【課題】 耐圧が高く、且つオン電圧が低い、新たなIII−Ｖ族窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 III−Ｖ族窒化物半導体層からなる凸形状の第１の窒化物半導体層の側面に、微結晶構造の第２の窒化物半導体層が積層し、凸形状の上面に第１のアノード電極がショットキー接合し、側面に第２のアノード電極がショットキー接合する。また第２のアノード電極と第２の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、第１のアノード電極と第１の窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより高くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。
【解決手段】基板１０への遷移金属群金属１２の堆積、基板１０と堆積金属１２の間で固相化学反応を起こし、基板１０中に基板１０とは異なる変質特性を有する変質層１４、および珪化物１８とナノ結晶グラファイト層１６からなる副生物を形成する基板１０の高温でのアニール、一もしくはそれ以上の固相化学反応の副生物を基板１０の表面から除去するための基板１０の選択的エッチング、オーミック接続を形成するための基板１０上の変質層１４を覆う遷移群金属からなる金属膜２０の堆積、を含んでいる。変質層１４は、金属膜２０の堆積後に高温のアニールを必要とせずに、オーミック接続の形成を可能とする。 （もっと読む）

プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であり、当該方法は、前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップを有する。処理チャンバ内に、第１の処理材料が導入され、処理チャンバ内に、第２の処理材料が導入される。第２の処理材料の導入の間、処理チャンバには、６００Ｗを超える電磁力が結合され、基板の表面での第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進するプラズマが発生する。第１の処理材料と第２の処理材料の交互の導入により、基板上に膜が形成される。
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本発明は、半導体本体（１）内に配置された半導体デバイスであって、それぞれ第１導電型である少なくとも１つのソース領域（４）および少なくとも１つのドレイン領域（５）と、ソース領域（４）とドレイン領域（５）との間に配置された第２の導電型の少なくとも１つの本体領域（８）と、分離層（９）によって半導体本体（１）に対して分離されている少なくとも１つのゲート電極（１０）とを備えるデバイスに関する。前記分離層（９）は、それぞれナノ粒子の分離したコアおよび分極可能な陰イオンまたは分極可能な陽イオンのシースからなる分極可能な粒子を含む。分離層（９）は、高い誘電率εを示す。
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【課題】ヘテロ接合を有する電界効果トランジスタにおいて、ヘテロ界面における寄生抵抗の増大を抑制し、それによって高周波特性等のトランジスタ特性を向上させる。
【解決手段】アンドープＧａＮバッファー層２の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４が順に形成されている。ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４の上には、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４と接し且つソース電極及びドレイン電極となるＴｉ／Ａｌオーミック電極５が形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３とｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース面積ないしはベース・コレクタメサ面積の縮小化を図って高速性を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベースメサないしはベース・コレクタメサ４の上面に、ベース電極とエミッタメサとが平面的に配置形成されて、エミッタメサ７上のエミッタ電極８の周縁部８ｅとベースメサないしはベース・コレクタメサ４の周縁部４ｅを自己整合する構成とする。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】Ｓ／Ｄ拡散層抵抗の低減とゲート寄生容量の低減とを同時に実現することのできるＭＩＳ型トランジスタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】ＭＩＳ型トランジスタは、半導体基板と、この基板上に形成されたソース・ドレイン領域と、このソース・ドレイン領域間のチャネル領域の上方に設けられたゲート電極と、を備える。このＭＩＳ型トランジスタにおいて、前記チャネル形成面を挟んで設けられた前記ソース・ドレイン領域の上面が、前記チャネル形成面よりも嵩上げされてゲート電極側に位置し、かつ、前記ソース・ドレイン領域の上面は、嵩上げされて前記ゲート電極側に位置するレベルの実質的な平坦面と、この平坦面のレベルから前記チャネル形成面のレベルまで傾斜する傾斜面と、を備えると共に、前記チャネル形成面の上側に設けられたゲート絶縁膜により囲まれるゲート電極の形状が、段部を介して下側が先細りとなった断面Ｔ字の形状となっている。 （もっと読む）

【課題】電極界面との接触抵抗を低減した高効率な電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され、第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が５×１０¹²／ｃｍ^-2以上となる窒化物半導体からなる第２の半導体層と、第２の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、ソース電極及び／又はドレイン電極は、少なくとも第２の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されている。この構造により、段差部分でチャネル形成部分と電極との接触面積を増やし、オーミック接触の接触抵抗を下げて効率を改善できる。 （もっと読む）

本発明に係るトランジスタは、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲートが形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層がある。このスペーサ層上にはフィールドプレートがあり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。
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【課題】 従来のパッド電極で覆われる部分を発光させなくし、光の取出し効率の向上を図った半導体発光素子においては、パッド電極に線状電極を構成する材料が混入しやすく、Ａｕワイヤーの接合力不足などにより破損を生じやすいなどの問題を生じていた。
【解決手段】 素子１の最表面半導体層１ａの表面に、パッド電極３を有し、最表面半導体層とパッド電極との間ではショットキー接合が行われ、パッド電極が占める以外の表面を網状に覆う線状電極２と最表面半導体層の間ではオーミック接合が行われ、パット電極と線状電極が一部で接触しオーミック接合が行われている半導体発光素子であり、線状電極とパッド電極との接触部において、線状電極の層構造の上部及び側面の一部或いは全部をパッド電極の層構造中のバリアメタル層３ｂが覆っている半導体発光素子とすることでパッド電極に線状電極の部材が混入しないようにして課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 活性層のバンドギャップエネルギがＡｌＮ組成比２０％のＡｌＧａＮと同等以上となる短波長発光可能なＰＩＮ接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜を備えた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系窒化物半導体からなるｐ型クラッド層２１と活性層２３と活性層２３より高バンドギャップエネルギのｎ型クラッド層２５を含むＰＩＮ型接合構造のＧａＮ系窒化物半導体多層膜２０を備え、活性層２３が、ＡｌＮ組成比２０％以上のｉ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｉ型ＡｌＧａＩｎＮまたはｉ型の超格子構造多層膜であり、ｎ型クラッド層２５の活性層２３とは反対側の全面または一部に、ＡｌＮ組成比２０％以下のｎ型ＡｌＧａＮまたは同等のバンドギャップエネルギを有するｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなる膜厚５０ｎｍ以下のｎ型コンタクト層２６を備えてなり、発光した光がｎ型クラッド層２５側から出射する。 （もっと読む）

