが可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状基体を設置するとともに円筒状基体の長手方向端部側に補助基体を設置し、円筒状基体と補助基体との間の隙間を充填材で埋めた後、プラズマＣＶＤ法により該円筒状基体上に堆積膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。
【解決手段】筒状の反応容器２９と、該反応容器の内部に画成され複数の基板２を収納可能な反応室３２と、前記反応容器の内部に設けられたバッファ室３８と、前記反応容器の長手方向に沿って設けられ前記バッファ室に処理ガスを導入可能なガス導入部３４，３５とを具備し、前記バッファ室は前記ガス導入部から導入される処理ガスを前記反応室に供給する複数のガス供給孔４８，５３と、プラズマ発生用の電極５４，５５を収容する空間５９と、前記バッファ室の壁を貫通し前記反応室に開口する孔であって、前記反応容器の薬液洗浄時に用いる水抜き孔を少なくとも１つ有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥のない堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形方法を提供する。
【解決手段】少なくとも上部又は下部に補助基体を設けた円筒状基体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、円筒状基体に補助基体を取り付けた状態で両者の表面を同一条件で連続して切削加工をおこなう工程と、前記円筒状基体に前記補助基体を取り付けた状態で機能性膜の形成をおこなう工程をおこなう。 （もっと読む）