【課題】基板の裏面に凹部を有する場合においても、ドライエッチング加工における面内のエッチングレートを制御し、パターン精度に優れたテンプレートの製造装置及びテンプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、真空容器と、電極と、調整体と、を含むテンプレートの製造装置が提供される。前記真空容器は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。前記真空容器は、反応性ガスの導入口と排気口とを有する。前記電極は、前記真空容器の内部に設けられ、高周波電圧が印加される。前記調整体は、絶縁体を主成分とする。前記調整体は、前記電極の上に載置される基板の前記電極の側の面に設けられた凹部に挿入される。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部１およびフィラメント６で生成されたガスクラスターイオンビーム８を加速電極７で加速して被加工物９に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、加速電極７の出射口と被加工物９との間に荷電粒子レンズ１１を配置し、この荷電粒子レンズ１１に設けられ、ガスクラスターイオンビーム８が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ１１と被加工物９との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ１１の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム８を選択的に被加工物９に照射して、被加工物９を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の被処理物を同時にエッチングすることができ、且つ各被処理物の面内を均一にエッチングすることができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子を照射する荷電粒子発生部（イオン源室１０）と、該荷電粒子が照射される複数の被処理物（処理基板１００）を支持して回転する回転ステージ３０と、荷電粒子発生部と回転ステージとの間に設けられて荷電粒子発生部から照射される荷電粒子を遮蔽する遮蔽板４０とを具備し、遮蔽板を回動させて前記荷電粒子に対する前記遮蔽板４０の射影の大きさを調整することにより荷電粒子発生部から被処理物に照射される荷電粒子の面内照射量を調整する。 （もっと読む）

【課題】像ブレを防止できる簡単な構造、小型のイオンエッチング装置を提供する。
【解決手段】イオンエッチング装置１は、プラズマ生成室１０と、エッチング室２０と、プラズマ生成室１０からエッチング室２０へイオンビーム１００を引き出すための小孔４１の集合体からなる引出し電極領域４２を有するグリッド４０と、イオンビーム１００が通過するビームホール８１を有し、被加工対象物としての水晶ウエハ６０とグリッド４０との間に配設される遮蔽板８０と、を備えている。グリッド４０と水晶ウエハ６０との距離をＡとし、遮蔽板８０と水晶ウエハ６０との距離をＢとしたとき、距離Ａと距離Ｂとが、１．４３≦Ａ／Ｂ≦１．７０で示される関係にある。引出し電極領域４２の直径をＤｓとし、ビームホール８１の直径をＤとしたとき、前記ＤｓとＤとが、０．８Ｄｓ≦Ｄ≦１．２Ｄｓで表される範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】 引き出し電極の熱による変形を抑制できるイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るイオンビームエッチング方法は、引き出し電極Ｅを不活性ガスにより冷却する冷却工程Ｓ５２と、引き出し電極Ｅによって引き出されたイオンビームＩＢを用いて基板Ｗをエッチングするエッチング工程Ｓ５４とを含む。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の表面処理装置は、表面処理が施される被処理基板を基板ホルダにより一体的に保持した後に表面処理を行う表面処理装置において、上記基板ホルダに給電可能な突出部が設けられていることを特徴とする。かかる構成とすることによって、基板ホルダを介して被処理基板から外方に離間した位置で給電することが可能となる。それにより、プラズマ生成領域の外で給電出来る。また、被処理基板に給電痕を残さずに該基板の両面をプラズマ処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 比較的大面積の被加工物の表面に存在する突起を効率良く除去して形状創成を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】 成形型等の被加工物の形状を実測するとともに（工程Ｓ１）、異形アパーチャの形状と除去形状の関係の実験データを取得する（工程Ｓ２）。そして、目標形状と実測形状の差分から必要除去量を設定し（工程Ｓ３）、工程Ｓ２の実験データと工程Ｓ３で得られた必要除去量に基づいて、加工に必要な照射時間を演算して（工程Ｓ４）、異形アパーチャを用いてガスクラスターイオンビーム加工を開始し（工程Ｓ５）、必要に応じて異形アパーチャを交換しながら（工程Ｓ６）ガスクラスターイオンビームを照射して被加工物における形状創成を行う（工程Ｓ７）。 （もっと読む）

イオンビームエッチングにより生じるパーティクルが製品の特性に悪影響を与えるおそれのない信頼性の高い電子部品の周波数調整装置及び該周波数調整装置を用いた電子部品の周波数調整方法を提供する。 イオンビーム電流（イオン又は電子）を検知する制御コレクタ４の、少なくともイオンビームが照射される部分を無機絶縁体１２から構成する。 制御コレクタ４の、イオンビーム５が照射されない部分の少なくとも一部を導電体１３から構成する。
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【課題】フォトマスク製作に適したモリブデンエッチングプロセスの改良を行う。
【解決手段】フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】他の部位にダメージを与える事なくプラズマ洗浄を実施できるとともに、設計変更や多品種少量生産に容易に対応する事が可能なプラズマ洗浄装置及び方法を提供すること。
【解決手段】開口部１３が設けられたマスク１０をアクチュエータ１６により移動可能としておく。この状態でマスク１０の開口部を部品４に設けられた金属接合部上に位置決めし、プラズマコントローラ１７により第２電極７からと第１電極６に向けてプラズマイオンを照射する。これにより開口部１３を介して金属接合部にプラズマイオンが照射される。別の金属接合部にプラズマイオンを照射する場合には、マスクコントローラ１８によりアクチュエータ１６を制御してマスク１０を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。
【解決手段】 ソース部１は、中性ビームであるガスクラスターイオンビーム１０を生成する。タングステンフィラメント６は、ガスクラスターイオンビーム１０をイオン化させて自由曲面成形型１２の表面に向かって照射させる。Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。
【解決手段】
フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。イオン−ラジカル用シールドは、そのペデスタル上に配置される。基板は、イオン−ラジカル用シールドの下のペデスタル上に置かれる。処理ガスは、処理チャンバ内に導入され、プラズマが処理ガスから形成される。基板は、シールドを通過するラジカルを用いて主にエッチングされる。 （もっと読む）

本発明によれば、基板（４）のコーティングした面に向けられたプラズマの助けによって、コーティング、特に金属含有コーティングを備える基板（４）の一部の範囲、特に周辺ゾーン（１１）で層を除去する。プラズマヘッド（１０）を基板（４）に対してしかるべく位置合わせすること、及び／または対応する必要な数のプラズマヘッド（１０）を動作させて、１列の互いに隣接して配置したいくつかのプラズマヘッド（１０）または修正可能な断面を有する１つのプラズマヘッドから、望ましい層除去幅でプラズマを基板に向けることによって、層を除去するゾーン（１１）の幅を調整すればよい。層の厚さ全体にわたるコーティングを部分的にだけ除去することも可能である。
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【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）