銅またはニッケルあるいはそれらの合金もしくは真鍮等その他の金属との合金によって形成あるいはメッキされた電子構成部品の処理方法であり：構成部品を処理室内に配置し；この処理室を減圧し；処理室内に酸素を導入し；反応室内の圧力を１０^−１ないし５０ｍｂａｒに保持するとともに約１ＭＨｚ超の周波数を有する高周波発生器によって反応室内にプラズマを励起し；酸素イオン基を構成部品に作用させ、この際構成部品表面に対するイオン基の流れはｍ^２当たりおよび１秒当たり約１０^２１超のイオン基とし；反応室の排出を行い；処理室内に水素を導入し；反応室内の圧力を１０^−１ないし５０ｍｂａｒに保持するとともに約１ＭＨｚ超の周波数を有する高周波発生器によって反応室内にプラズマを励起し；水素イオン基を構成部品に作用させ、この際構成部品表面に対するイオン基の流れはｍ^２当たりおよび１秒当たり約１０^２１超のイオン基とする、各ステップからなる。
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【課題】 比較的大面積の被加工物の表面に存在する突起を効率良く除去して形状創成を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】 成形型等の被加工物の形状を実測するとともに（工程Ｓ１）、異形アパーチャの形状と除去形状の関係の実験データを取得する（工程Ｓ２）。そして、目標形状と実測形状の差分から必要除去量を設定し（工程Ｓ３）、工程Ｓ２の実験データと工程Ｓ３で得られた必要除去量に基づいて、加工に必要な照射時間を演算して（工程Ｓ４）、異形アパーチャを用いてガスクラスターイオンビーム加工を開始し（工程Ｓ５）、必要に応じて異形アパーチャを交換しながら（工程Ｓ６）ガスクラスターイオンビームを照射して被加工物における形状創成を行う（工程Ｓ７）。 （もっと読む）

【課題】主磁極を所望の形状とできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】ギャップ層９上の主磁極１０におけるエアベアリング面側の露出面がテーパ形状をなす記録ヘッド部１００Ｂを備えた薄膜磁気ヘッド１００の製造方法において、ギャップ層上に主磁極層を形成する主磁極層形成工程、主磁極層上にマスクを形成する工程、エッチングガスを流入してマスクにて主磁極層をエッチングして主磁極前駆体を形成する主磁極前駆体形成工程、主磁極前駆体をエッチングして主磁極を形成する工程を含み、主磁極層形成工程で、主磁極層を、複数のＦｅＣｏ層とこの間に設けられるＲｕ層とを含む多層膜で構成し、主磁極前駆体形成工程でエッチングガスを、Ｃｌ_２とＢＣｌ_３とＯ_２との混合ガスとし、エッチングガス中のＣｌ_２およびＢＣｌ_３の合計流量比率を９１．５〜９６体積％とし、且つ主磁極層の温度を１８０〜２００℃とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット等の被加工物を切断するための、破断しにくいプラズマ電極
【解決手段】プラズマ加工装置１００の反応室１０１内で、ＳＦ₆存在下でリボン状電極１０と被加工物であるシリコンインゴット２０との間に高周波を印加してフッ素ラジカルを発生させる。シリコンインゴット２０は厚さ２０μｍ以下のリボン状電極１０の側辺１０ａ付近に発生したフッ素ラジカルにより徐々にエッチングされる。昇降台４０によりシリコンインゴット２０を徐々に上方向に移動させることでシリコンインゴット２０は５０μｍ以下のカーフロスで切断され、ウエハを得る。リボン状電極１０を、ロール３１及び３２で把持し、当該ロール３１及び３２を同方向に回転させて、リボン状電極１０を図面左から右へ走行させて、リボン状電極１０の損耗を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを簡単な構成で所望の箇所に発生し所望の箇所に表面処理ができる表面処理方法、表面処理装置、パターン形成用基板、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】 接地された載置台３２に載置されたガラス基板２の上にパターン形成部材３３を配置する。パターン形成部材３３の絶縁基板３４の下面３４ａにパターン電極膜３６が形成されている。パターン電極膜３６は、ガラス基板２に形成されたバンクによって区画されたそれぞれ対応する凹部に相対向するように形成されている。パターン形成部材３３の上側の高周波印加電極４０に高周波電圧を印加すると、絶縁基板３４と基板との間の空間Ｓ２に酸素プラズマＰ２が発生する。酸素プラズマＰ２は、絶縁基板３４のパターン電極膜３６が形成されている部分に発生する。パターン電極膜３６が形成されていない部分は、酸素プラズマＰ２が発生しない。 （もっと読む）

