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Fターム[4K057WJ10]の内容

Fターム[4K057WJ10]に分類される特許

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【課題】金属膜のウェットエッチングの終点を的確に検出できる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、基板上に、少なくとも第1の金属材料よりなる第1の金属層を介して、前記第1の金属材料とは異なる第2の金属材料よりなる第2の金属層を形成する工程と、前記第2の金属層上に第3の金属材料よりなる金属配線パタ―ンを形成する工程と、前記金属配線パタ―ンの形成工程の後、エッチング液中におけるウェットエッチングにより前記第2の金属層をエッチングし、前記第2の金属層を前記第1の金属層に対して選択的に除去するエッチング工程と、を含み、前記ウェットエッチング工程は、前記エッチング液中における前記第2の金属層の浸漬電位の時間変化を測定する工程を含み、前記浸漬電位がいったん降下した後上昇に転じ、その後さらに前記浸漬電位の時間変化率が減少したのが検出された場合に、前記ウェットエッチング工程を終了する。 (もっと読む)


【課題】エッチング量を安定させ、被処理面を再現性よくエッチングできる、エッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、表面に形成された凹凸形状によって防眩効果を奏する製品を成形する金型用の基材107をエッチングするエッチング装置であって、基材107の被処理面107aとエッチング液122とを接触させる反応槽120と、被処理面107aに向けて投光する投光ファイバ11と、被処理面107aからの反射光を受光する受光ファイバ12f,12gと、受光ファイバ12f,12gが受光する光の強度を検出する検出部20とを備える。 (もっと読む)


【課題】成膜装置用部品に形成された付着膜を、より効率よく除去することができる付着膜除去方法を提供する。
【解決手段】成膜装置用部品の付着膜除去方法は、成膜装置用部品に、水で処理することにより溶解または軟化プレコート層を形成する成層工程;前記プレコート層上に形成された付着膜5に水を噴射し、前記付着膜の少なくとも一部2を切除する切除工程;および、前記付着膜が切除された成膜装置用部品を水へと浸漬させる除去工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】CMPのスループットを上昇させることや、メンテナンスコストの上昇を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁膜にコンタクトホール32を形成する工程と、キャップSiO膜16にバリアメタル層21およびタングステン層22を堆積する工程と、バリアメタル層21およびタングステン層22の残膜値RTが所定値以上となるように、タングステン層22の上層部をウェットエッチングにより除去する工程と、キャップSiO膜16の表面に残存するタングステン層22をタングステンCMPにより除去する工程とを備える。CMPに先立ってウェットエッチングを行うことにより、CMPでの必要研磨量を減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、プラズマ処理によって樹脂層を大きく損傷して除去する従来の表面処理方法の課題を解決する。
【解決手段】樹脂層から露出する金属被膜の露出面に付着した樹脂異物を、前記樹脂層を実質的に損傷することなく粗化できるように、前記樹脂異物を含む金属被膜の露出面にプラズマ処理を施した後、前記金属被膜の露出面の全面に、ノズルからエッチング液を噴射するスプレー式エッチングによってエッチングを施しつつ、前記樹脂異物を除去する。 (もっと読む)


【課題】銅を侵食(アタック)することなく、無電解めっきなどの触媒核として利用されたパラジウムのみを選択的に除去することができ、且つ使用安定性に優れたパラジウム除去液を提供する。
【解決手段】a)酸、b)脂肪族または芳香族スルホン酸塩、または、スルホ基以外に硫黄原子を含まないスルホン酸以外の化合物、c)亜硝酸イオン、d)ハロゲンイオンを含み、b)とc)のモル比が0.1:1〜1:1、酸の濃度が、H+濃度として0.001質量%以上0.7質量%以下、亜硝酸イオンの濃度が0.0001〜10質量%の範囲、前記ハロゲンイオンの濃度が0.03〜30質量%の範囲、であるパラジウム除去液。 (もっと読む)


【課題】検知精度を低下させることなく、処理液による処理を均一化させることを目的とする。
【解決手段】基板処理装置1に、処理液を吐出空間22に向けて吐出する吐出機構2と、断面形状が帯状のレーザ光を照射する投光部3と、投光部3から照射されたレーザ光を受光する受光部4と、制御部5とを設ける。投光部3が吐出空間22外に配置されるように、投光部3を吐出空間22よりも上方に設置し、吐出機構2の上方からガラス基板9に向けてレーザ光を照射する。制御部5は、受光部4から出力される受光量に基づいて、受光量が所定の閾値よりも増加した時点で、エッチング処理が終了したと判定する。 (もっと読む)


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