共振トランジスタは、基板と、基板上に形成されたソースおよびドレインと、入力電極と、カーボンナノチューブゲートとを含む。ソースとドレインとの間には、ギャップが形成されている。入力電極は、基板上に形成されている。カーボンナノチューブゲートは、その一端がコンタクト電極に固定され、ギャップおよび入力電極の真上に配置されており、片持ち支持されていることが好ましい。
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【課題】 耐圧が高く、且つオン電圧の低い、新たなIII−Ｖ族窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 半絶縁性または絶縁性基板上に積層したIII−Ｖ族窒化物半導体からなる第１の窒化物半導体層と、第１の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した第２の窒化物半導体層と、凹部内に露出する第１の窒化物半導体層上にショットキー接合するショットキーバリア高さの低い第１のアノード電極と、第１のアノード電極に接続し、第２の窒化物半導体層にショットキー接合する第１のアノード電極と同一あるいは異なる金属からなり、ショットキーバリア高さの高い第２のアノード電極と、第１あるいは第２の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】節を有する形状の導電層を、均一な間隔をもって隣接して形成する。隣接する導電層において、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、導電層同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接して設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体層とオーミック電極との間のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層(12)と、III族窒化物半導体層(12)とオーミック接触するオーミック電極(15)とを有し、III族窒化物半導体層(12)はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮで表される半導体からなり、オーミック電極(15)は、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ及びＳｒから選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層(13)を有する半導体装置(1)とする。 （もっと読む）

【課題】反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型化合物の半導体層１０２、活性層１０４及びｐ型化合物の半導体層１０６を備える化合物半導体発光素子のｐ型化合物の半導体層１０６上に形成される反射電極２６において、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面の一部に所定幅に形成されたオーミックコンタクト層２１と、オーミックコンタクト層２１、及びオーミックコンタクト層２１により覆われていないｐ型化合物の半導体層１０６の上面を覆う反射電極層２５と、を備え、ｐ型化合物の半導体層１０６の上面に、反射電極層２５とｐ型化合物の半導体層１０６とが直接コンタクトされるコンタクト領域１１ａ、１１ｂが設けられた化合物半導体発光素子の反射電極２６、及び反射電極２６を備える化合物半導体の発光素子である。 （もっと読む）

望ましくないインダクタンスを引き起こし得るワイヤーボンディングを排除する、炭化珪素基板上で集積回路を作製する方法。該方法は、炭化珪素基板の表面上のエピタキシャル層において半導体デバイスを作成し、該エピタキシャル層の最上位表面上においてデバイスのための少なくとも１つの金属コンタクトを作製することを含む。次に、実質的に透明になるまで、基板の反対側の表面を研削及び研磨する。次に、該方法は、炭化珪素基板の該研磨された表面をマスキングして、エピタキシャル層の最上位表面上にあるデバイス金属コンタクトとは反対側に存在する少なくとも１つのビアのために所定の位置を画成する工程；所望のビアをエッチングする工程を含む。第１のエッチング工程は、エッチングがエピタキシャル層に達するまで、所望のマスキングされた場所の炭化珪素基板を貫通させてエッチングする。第２のエッチング工程は、エピタキシャル層を貫通させてデバイスコンタクトまでエッチングする。最後に、ビアをメタライズして、基板の第一表面から、金属コンタクト及び基板の第二表面上にあるデバイスに至る導電経路を提供する。
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例えば電子デバイスなどで使用するために、導電性の線状構造を準備する方法、およびこのような方法によって形成するデバイスについて述べる。前記構造を準備するこのような方法の一例は、線状構造の形成を補助するために、表面テンプレートを使用した導電粒子の集合を使用する。前記構造はナノ規模で準備してよいが、最大でマイクロ規模でも準備してよい。
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【課題】
寄生抵抗を低減した電界効果トランジスタを提供し、素子の性能および信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
基板上に、窒化物半導体からなるチャネル層１３と、チャネル層１３上に位置し窒化物半導体からなる電子供給層１４とを含む積層体を有し、この積層体表面にソース電極１６、ドレイン電極１７及びゲート電極１８を備えた電界効果トランジスタであって、チャネル層１３において、ソース電極１６及びドレイン電極１７各々の下のｎ型不純物濃度が、ゲート電極１８の下のｎ型不純物濃度よりも高く、電子供給層１４において、ソース電極１６及びドレイン電極１７各々の下のｎ型不純物濃度が、ゲート電極１８の下のｎ型不純物濃度よりも高い電界効果トランジスタを提供する。 （もっと読む）