【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。本発明の具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中における負イオンの利用効率を高め、強誘電体や貴金属などの難エッチング材であっても高速エッチングを可能とし、装置の簡略化、低コスト化を図る。
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Ｖdcとピーク−ピーク間電位差Ｖppを独立に制御可能とし、Ｖdcを０Ｖ以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4．1×10⁸cm^-3以上1．0×10¹¹cm^-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材（30）の比誘電率の組合せが設計される。 （もっと読む）

【課題】薄膜除去後の基板のダメージが少なく、再研磨の工程負荷も少ないことにより、基板の再生コストを低減できる基板の再生方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、マスクブランクまたは転写用マスクの薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することにより、基板を再生する。 （もっと読む）

マスクパターンを基板上に形成した後にエッチングプロセスによって所望のパターンを形成するように前記基板を処理する方法は、前記基板上に2つの層を形成する工程、前記マスクパターン又は前記2つの層のうちの1層のエッチングパターンの幅を測定する工程、並びに、前記の測定された幅に基づいて、前記エッチングプロセスにおいて用いられるHBr及び他の気体のうちのいずれか1つの流速を調節する工程を有する。前記2つの層は、シリコン窒化物層及び有機誘電層を有して良い。
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【課題】難エッチング材を含む部材であっても、簡便に、かつ、良好な形状にパターニングすることができるドライエッチングによるパターニング方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材のドライエッチングを施す面に感光性樹脂のマスク２４ａを形成した後、撥水処理２８を施す。撥水処理後、感光性樹脂のマスクをポストベークする。次いで、感光性樹脂のマスクを介してドライエッチングを施すことにより被エッチング部材をパターニングする。被エッチング部材としては、磁性体材料、強誘電体材料、及び貴金属の少なくとも一種を含む膜を有するものを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】貴金属薄膜を作製するため、ダメージを抑える金属膜（特に高融点金属）を基板の、特に微細な穴の底面だけに、均一にしかも高速に作製することができる金属膜作製装置とする。
【解決手段】タンタル（Ｔａ）製の被エッチング部材１１が備えられたチャンバ１内にハロゲンを含有する原料ガスとしてのＣｌ₂ガスを供給し、被エッチング部材１１に対してプラズマを発生させＣｌ₂ガスで被エッチング部材１１をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＴａ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体ＴａＣｌを生成し、表面に微細穴（トレンチ）が形成された基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くし、トレンチの（底面の金属被覆厚／壁面の金属被覆厚）である被覆率を１より大きくするような状態にＣｌ₂ガス成分量を調整してトレンチの底面だけにＴａ成分を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】ワークの処理領域の全体にわたって、ほぼ均一な加工量でエッチング加工を施す
ことができるプラズマ処理装置、および、かかるプラズマ処理装置を用いて、処理領域に
エッチング加工を施すプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマの作用により、ワーク１０
に対してエッチング加工を施す装置であって、ワーク１０を支持する第１の電極２と、ワ
ーク１０を介して第１の電極２と対向して設けられた第２の電極３と、ガスＧを供給する
ガス供給部５と、供給されたガスＧをプラズマ化するように、両電極２、３間に高周波電
圧を印加する電源回路４とを備えている。そして、第２の電極３のワーク１０に臨む面が
扇形をなしており、この扇形の弧と反対側にある頂点を回動中心として、第２の電極３が
回動可能に設けられている。そして、第２の電極３を回転させつつエッチング加工を施す
ことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】ハロゲン系ガス雰囲気又はハロゲン系ガスプラズマ雰囲気に曝される耐食性部材であって、基材表面に複数の材料を被覆させてなり、その被覆層の最表面が希土類元素のフッ化物であり、その下に気孔率が５％未満の希土類元素の酸化物層を有することを特徴とする耐食性部材。
【効果】本発明の耐食性部材は、ハロゲン系腐食性ガス、あるいは、そのプラズマに対しての耐食性を向上させ、半導体製造装置やフラットパネルディスプレイ製造装置に用いた際のプラズマエッチングによるパーティクル汚染を抑制することができる。また、洗浄による部材損傷を抑制できるため、部材の高寿命が可能である。そのため、高品質製品を長期的かつ効率的に生産することができる。 （もっと読む）

【課題】材料をエッチングするためにビーム活性化気体を使用する局所ビーム処理の方法および装置を提供すること。
【解決手段】ビーム誘起エッチングに適切な化合物が開示される。本発明は、リソグラフィ・マスクの上のクロミウム材料を電子ビーム誘起エッチングするのに特に適している。一実施形態では、ＣｌＮＯ₂ガスなどの極性化合物が、石英基板上のクロミウム材料を選択的にエッチングするように、電子ビームによって活性化される。イオン・ビームの代わりに電子ビームを使用することによって、汚染およびリバーベッドなど、イオン・ビーム・マスク修復に関連する多くの問題が排除される。端点検出は必須ではないが、その理由は、電子ビームおよび気体は、基板を著しくエッチングしないからである。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク作製において、改良されたクロム層のプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理方法は、クロム層上に配置されたレジスト層をパターニングする（２０４）ことにより部分的にクロム層が露出した基板に対し、場合によりレジスト層上に保護層を堆積する（２０６）。次に、少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供しつつ、さらに６００ワット未満の複数の電力パルスによって基板にバイアスをかける（２０８）ことにより、パターニンググされたクロム層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気内から反応生成物を確実に除去することが可能な、白金およびマンガンを含む金属膜のエッチング方法およびこれを用いた磁気記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電流磁界による磁化反転を利用して情報を記憶するもので、磁化固定層１４ａと磁化自由層１４ｃとでトンネル絶縁層１４ｂを挟持してなるＴＭＲ素子１４と、磁化固定層１４ａの磁化の方向を固定する反強磁性体層１３と、磁化自由層１４ｃに接続された配線層とを備えた磁気記憶装置の反強磁性体層１３をドライエッチングによりパターンニングする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法であって、反強磁性体層１３は、白金およびマンガンを含む金属膜からなり、反強磁性体層１３のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ハロゲンと水素と窒素とを含むことを特徴とする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の表面にミクロンサイズ以下の三次元形状を精度よく加工できるシリコン基板加工方法を提供する。この加工方法を用いて加工された光学素子用金型及び光学素子用金型母型、更に光学素子用金型により加工された光学素子及び回折格子を提供する。
【解決手段】 このシリコン基板加工方法は、シリコン基板上にレジストを塗布し、レジストを三次元形状に形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングによりシリコン基板を加工しシリコン基板の表面に三次元形状を形成し、ドライエッチングの終点をレジストマスクの消失の程度に基づいて決める。 （もっと読む）