【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】 Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ５００ｎｍ以下の希土類合金磁性層と、厚さ５０ｎｍ以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。
【解決手段】凹部１６と凸部１７からなる凹凸パターン１５を裏面１２側に形成した、再利用可能な支持ガラス基板１１の表面１３側に接着剤２４で貼り合わせた薄化半導体基板１９をＥＳＣ電極２上に載置することによって前記半導体基板１９の冷却を促進し、ＴＳＶ加工速度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】有機金属材料で構成された導電性の有機金属膜を、容易にパターニングすることができ、所望の形状の有機金属膜を効率よく安価に形成可能な有機金属膜のパターニング方法、有機金属膜を介して基材と被着体とを部分的に効率よく接合可能な接合方法、この接合方法により接合された接合体、および、前記有機金属膜をマスクとして、基材の所望の領域を選択的にエッチングするエッチング方法を提供すること。
【解決手段】第１の基材２１上に有機金属膜３を形成する工程と、有機金属膜３の一部に設定した加圧領域３１０を圧子４により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜３にエッチング処理を施す工程とを有する。加圧領域３１０の有機金属膜３には、加圧に伴い、加圧されない非加圧領域３１１との間に疎密差が生じる。この疎密差は有機金属膜３におけるエッチング速度に反映されるため、これにより有機金属膜３をパターニングすることができる。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】精度よく微細な加工を行うことができる被加工体の加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る被加工体の加工方法は、ガラス状カーボンからなる被加工体１０上にＨＳＱ膜２０を形成する工程と、ＨＳＱ膜２０を電子線描画し、その後ＨＳＱ膜２０を現像することにより、被加工体１０上に位置していてパターンを有するマスク膜２２を形成する工程と、マスク膜２２をマスクとして被加工体１０をドライエッチングすることにより、被加工体１０を加工する工程とを具備する。ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】軸受の内面に、へリングボーン溝、スパイラル溝等の動圧発生溝を簡単に形成できるようにする。
【解決手段】マスク１は、円筒状の形状であり、外周面にヘリングボーン溝パターンが形成され、鍔部の下面にスパイラル溝パターンが形成されている。マスク１を動圧軸受２に挿入し、さらに、マスク１の内部に光ファイバ４を挿入する。そして、外部の光源の光を光ファイバ４によりマスク１に照射して、ヘリングボーン溝パターンを動圧軸受２の内周面に転写する。同時に、鍔部の上側から光を照射してスパイラル溝パターンを動圧軸受２の上側面に転写する。現像を行った後、エッチングにより軸受２の内周面にヘリングボーン溝２１を形成し、上側面にスパイラル溝２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】精度良く且つ確実に所定の位置でエッチングを停止することができるエッチングマスクを提供する。
【解決手段】基板とドライエッチング用複合体を成すエッチングマスクは、基板の上に第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層と、第１の特定スペクトル光を発生する物質からなる層と第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層とに挟まれる第１及び第２のいずれの特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、第２の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層の上に接して第２の特定のスペクトル光を発生しない物質からなる少なくとも一層と、を含む複数の層で構成され、第１の特定のスペクトル光を発生する物質からなる層は、基板に接し、基板とは異なるスペクトル光を発生する物質からなる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理において、選択性を向上させる。
【解決手段】ウエハＷを導入するロード室１０２とウエハＷをリアクティブ・イオン・エッチング処理するＲＩＥ装置１とが、ゲートバルブ１０１を介して接続されている。ＲＩＥ装置１の処理室４の内面が、非水溶液での陽極酸化Ａｌ_２Ｏ_３膜によって被膜されている。前処理として酸素原子、水分子を含まないガス雰囲気中で、波長１２０ｎｍ〜１９０ｎｍの紫外線が照射装置１１２によってウエハＷに対して照射され、ウエハＷは１７０℃以上でベークされる。 （もっと読む）

基板表面上に第一の化合物をパターン付する工程、基板表面の非パターン付き領域を第二の化合物に曝露する工程、および第二の化合物を元のままに残しながら、第一の化合物を除去する工程を含む、リソグラフィおよびナノリソグラフィ法に関する。得られたホールパターンをテンプレートとして用いて、基板のパターン付き領域の化学的エッチングまたは基板のパターン付き領域上への金属付着のいずれかを行うことができる。

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【課題】エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング面の平坦性が2nm以下であり、かつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあり、10μm以上の高さを有するダイヤモンド構造体及びダイヤモンド上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、酸素ガスを含む雰囲気でプラズマエッチングを行い、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス又は塩素系ガスを加えて、平坦化プラズマエッチングを行うダイヤモンドエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスとＣＮ結合及び水素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

基板を用いて電気化学セルを形成するための電極、およびその電極の製造方法。電極は、前側にパターニングされた絶縁層（７）を有するキャリア（１）を備える。電極層（４）の導電性材料がパターニングされた絶縁層の空洞にキャリアに接触して成膜される。接続層（５）が、キャリアの裏側にキャリアに接触して形成される。電極の周辺部は絶縁材料により被覆される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）

【課題】柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。
【解決手段】可撓性を有し、一方の面に貼着層を形成してなるとともに、前記パターンに対応する切抜部を穿設したマスク用シート体の貼着層側を、少なくとも一方の面に連続した薄膜が形成された基板における薄膜に貼着するマスク貼着工程と、前記貼着工程で前記マスク用シート体を貼着した基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた基板からマスク用シート体を除去するマスク除去工程とを有することを特徴とするパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。 （もっと読む）

【課題】 ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。真空容器１２内の一方の電極２４側に設けられた被エッチング材料３０をプラズマによりドライエッチングする。被エッチング材料３０はポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を、０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件で、プラズマ処理装置１０の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、ポリマー材料に平滑加工面を形成する。 （もっと読む）