【課題】チップサイズの増大を抑制しつつ、絶縁体上に配置された導電型の異なる電界効果型トランジスタ下にフィールドプレートを形成する。
【解決手段】素子分離絶縁層７ａにまたがるように配置されたゲート電極１０ａをゲート絶縁膜８ａ、９ａをそれぞれ介して単結晶半導体層５ａ、６ａ上に形成し、ゲート電極１０ａを挟み込むように配置されたＰ型ソース層１１ａおよびＰ型ドレイン層１２ａを単結晶半導体層５ａに形成し、ゲート電極１０ａを挟み込むように配置されたＮ型ソース層１３ａおよびＮ型ドレイン層１４ａを単結晶半導体層６ａに形成し、ゲート電極１０ａ、素子分離絶縁層７ａおよび絶縁層４ａを貫通して半導体層３ａに接続された埋め込み電極１５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極と窒化物系半導体層とのオーミック特性が熱により劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｐ側オーミック電極６に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｐ型コンタクト層５の主表面に接触して形成されるＳｉ層６ａと、Ｓｉ層６ａ上に形成される約２０ｎｍの厚みを有するＰｄ層６ｂとを含むとともに、ｎ側オーミック電極９に、約１ｎｍの厚みを有するとともにｎ型ＧａＮ基板１の下面に接触して形成されるＳｉ層９ａと、Ｓｉ層９ａの下面上に形成される約６ｎｍの厚みを有するＡｌ層９ｂと、Ａｌ層９ｂの下面上に形成される約３０ｎｍの厚みを有するＰｄ層９ｃとを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】一方の極性のオーミック電極を、開口率を領域により異にして開口部を設けた導電性薄膜から構成する。特に、双方の極性の電極間に在る領域に、開口率を、周辺のその他の領域より大として開口部を設けた導電性薄膜を配置してオーミック電極を構成する。また、他方の極性の電極に近接する領域に、間口率を特に小とする導電性薄膜を配置してオーミック電極を構成する。さらに一方の台座電極と他方の電極とを結ぶ帯状部分の領域の開口率を他の領域より大きくする。 （もっと読む）

【課題】 成長基板及びバッファ層の抵抗を全く介することなくショットキーバリアダイオード素子へのオーミック接触を取ることができる窒化ガリウム系材料を用いたショットキーバリアダイオード装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ⁻型ＧａＮショットキー層２表面にショットキー電極１を形成する。次に表面に金蒸着によりパターン形成された金属層（台座電極１１）を有する台座基板１０にビアホール１２を形成し、台座電極１１と裏面の台座電極１３とを電気的に接続する。台座電極１１にショットキー電極１が対向するようにダイオード素子をマウントする。次に台座基板１０にマウントした素子構造からＳｉ基板７、第１及び第２バッファ層８、９を除去し、ｎ^＋型ＧａＮオーミック層３を露出させこれにオーミック電極を形成する。成長用基板及びバッファ層の抵抗を全く考慮することなくオーミック接触がとれる。 （もっと読む）

【課題】 しきい値電圧のばらつきのないノーマリーオフ動作の窒化物半導体素子を提供する。

【解決手段】 窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第１の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはｎ型の窒化物半導体からなる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上の第１の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記第２の半導体層の上の前記第１の領域の両端に隣接する第２、第３の領域にそれぞれ設けられたノンドープまたはｎ型の窒化物半導体からなる第３の半導体層と、前記第３の半導体層の上にそれぞれ設けられ、前記第３の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはｎ型の窒化物半導体からなる第４の半導体層と、を備え、前記第２の半導体層の膜厚は、第１の領域および第２、第３の領域において均一であることを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層中に発生する電界分布を可能な限り広げることで、電流分布の偏りを低減し、光取出し効率が向上した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、複数の窒化ガリウム系化合物半導体層がエピタキシャル成長法により積層された直方体状の半導体積層体７を有するとともに、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体層上に形成された四角形状のｐ側導電層９と、窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去した露出部に形成された鉤状のｎ側導電層１１とが、半導体積層体７の同じ主面側に平面視で全体として一つの四角形状を成すように相補的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 従来技術の欠点を有していない、窒化ジルコニウム被膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】 基材表面上に、化学蒸着法により反応性ガスから窒化ジルコニウム被膜を製造する方法において、式：


（式中、R¹及びR²は、同一又は異なって、直鎖又は分岐鎖のC₁-C₄-アルキル基を表す。）で示されるジルコニウムテトラキス（ジアルキルアミド）をジルコニウム前駆体として用い、式：


（式中、R³は、直鎖又は分岐鎖のC₁-C₄-アルキル基を表し、R⁴は、水素原子又はC₁-C₄-アルキル基を表す。）で示されるヒドラジン誘導体を反応性ガスとして用いる。 （もっと読む）

