【課題】洗浄後にパーティクルが発生する虞がなく、短時間かつ低コストでの構成部材の洗浄を可能とする。
【解決手段】成膜装置の処理雰囲気に設置された成膜装置の構成部材の表面から付着物を除去するための洗浄方法であって、上記付着物と上記構成部材との密着力を低減させるプラズマエッチング処理と、上記プラズマエッチング処理によって上記構成部材との密着力が低減した上記付着物を水にて洗い流す水洗処理とを有する。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマをワークに供給し得るプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下側開口１０１と下側開口１０１に連通するプラズマＰを生成するプラズマ生成空間１０２とを備え、プラズマ生成空間１０２においてプラズマＰを生成し、生成されたプラズマＰを下側開口１０１からワークＷの被処理面に向けて放出するヘッド１０と、ヘッド１０のプラズマ生成空間１０２内にプラズマＰを生成するためのガスＧを供給するガス供給手段５と、プラズマ生成空間１０２内に供給されたガスＧに対してプラズマＰを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段３とを有し、ヘッド１０は、下側開口１０１に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極１１と、この凹部の内周面１１１に対応する形状の外周面１２１を備え、内周面１１１と外周面１２１との間にプラズマ生成空間１０２を画成する第２の電極１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の表裏両面の記録層に凹凸パターンを効率良く形成する。
【解決手段】被エッチング基板を保持する凹部と該凹部真下に形成された貫通孔とを備えた絶縁体部材と、当該貫通孔に係合する凸部を備えた導電体部材とを備え、前記凹部に前記被エッチング基板が載置された状態で前記凸部表面と該基板底面との間に隙間部が形成されており、該隙間部の厚さが０.０５ｍｍ以上１ｍｍ以下、かつ、該絶縁体部材の厚さが１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であることを特徴とする基板ホルダを用い処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表面に反射率調整膜を有する転写パターン用の薄膜を低欠陥で形成でき、パターン転写時の露光光源、あるいはマスクのパターン検査に用いられる１９０〜３００ｎｍ程度の短波長域における薄膜の表面反射率を低減させるとともに、欠陥が低減されるマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを作用させることにより反射率調整膜を形成する。オゾンガスの濃度は例えば８０体積％以上の高濃度である。 （もっと読む）

【課題】ワークに対して効率よくエッチング加工を行うことができ、かつ小型で安価なプラズマ処理装置、および、効率よくエッチング加工を行うことができるプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、大気圧（常圧）プラズマを用いたプラズマ処理装置であって、処理チャンバー２と、処理チャンバー２内に設けられ、基板（ワーク）１０を支持する支持手段３と、火炎Ｆ中に処理ガスを導入することにより処理ガス（エッチングガス）をプラズマ化し、このプラズマを基板１０に向けて供給するプラズマ供給手段４と、処理チャンバー２内を排気する排気手段５とを有する。このプラズマ処理装置１では、基板１０に向けて供給されたプラズマ中の活性化原子（ラジカル）と基板１０とが反応し、この反応物を基板１０から脱離させることにより、基板１０に対してエッチング加工を施すことができる。 （もっと読む）

【課題】大口径ウエハーに対しても均一なプラズマ処理を行うことができ、かつＩＣＰコイルが配設される天板の内壁面への反応生成物の付着を防止し、パーティクルの発生を防止できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ＩＣＰコイルを構成する複数のコイル３１、３２、３３が、ウエハー２１加工面と対向する位置に設けられたチャンバー１１の天板３０に配設されている。複数のコイル３１、３２、３３の間には、隣接するコイル間で各コイルが生成する電磁界の相互干渉を軽減する空間３７、３８、３９が設けられている。空間３７、３８、３９に対応する天板３０の外壁には、天板３０を介してチャンバー１１内のプラズマと容量結合するファラデーシールド電極１４、１５、１６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面が曲面の場合に適合しうるガスクラスターイオンビームを用いた超精密研磨方法及び装置の提供。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム照射により被加工物表面を研磨する際に、被加工物の表面形状の目標表面形状からの誤差を計測する第一計測工程と、第二の加工物の表面にガスクラスターイオンビームを照射して第二加工物の表面に形成された加工痕を計測する第二計測工程と、第二加工物を対象に計測して得た加工痕データを基に、被加工物の目標表面形状における各表面位置の曲率に順ずる加工痕データを生成する第一計算工程と、上記生成した加工痕データを基礎データにして、上記誤差分の固体物質を除去するガスクラスターイオンビームの照射ドーズ量分布を求める第二計算工程と、上記照射ドーズ量分布に従って上記ガスクラスターイオンビームを上記被加工物表面に照射して該被加工物表面の研磨を行う研磨工程からなる方法及び研磨装置。 （もっと読む）

