【課題】大掛かりな設備を必要とすることなく、電解を繰り返しても析出銅中のＳ含有量０．０１ｐｐｍ以下を満足できる高純度電気銅の電解精製方法を提供する。
【解決手段】硝酸銅溶液からなる電解液を用いた高純度電気銅の電解精製方法において、
（ａ）前記電解液中のイオウ（Ｓ）含有量を２０ｐｐｍ以下に調整し、
（ｂ）添加剤としてポリエチレングリコール（ＰＥＧ）およびポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加し、
（ｃ）塩素イオンを添加し、
電解を行うことにより、前記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂ−ｆｒｅｅ廃はんだから、効率的かつ経済的に高収率で、高純度のスズまたは銀を回収する方法を提供する。
【解決手段】１）スズ、銀またはこれらの混合物を含むＰｂ−ｆｒｅｅ廃はんだから陽極を製造する段階と、２）塩化物イオンを含む電解液内で、１）から製造された陽極及び陰極に電流を印加する段階と、３）前記印加された電流によって開始された反応に応じて、陽極表面に銀が濃縮された陽極スライムを形成させ、陰極にスズを電着させる段階と、４）銀が濃縮された陽極スライムを化学的に溶解した後、固液分離を行い、残渣である銀及び濾過液から抽出された銀粉末で粗銀陽極を製造し、硝酸銀電解液内で銀を電解精錬する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造等に使用する、α線量を低減させた銀又は銀を含有する合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解・鋳造した後の試料のα線量が０．００２ｃｐｈ／ｃｍ^２以下である銀。純度３Ｎレベルの原料銀を硝酸又は硫酸で浸出した後、Ａｇ濃度７００ｇ／Ｌ以下の電解液を用いて電解精製することにより製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】高密度化及び高容量化が必要な半導体装置で使用されるはんだ材料に対し、α線の少ない高純度錫または錫合金若しくは高純度錫の製造方法の提供。
【解決手段】U、Thのそれぞれの含有量が5ppb以下、Pb、Biのそれぞれの含有量が1ppm以下であり、純度が5N以上（但し、O、C、N、H、S、Pのガス成分を除く）であり、鋳造組織を持つ高純度錫のα線カウント数が0.001cph/cm²以下に低減させた高純度錫又は錫合金である。原料となる錫を酸で浸出させた後、この浸出液を電解液とし、該電解液に不純物の吸着材を懸濁させ、原料Snアノードを用いて電解精製を行う、錫合金及び高純度錫の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、亜鉛及び鉛の硫化濃縮物を金属源として使用する純金属インジウムの新規製造方法を提供する。本方法は酸化亜鉛焼成物の中性浸出残渣からＷａｅｌｚ工程により生成される酸化亜鉛から開始する。亜鉛焼成物の中性浸出の中性アンダーフロー（又は残渣）の弱浸出のオーバーフロー（又は上澄み）もまた、より低い割合でインジウムを含有し、インジウム回収のグローバルな工程の一部となり得るか、又はなり得ない。新たな技術は、下記の段階：ａ）インジウム前濃縮物の生成；ｂ）還元浸出において得られるインジウムセメント生成物の少なくとも１回の弱浸出及び少なくとも１回の強浸出を備える、インジウムセメントの生成；ｃ）インジウム溶液の生成；ｄ）有機溶媒によるインジウムの抽出；ｅ）インジウムのセメンテーション；ｆ）金属の融合、精製、及びインゴット化；ｇ）９９．９９５％を超える高純度の生成物を得るためのインジウムの電解；を備える。 （もっと読む）

【課題】インジウムのロスの抑制および回収されるインジウムの品位の保持、の両者を実現するインジウム含有溶液の処理方法を提供する。
【解決手段】鉛とインジウムとを含有する溶液へ活性炭を添加し鉛を吸着させる工程と、当該溶液中へ、当該溶液中に残留する鉛を硫化するに足る量の硫化剤を添加し、当該残留する鉛を硫化物として除去する工程と、当該鉛の硫化物を除去した溶液からインジウムを採取する工程と、を有するインジウム含有溶液の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 銅精練工程から回収した銅・ひ素・鉄・亜鉛・コバルトなどの不純物を少量ずつ含む粗製硫酸ニッケルから、効率的に不純物を除き高品位の電気ニッケルを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少量の銅、ひ素、鉄、亜鉛、コバルトを重金属不純物として含む粗製硫酸ニッケルを原料として、
これを溶解した液を硫化して銅とひ素の一部を除き、
空気酸化した後に、中和して鉄と残りのひ素を、
有機リン酸エステル類を抽出剤として亜鉛を、
酸化ニッケル(ＩＩＩ)を用いてコバルトを酸化しpHを調節してコバルトを沈殿させて除き、
液中の不純物濃度を0.1mg/L未満まで低下させた液から中和により回収したニッケル原料を硫酸溶液とし、
これを電解して品位99.99%以上の金属ニッケルを製造する粗製硫酸ニッケルからの金属ニッケル製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯターゲット屑等のインジウム含有物から、簡単な工程で高純度インジウムを回収できる方法を提案する。
【解決手段】インジウム含有物を塩酸で溶解し、この溶解液にアルカリを加えてｐＨが０.５〜４の範囲内の所定の値になるように中和し、溶解液中の所定の金属イオンを水酸化物として析出させて除去し、次いで、これに硫化水素ガスを吹き込み、次工程の電解に有害な金属イオンを硫化物として析出除去した後、この溶解液を電解元液としてインジウムメタルを電解採取する。この方法によって、ＩＴＯターゲット屑から純度９９.９９９％以上のインジウムを回収できる。 （もっと読む）