【課題】埋め込みゲートトランジスタの短チャネル効果の低減とゲートとの重なり増加とが両立できる半導体装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。この製造方法は、基板１０２における第１領域１０４と第２領域１０６との間に分離領域１０８を形成する工程と、基板表面に凹部１１８を形成する工程と、酸化物１２０で凹部１１８を均一に覆う工程とを含む。さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、支持部と、この支持部からエピタキシャル成長した、それぞれ少なくとも１つのコレクタ又はエミッタレイヤと、少なくとも１つのベースレイヤ（Ｂ）と、それぞれ少なくとも１つのエミッタ又はコレクタレイヤと、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタに関するものである。それぞれコレクタ又はエミッタレイヤは、それぞれエミッタ又はコレクタレイヤと実質的に同一の組成を有する、ベースレイヤと接触状態にある少なくとも１つのアンダーコート（Ｃ１）と、この第１アンダーコートとの関係においてベースレイヤとは反対側の面上の少なくとも１つの第２アンダーコード（Ｃ２）と、を有している。
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半導体装置が、第１導電型にドープされたワイドバンドギャップ半導体材料からなる第１層（１）と、その上に形成され、第１層との界面で半導体装置が逆バイアス状態における電流を阻止する接合を形成する第２層（３）とを含む。半導体装置は、第２層の横の境界（６）に関して接合の終端を横方向に拡張する拡張手段を含む。この拡張手段は、接合（１５）を横方向に囲みように並置された複数のリング（１６−２１）を含み、接合から横方向に見た場合に、第１層の導電型と反対の第２導電型の半導体材料からなるリング（１６−１８）と、半絶縁性材料からなるリング（１９−２１）とが交互に配置される。
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【課題】垂直型構造の発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温工程が求められない電解メッキの方法で発光構造の上部にメタル支持層を形成して、素子に欠陥の発生が減らせる。また、本発明は軟金属と硬い金属を含むメタル支持層を発光構造の上部に形成してウェーハの撓み問題を防止し、機械的強度が高められて信頼性を向上させられる。本発明は、例えば、発光構造と；前記発光構造の上部に形成され、軟金属と前記軟金属のヤング率（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）より高いヤング率を有する硬い金属で構成されるメタル支持層を含んでなされる垂直型構造の発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型半導体に対する低抵抗オーミックコンタクトの電極を実現すること。
【解決手段】電極とｐ型半導体の間にＧａＳｂ半導体中間層を積層する。４．４×１０¹⁷ｃｍ^-3のキャリア密度を持つＭｇドープのｐ型ＧａＮをバルク基板として用いた。まず、超音波洗浄したその基板上にフォトリソグラフィーによってパターンを作成した。この基板と電極との間に設けるＧａＳｂ中間層は、粉末状のＧａＳｂを真空蒸着して積層し、その上にＧａＳｂに対するコンタクト材としてＴｉを蒸着した。その電気特性は蒸着後はショットキーであったが、熱処理を施すことによりオーミック特性を示した。これは、ＧａＳｂ中間層の挿入によりショットキーバリアが２箇所に分散され、且つ、Ｎ，Ｓｂの熱拡散によって中間層とｐ型ＧａＮとの界面のＳＢＨ（ショットキーバリアハイト）が低減したためであり、これにより、中間層の上下両界面でそれぞれ界面抵抗が低くなる。 （もっと読む）

【課題】 ワイドバンドギャップ半導体における、オーミックコンタクト抵抗を低減することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。
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【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）

ナノスケールチャネルデバイスのコンタクトアーキテクチャは、複数の並列半導体本体を有するデバイスのソースまたはドレイン領域に結合されかつその間に延びるコンタクト構造を有する。コンタクト構造は、サブリソグラフィックピッチを有する並列半導体本体と接触することができる。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子２０を構成する抵抗層１１を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板１内に形成する。次に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、そしてエミッタキャップ層６の構成材料層を、基板１の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、ＨＢＴ１０を形成する。一方、抵抗素子２０の素子電極１４、１５を高い位置で取り出すための導電層１２、１３を、サブコレクタ層２の構成材料層４２のパターニングによって形成し、素子電極１４、１５をこの上に形成する。次に、ＢＣＢなどの平坦化膜３０を形成し、これを介して配線３１、３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 加工性に優れ、かつオン抵抗（Ｒｏｎ）を増大させず、高性能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ｎ型のＧａＡｓから成るサブコレクタ層２と、サブコレクタ層２より低不純物濃度のｎ型のＧａＡｓから成る第２のコレクタ層４との間に、第２のコレクタ層４のエッチング工程において用いられるエッチング液に対して耐性をもち、且つ第２のコレクタ層４との接合において電子の伝導を妨げない第１のコレクタ層３が形成されている。 （もっと読む）

並列に接続された複数の単位セルを含む半導体デバイスが提供される。各単位セルは、第１の電極２２、第２の電極２０Ａ，２０Ｂ及びゲートフィンガー２４を有する。半導体デバイスの中央部での第２の電極２０Ａ，２０Ｂの１つ２０Ｂが第２の幅Ｗ２を有し、半導体デバイスの周辺部での第２の電極２０Ａ，２０Ｂの１つ２０Ａが、第２の幅Ｗ２に比べてより狭い第１の幅Ｗ１を有する。第１の電極２２は、ゲートフィンガー２４間のピッチが非均一であるように、実質的に一定の幅Ｗ３を有する。半導体デバイスの製造方法も提供される。
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【課題】 ソース／ドレイン接合における接合リーク電流を抑制しつつ、バックゲートバイアスをトランジスタごとに個別に制御する。
【解決手段】 不純物のイオン注入を半導体基板１１に局所的に行い、ウェル１２ａ、１２ｂを半導体基板１１に形成してから、半導体基板１１の表面に絶縁層１３を形成し、単結晶半導体層２３を介して半導体基板１１上の絶縁層１３上に半導体基板２１を貼り合わせた後、多孔質層２２をエッチング除去することにより、多孔質層２２を境界として半導体基板２１を単結晶半導体層２３から剥離する。
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