【課題】高融点金属膜の下地膜の荒れの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体を提供する。
【解決手段】被処理基板１０の高融点金属膜１０２を、マスク層１０３を介してプラズマエッチングする方法であって、グレインのエッチング速度よりグレイン境界部のエッチング速度が速いプラズマエッチングを行う第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程より絶縁膜に対する高融点金属膜の選択比が高いプラズマエッチングを行う第２のエッチング工程とを具備し、グレイン境界部の絶縁膜１０１が露出する前に、第１のエッチング工程から第２のエッチング工程に切り換える。 （もっと読む）

【課題】エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング面の平坦性が2nm以下であり、かつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあり、10μm以上の高さを有するダイヤモンド構造体及びダイヤモンド上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、酸素ガスを含む雰囲気でプラズマエッチングを行い、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス又は塩素系ガスを加えて、平坦化プラズマエッチングを行うダイヤモンドエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング対象膜、特にシリコン含有膜上に形成されたタングステン含有膜を、高温にすることなく、良好な形状性および下地に対する高い選択比を確保しつつエッチングすること。
【解決手段】下地膜上にエッチング対象膜が形成された被処理体を収容する処理容器１と、処理容器１内に主エッチングガスと窒素含有ガスとを導入するガス導入機構５１と、処理容器１内にプラズマを生成するプラズマ生成機構３９，３１と処理容器１内に形成されたプラズマの発光スペクトルを検出する発光スペクトル検出機構７０，７１と、プラズマの発光スペクトルから求められるＮ_２^＋の強度とＮ_２の強度との比Ｎ_２^＋／Ｎ_２が０．６以上となるようにプラズマ生成条件を設定する制御部７７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上のプラズマの状態を容易に所望の状態に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は処理空間Ｓに突出する先端が半球状の処理ガス導入ノズル３８を備え、該処理ガス導入ノズル３８は外側構造部５２と該外側構造部５２に内包される内側構造部５３とから成り、外側構造部５２は該外側構造部５２の先端における半球の中心から放射状に配置されている複数の処理ガス導入孔５６を有する。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと炭化水素分子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】タングステンと炭素とを含む物質にドライエッチングにより微小凹凸を形成する場合に垂直断面形状又は順テーパ断面形状を実現する。また、タングステンと炭素とを含む物質の表面に垂直断面形状又は順テーパ断面形状の微小凹凸を備えたモールドを提供する。
【解決手段】タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスとＣＮ結合及び水素原子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。
【解決手段】５％から１０％までの少量の窒素がＢＣｌ_３を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。 （もっと読む）

作業面を有する研磨用成形体の該作業面を処理する方法。該作業面に隣接する領域から、触媒性材料と異質のあらゆる金属マトリックス材料とを除去するために、該研磨用成形体の該作業面又は該作業面に隣接する領域を、好ましくは８００℃以下の温度で、ハロゲンガス又はハロゲン化物イオンの源を含有するガス環境と接触させる。 （もっと読む）

基材の少なくとも一部の表面を処理するための装置及び方法がここに記載される。一の実施態様において、該装置は、内部容積部、該基材、及び排気マニホールドを含むプロセスチャンバー；一以上のエネルギー源によって一以上の反応性ガス及び随意的に追加的なガスを含むプロセスガスが活性化されて、活性化反応性ガスを提供する活性化反応性ガス供給源；及び該供給源及び該内部容積部と流体で連通している分配導管を有し：該分配導管は該活性化反応性ガスを該内部容積部及び直接的に該基材に導く複数の開口部を含み、ここで該活性化反応性ガスは該表面と接触し、使用済みの活性化反応性ガス及び／又は揮発性生成物をもたらし、これらは該排気マニホールドを通じて該内部容積部から引き出される装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）

【課題】 ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。真空容器１２内の一方の電極２４側に設けられた被エッチング材料３０をプラズマによりドライエッチングする。被エッチング材料３０はポリマー材料とし、酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスのプロセス圧力を、０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件で、プラズマ処理装置１０の電極間に高周波の電力を印加してエッチングを行い、ポリマー材料に平滑加工面を形成する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】 反応処理室１５内で、ＣＦ基を有する堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、堆積性のガス２６のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程と、この工程の後に、反応処理室１５内で、エッチングガス２４のプラズマと被加工物１７のエッチング領域とが接触する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ，Ｃｒ、Ｔｉ等の金属元素を含有した金属含有ＤＬＣ膜と称される硬質炭素系膜の除去方法において、機械装置の簡略化が可能であり、且つ金属含有ＤＬＣ膜の除去に要する時間も短い金属元素含有ＤＬＣ膜の除去方法を提供する。
【解決手段】材上に形成された金属元素を含有する硬質炭素系膜に対し、プラズマ中でイオン化若しくはラジカル化した際にフッ素イオン若しくはフッ素ラジカルを生じさせるガスを用い、そのガスから形成されたプラズマ中に該硬質炭素膜を暴露することを特徴とする硬質炭素膜の除去方法による。 （もっと読む）