【解決課題】不純物の少ない電解液を調製することによって高純度の金属マンガンを得ることができる電解採取方法と、その高純度金属マンガンを提供する。
【手段】金属マンガンを塩酸に過剰に溶解して未溶解物を濾過した溶解液に、酸化剤を添加すると共に中和し、生成した沈殿物を濾過し、緩衝剤を添加して調製した電解液を用いることを特徴とする金属マンガンの電解採取方法であり、好ましくは、金属マンガンの塩酸溶解液にさらに金属マンガンを追加し、未溶解物を濾過した溶解液に過酸化水素とアンモニア水を添加し、弱酸性ないし中性の液性下で生成した沈殿物を濾過し、緩衝剤を添加して調製した電解液を用いて金属マンガンの電解採取を行う方法。 （もっと読む）

【課題】不純物が多く含有されるニッケル原料から、ニッケル含有溶液を用いて電解精製する簡便な方法に関し、純度５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）以上の高純度ニッケルを効率的に製造する技術を提供する。
【解決手段】電解液としてニッケル含有溶液を用いて電解する際に、アノライトをｐＨ２〜５に調整し、アノライトに含有されている鉄、コバルト、銅等の不純物を、酸化剤７を入れて該不純物を水酸化物として沈殿除去するか、若しくは予備電解により該不純物を除去するか、又はＮｉ箔を入れて置換反応により該不純物を除去するかの、いずれか１又は２以上の方法を組合せることにより不純物を除去した後、さらにフィルター８を使用して不純物を除去し、除去後の液をカソライトとして使用し電解する。 （もっと読む）

本発明は、ナノメートル結晶金属材料、特に、超高強度及び導電率を有するナノ双晶銅材料ならびにその製造方法である。電着法を使用することによって高純度多結晶Ｃｕ材料を製造する。微細構造は、実質的に等軸晶のサブミクロンサイズの粒径３００〜１０００nmのオーダである結晶粒からなる。結晶粒の中には、異なる方位の双晶層の高密度構造が存在し、同じ方位の双晶層が互いに対して平行であり、双晶層の厚さは数ナノメートルから１００nmまでであり、その長さは１００〜５００nmである。関連技術と比較して、本発明は性質が優れている。周囲温度下で加工されると、材料は、９００MPaまでの降伏強さ及び１０８６MPaまでの破断強さを有する。この超高強度は、多くの他の方法では、同じ銅材料によって実現することはできない。同時に、導電率が優れ、従来の粗結晶銅材料の導電率とほぼ同じであり、周囲温度下での抵抗は、９６％ＩＡＣＳに等しい１．７５±０．０２×１０^-8Ω・mである。
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高純度ニッケルを生成する方法であって、塩酸溶液体系を用いて高純度ニッケルを電着生成する方法に関し、その生成工程は、以下の順であることを特徴とする。塩酸体系を用いて、３Ｎ電解ニッケルをアノードとして、ｐＨが１〜３であるＮｉＣｌ₂溶液を電気溶解によって生成し、陰イオン抽出剤を用いて電気溶解溶液に三段の向流抽出を行い、逆抽出後の溶液を脱油した後、順に陰イオン交換樹脂に通してイオン交換浄化を行い、最後に電解槽に通して電着を行い、かつ、通すイオン交換浄化後の溶液量と抽出した電着後の液は同量であり、電着によって高純度ニッケルを得る。本発明の方法で生成された高純度ニッケルのサンプルはグロー放電質量分析法−ＧＤＭＳ分析で、５Ｎの高純度ニッケルに達している。コストが低く生成過程での汚染も防止する。 （もっと読む）

１つのシステム、デバイス及び方法が電解セルを跨いで課される（ｉｍｐｏｓｅｄ）電位を使って給電されるセル給電式（ｃｅｌｌ−ｐｏｗｅｒｅｄ）第１電子デバイスを有する。該電位はこのタスクを達成するために電圧昇圧される。もし該セルに課される電位が不充分ならば、該デバイスは又バッテリー給電されることも可能である。何れにせよ、このデバイスは該電解セル内の１つ以上のセンサーのみならず第２電子デバイスとも通信し、該第１及び第２電子デバイスは無線通信する。特に、該第１電子デバイスはデータ信号を該第２電子デバイスへ無線送信し、それは同じものを受信する。該第１及び第２電子デバイスは相互に物理的に遠隔にあり、それらは、好ましくはスペクトラム拡散技術を使って、私的又は公共のネットワーク上で通信する。加えて、該第２電子デバイスは又該データ信号の更に進んだ処理用にデータ信号をコンピュータへ送信するのが好ましく、これらの配備は、例えば、銅生産時、に使われ得る。
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