【課題】水晶デバイスを製造する工程において、レジスト塗布前の基板上に形成されたＡｕ／Ｃｒ耐蝕膜のＡｕ層を短時間のオゾン水により表面の改質処理を施すことで、レジストの付着性を向上させることにより、生産性を向上させる。
【解決手段】基板１の表面に形成されたＡｕ表面４のぬれ性を改善する方法であって、前記Ａｕ表面４を、オゾン濃度が１００ｐｐｍ以上の炭酸を含む５０℃以上のオゾン水３と接触させる。 （もっと読む）

本発明は、一又は複数の構成部品内に形成又はそれ以外の方法で堆積する固形堆積物を構造改変し除去するために有用な方法及び組成物を提供する。この固形堆積物には、例えば蒸気発生系内に形成されるスケールが含まれる。水系洗浄組成物は、約１３．５ｉ以上のｐＫａ値によって特徴づけられる一又は複数の水酸化第４級アンモニウムを含む。この水酸化第４級アンモニウムは、単独で又は一もしくは複数の炭化物とともに用いられ得る。この添加物には、例えば、キレート化剤、還元剤、酸化剤、ｐＨ調節剤、界面活性剤、腐食防止剤、錯化剤、分散剤及びこれらの組み合わせを含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム金属又はアルミニウム合金よりなる半導体製造装置部品にダメージを与えることなく、堆積した付着物を除去することができ、安全な洗浄方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体製造装置部品を、フッ化物：カルボン酸：ホウ酸とを例えば、１ｐｐｍ〜４％：０．１〜２０％：０．１〜５％の組成比（重量比）で含んでなる組成物で洗浄する工程、ｂ）半導体製造装置部品を非イオン系界面活性剤及び／又は酸化剤を、０．０１〜１０重量％含んでなる組成物で洗浄する工程、のａ）、ｂ）両工程で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に被覆膜が形成された被覆部材において、被覆膜が炭素を主成分とする炭素系被覆膜さらには金属元素等を含む炭素系被覆膜であっても被覆膜を容易に除去できる、新規な被覆膜の除膜方法を提供する。また、被覆膜を除去した後、再び被覆膜を成膜することで、被覆部材を再生する方法を提供する。
【解決手段】本発明の被覆膜の除膜方法は、基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆され炭素を主成分とする炭素系被覆膜と、からなる被覆部材１０から炭素系被覆膜を除去する除膜方法であって、炭素に対して酸化作用をもつ溶融塩２を炭素系被覆膜に接触させて基材の表面に被覆された炭素系被覆膜の少なくとも一部を除去する。また、本発明の被覆部材の再生方法は、本発明の被覆膜の除膜方法を用いて被覆部材から炭素系被覆膜を除去した（１１）後に、その表面に被覆膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一水系内で水と接触するアルミニウム材と鉄材及び／又は銅材とを構成要素として含む装置・設備において、それぞれの金属材の表面に付着したスケールを、同時に除去することができるスケール洗浄剤及びそれを用いた金属材表面のスケール除去方法を提供すること。
【解決手段】 乳酸又は乳酸とその塩を含んでなることを特徴とするスケール洗浄剤、及びそれを用いたスケール除去方法。前記スケール洗浄剤には還元剤、スケール再付着防止剤を含んでいてもよい。
なし （もっと読む）

低ｋ誘電体材料、エッチング停止材料、および／または金属スタック材料を、その上にこれらを有する不良微小電子素子構造から除去する除去組成物およびプロセス。除去組成物はフッ化水素酸を含む。組成物は、これらをその上に有する微小電子素子構造の表面からの材料の少なくとも部分的な除去を、前記構造のリサイクルおよび／または再使用のために、半導体構造に用いられている下位のポリシリコンまたはベアシリコン層に損傷をあたえることなく達成する。
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本発明は、原子力施設の部品または系の酸化物層を有する表面を汚染除去する方法に関し、この際、前記酸化物層を気体酸化剤で処理する。
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アルカリ液中において腐食感受性である表面を洗浄するための組成物であって少なくとも１種のアルカリ源、元素周期表の第２または第３の主族の元素から選択される少なくとも１種のカチオンを含む少なくとも１種の無機塩を含み、これにより組成物がいずれのトリアゾールおよび／またはいずれのアルカリ金属ホウ酸塩も含まない組成物、該組成物を含む水性濃厚物、該組成物または該水性濃厚物を含む使用溶液、ならびに、上記の水性濃厚物または任意の上記の使用溶液を用いて、アルカリ液中において腐食感受性である表面を洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】 樹脂被覆チタン成形体から樹脂被覆を簡単且つ確実に除去することが可能な方法を提供する。
【解決手段】 樹脂被覆チタン成形体を加熱処理して被覆樹脂を熱分解し、次いで酸化剤を用いてチタン成形体表面から熱分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】成形加工性に優れる被めっき物を提供する。
【解決手段】表層の加工変質層が除去された金属基材上にめっき層Ａが設けられている成形加工性に優れた被めっき物、前記金属基材が銅又は銅合金からなる被めっき物、前記めっき層Ａがニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金のうちの少なくとも1種からなる被めっき物、前記めっき層Ａ上に、前記めっき層Ａと異なる金属又は合金からなるめっき層Ｂが少なくとも１層設けられている被めっき物、前記めっき層Ｂがニッケル以外の金属または合金からなる被めっき物である。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニックデバイス構造およびプロセス装置から望ましくない物質を除去するために、たとえば超臨界二酸化炭素などの超臨界流体を用いる組成物および方法。フラックスおよびはんだプリフォーム表面膜を除去するための有用性を有する、このようなタイプの一組成物には、たとえば超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体、およびたとえばキシレンなどの有機共溶媒が含まれる。半導体基板から金属、金属酸化物、金属含有エッチング後残渣およびＣＭＰ粒子を除去するための有用性を有する、このようなタイプの別の組成物には、超臨界流体および少なくとも１つのβ−ジケトンが含まれる。

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