表面上の不透明クロム被膜が乾式エッチングされて開口部を形成した基板において、開口部内のクロムは検出可能限界未満である。基板上に不透明クロム被膜を形成する方法は、不透明クロム被膜の最初の厚さ部分を、イオン・アシストを伴わずにまたは検出不能のイオン・アシストを伴って基板上に堆積させ、不透明クロム被膜の残りの部分は、イオン・アシストを伴って、または伴わずに形成する。一つの実施例においては、光透過性を有する基板と、基板上に開口部を画成する不透明クロム被膜とを有する、開口部を備えた光学素子に関する。３層のクロム／酸化クロム／クロム被膜を含む、種々の材料からなる３層または４層の不透明被膜が開示されている。
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【課題】 被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。
【解決手段】 ソース部１は、中性ビームであるガスクラスターイオンビーム１０を生成する。タングステンフィラメント６は、ガスクラスターイオンビーム１０をイオン化させて自由曲面成形型１２の表面に向かって照射させる。Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が反って湾曲している場合でも、被処理物と処理ヘッドとが接触することがなく処理することができ、表面処理が均一に、しかも短時間で行える。
【解決手段】 処理ヘッドであるノズルヘッド１から吹き出した処理ガスを被処理物であるワークＷの表面に接触させて表面処理するプラズマ処理装置Ｍは、ワークＷを平坦な状態にする平坦化手段として、ローラ２９，２９を備え、処理ガス源２から供給された処理ガスを電源４からパルス状電圧が印加された電極２３，２４間に通してプラズマ化し、平坦な状態にされたワークの表面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】 従来技術による金属ゲート電極形成ではシリコン基板が大口径化した場合、ウェハ面内、及び疎密間での寸法及び形状のばらつきが大きくなるという課題があった。
【解決手段】 本発明は、タングステンゲートエッチングにおいて、寸法のウェハ面内均一性に優れた電極形成可能とした半導体装置の製法であって、具体的には、シリコン基板１０１にゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜１０２、高誘電体膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）１０３、ゲート電極材料としてタングステン膜１０４、マスク膜としてシリコン窒化膜１０５を順に成膜する。反射防止膜１０６を塗布し公知のリソグラフィ技術によりパターンを形成し、この基板を反射防止膜１０６、シリコン窒化膜１０５を一般的な条件でエッチングした後、タングステン膜をシリコン基板の中央と外周のプラズマ密度の比を３〜４：１の条件で残膜が３〜５ｎｍになるまでエッチングを行い、最後に残りのタングステン膜をプラズマ密度の比が中央：外周＝１：１の条件でエッチングを行うこと方法である。 （もっと読む）

【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。
【解決手段】 フォトマスク基板１１の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系ドライエッチング）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系ドライエッチング）およびフッ素系ドライエッチング（Ｆ系ドライエッチング）でエッチングが可能な金属膜が遮光層１２として備えられている。そしてこの遮光層１２の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）あるいはフッ素系ドライエッチング（Ｆ系）の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層１３として備えられている。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気内から反応生成物を確実に除去することが可能な、白金およびマンガンを含む金属膜のエッチング方法およびこれを用いた磁気記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電流磁界による磁化反転を利用して情報を記憶するもので、磁化固定層１４ａと磁化自由層１４ｃとでトンネル絶縁層１４ｂを挟持してなるＴＭＲ素子１４と、磁化固定層１４ａの磁化の方向を固定する反強磁性体層１３と、磁化自由層１４ｃに接続された配線層とを備えた磁気記憶装置の反強磁性体層１３をドライエッチングによりパターンニングする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法であって、反強磁性体層１３は、白金およびマンガンを含む金属膜からなり、反強磁性体層１３のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ハロゲンと水素と窒素とを含むことを特徴とする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板に対してダメージを与えることなく、エッチング後の基板上の金属配線から短時間で効率的に塩素を除去する。
【解決手段】 基板１２上の金属層４２に残留するＣｌ成分を除去するためのプラズマ処理方法である。基板１２を真空容器１６内に配置する。次に、真空容器１６内に水蒸気又は水素含有ガスを導入すると共に、基板１２を少なくとも室温よりも高温に加熱した状態で予め定められた第１の時間Ｔ１保持する。さらに、真空容器１２内に酸素含有ガス又は酸素含有ガスとフッ素含有ガスの混合ガスを導入し、真空容器１２内でプラズマを発生させた状態で予め定められた第２の時間Ｔ２保持する。 （もっと読む）

【課題】被エッチング層を所望の凹凸パターンの形状に高精度で加工できるドライエッチング方法、これを利用した磁気記録媒体の製造方法及び記録層が凹凸パターンで形成され、良好な磁気特性が確実に得られる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板の上に記録層（被エッチング層）、主マスク層、副マスク層をこの順で形成して副マスク層を所定の凹凸パターンに加工し（Ｓ１０６）、次に酸素又はオゾンを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部の主マスク層を除去し（Ｓ１０８）、更にドライエッチングにより凹部の記録層を除去して前記凹凸パターンの形状に加工する（Ｓ１１０）。主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 マスキングにコストが嵩まず、処理時間を多大に費やさないプラズマエッチング法によって部分的にＤＬＣ被膜を除去するＤＬＣ被膜除去方法を提供する。
【解決手段】 略円柱の被加工物１０に、その長さ以上の長さを有し、被加工物１０の直径よりも大きい内径の円筒であるマスキング部材３０を、被加工物１０がすっかり覆われるように挿入してチャンバー内のカソード３に載置する。被加工物１０の外側面とマスキング部材３０の内面との間のマスククリアランス５０が１ｍｍ以下となるようなマスキング部材３０を使用する。マスキング部材３０の側面には略ひし形の開口部３１が複数設けられており、開口部３１で開放されている部分がエッチングされる。チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の表面にミクロンサイズ以下の三次元形状を精度よく加工できるシリコン基板加工方法を提供する。この加工方法を用いて加工された光学素子用金型及び光学素子用金型母型、更に光学素子用金型により加工された光学素子及び回折格子を提供する。
【解決手段】 このシリコン基板加工方法は、シリコン基板上にレジストを塗布し、レジストを三次元形状に形成し、レジストをマスクとしてドライエッチングによりシリコン基板を加工しシリコン基板の表面に三次元形状を形成し、ドライエッチングの終点をレジストマスクの消失の程度に基づいて決める。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板処理のシステムおよび方法には、プラズマ室に基板を装填しプラズマ室の圧力を所定の圧力設定値に設定することが含まれる。プラズマ領域を構成するいくつかの内面が約２００℃以上の処理温度に加熱される。プラズマを形成するために処理ガスがプラズマ領域に注入され、基板が処理される。 （もっと読む）

【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）