【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】高精度・高性能・高額な処理装置を用いないで、また精細で複雑な処理工程を必要としないで、簡素な手法で再現性良く微細な凹凸構造を形成する方法、及び前記方法によって形成された基板を提供する。
【解決手段】エッチング処理によって基板表面に凹凸構造を形成する方法であって、前記基板上に膜を成膜する工程、前記膜をエッチング処理することにより前記膜に微細な凹凸構造を形成する工程、及び前記膜に生じた微細な凹凸構造をエッチングマスクとして前記基板のエッチング処理を行う工程からなることを特徴とする基板表面に凹凸構造を形成する方法、並びに前記方法によって得られた凹凸構造を有する基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトレジストの膜厚を略均一にすることで、良好なパターン形状を円筒状の外表面に形成することができる円筒外表面の加工方法およびパターンシートの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ワーク３の円筒状の外表面３ａに凹凸パターンを形成する円筒外表面の加工方法であって、液槽２内の塗布液１中にワーク３を浸漬させる浸漬工程と、ワーク３を中心軸ＣＡ回りに回転させながら引き上げる取出工程と、ワーク３の外表面３ａに塗布された塗布液１を乾燥させてフォトレジスト層５を形成する乾燥工程と、フォトレジスト層５に光を照射することで凹部パターンを形成する光照射工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置１０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板２１の厚みの分布から、升目状に区分された基板２１の各領域の被エッチング総量を算出し、この被エッチング総量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。制御部１３は、このＰＣ１５によって判別されたエッチング時間に基づき、ＸＹステージ１２及びイオンガン１１を制御する。イオンガン１１とＸＹステージ１２との間にはマスク等の遮蔽物が設けられていないためエッチング可能領域を遮ることがなく、良好に任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン−サイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】主磁極を所望の形状とできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】ギャップ層９上の主磁極１０におけるエアベアリング面側の露出面がテーパ形状をなす記録ヘッド部１００Ｂを備えた薄膜磁気ヘッド１００の製造方法において、ギャップ層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程、主磁極層上にマスクを形成する工程、エッチングガスを流入してマスクにて主磁極層をエッチングして主磁極前駆体を形成する主磁極前駆体形成工程、主磁極前駆体をエッチングして主磁極を形成する工程を含み、主磁極層形成工程で、主磁極層を、複数のＦｅＣｏ層とこの間に設けられるＲｕ層とを含む多層膜で構成し、主磁極前駆体形成工程でエッチングガスを、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３とＯ_２との混合ガスとし、エッチングガス中のＣｌ_２およびＢＣｌ_３の合計流量比率を９１．５〜９６体積％とし、且つ主磁極層の温度を１８０〜２００℃とする。 （もっと読む）

【課題】 成形後の成型物を分離しやすい型を簡便な方法で作製できる型の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンからなる基板６の表面にマスク４を形成する工程と、マスク４の下部に基板６に一つ以上形成された凸部を形成する凸部形成工程と、凸部の表面側と、基板６とは別体の基体とを接着あるいは接合する一体化工程と、基板の凸部だけが基体に残留するよう基板を除去する除去工程を含み、凸部形成工程において、イオン衝撃を利用したドライエッチング法を用い、凸部の断面形状の幅が、基板６のマスク４が形成された面から深さ方向に対して狭くなることを特徴とする型の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】配線パターンとなる金属材料中にＣＮＴを均一に分散させると共に、配線パターンの電気導電率を向上させる。また、スパッタリングによって金属薄膜中にＣＮＴを均一に分散混入するためのターゲット材を提供する。
【解決手段】絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 （もっと読む）