【課題】 Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ型コンタクト層１の上面にＰ型電極材料が設けられている。Ｐ型電極材料は、ＡｕＧａ膜２、Ａｕ膜３、Ｐｔ膜４、およびＡｕ膜５からなっている。Ｐ型コンタクト層１上にはＡｕＧａ膜２が設けられている。ＡｕＧａ膜２上にはＡｕ膜３が設けられている。Ａｕ膜３上にはＰｔ膜４が設けられている。Ｐｔ膜４上にはＡｕ膜５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ゲート誘電体とゲート電極との間にＶ_t安定化層を含む半導体構造を提供することにある。
【解決手段】 Ｖ_t安定化層は、構造のしきい電圧およびフラットバンド電圧を目標値に安定化することができ、窒化金属酸化物または窒素なし金属酸化物を含み、Ｖ_t安定化層が窒素なし金属酸化物を含む条件で半導体基板またはゲート誘電体のうちの少なくとも一方が窒素を含む。また、本発明は、このような構造を形成する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが低く、量産性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 電流分散層として金属酸化膜９を有する半導体発光素子において、前記金属酸化膜９に電極１０がメッキされている。メッキ法で電極を形成することで、製造コストを下げることができる。 （もっと読む）

【課題】 融点が高くかつ高温にて熱処理してもリーク電流の小さい電極材料を用いることで、リーク電流特性を向上させることができる窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体装置は、Ｓｉ基板１上に、ＡｌＮ／ＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ活性層４が順次積層され、ｎ型ＡｌＧａＮ活性層４上に、Ｔｉ／Ａｌのオーム性接触のソース電極５、Ｔｉ／Ａｌのオーム性接触のドレイン電極６およびＲｈからなるショットキー接合のゲート電極７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流を低減した窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも１つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むＶ族元素で構成されたIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に積層したアルミニウムを含まない前記III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも１つをドーピングした第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ベースコンタクトを安定して形成し、高周波特性等の特性の向上を図ることができる、ヘテロ接合型バイポーラ半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 コレクタ層３、ベース層４及びエミッタ層５をこの順に積層してなるヘテロ接合型バイポーラ半導体装置２０ａにおいて、ベース層４を外部と接続するためのベースオーミックコンタクト部１３が拡散係数の小さい炭素等のイオン注入によって形成され、このイオン注入領域がベース層４の設定された途中深さまで高濃度に形成され、ＲＴＡ処理で低抵抗化されている、ヘテロ接合型バイポーラ半導体装置（ＨＢＴ）２０ａ。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で電極間の電界分布を均一にすることにより高耐圧化できる電子デバイスを提供する。
【解決手段】 ＧaＮ層１０２とＡlＧaＮ層１０３からなる能動層上にゲートショットキー電極１０６を形成し、さらに能動層上にかつゲートショットキー電極１０６の両側に、ソースオーミック電極１０５およびドレインオーミック電極１０７に形成する。ゲートショットキー電極１０６とドレインオーミック電極１０７との間の電界分布が略均一になるように、ＡlＧaＮ層１０３上に階段状の積層構造の誘電体層(ＴiＯ_２層１０８,１０９,１１０)を形成する。前記誘電体層のＴiＯ_２の誘電率を能動層のＧaＮ,ＡlＧaＮの誘電率よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタにおいてベース抵抗の増大を伴うことなく寄生容量を低減し、もって高周波特性を改善する。
【解決手段】n型GaN層２上にSiO₂マスク３がストライプ状に開口部を有する形で形成され、前記n型GaN層２上に選択的にn型AlGaNエミッタ層４が形成され、前記n型AlGaNエミッタ層４上にp型GaNベース層５が形成され、同時に横方向成長により前記SiO₂マスク３上にもp型GaNベース層５が形成されている。このような構成とすることにより、ベース・コレクタ接合容量C_BCおよびベース・エミッタ接合容量C_BEが大幅に低減され、バイポーラトランジスタの高周波特性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ブレイクダウン電圧を向上できる構造を有しており炭化ケイ素支持基体を用いる半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層１５は第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】 少ない工数で耐圧を任意に調整できるダイオード、特に保護ダイオードを提供する。また、この保護ダイオードとバイポーラトランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ダイオードは、接合を形成する一方の半導体層となるエピタキシャル成長された第１導電型の第１半導体層に、第１導電型の不純物が追加して導入されて成る。
このダイオードをバイポーラトランジスタの保護ダイオードに用いて半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート端部で発生するピエゾ電荷を低減するために、ゲート端部にかかる応力を低減することができる層間膜を備える半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体基板１０の上側表面１１上に、下層保護膜３２と、第１オーミック電極４６ａ及び第２オーミック電極４６ｂと、制御電極４８と、上層保護膜３４とを備えて構成される。上層保護膜は、第１オーミック電極、第２オーミック電極及び制御電極を被覆するように下層保護膜上に形成されていて、熱により発生する応力ベクトルが下層保護膜と相反する。 （もっと読む）

【課題】超伝導金属からなるソースドレイン電極を、高電子移動度トランジスタのＩｎＧａＡｓからなるチャネル層にオーミック接続し、ゲート電極を用いて超伝導電流を制御する半導体超伝導三端子素子を、より容易に製造できるようにする。
【解決手段】レジストパターン１２２をマスクとしてＩｎＡｌＡｓ層１２８を選択的にエッチング除去し、ゲートコンタクト層１０８が形成されてエッチングストップ層１０６の上面が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＰに対してＩｎＡｌＡｓを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。次に、レジストパターン１２２をマスクとし、露出しているエッチングストップ層１０６をエッチング除去し、この両脇にチャネル層１０５が露出された状態とする。このエッチングでは、ＩｎＧａＡｓに対してＩｎＰを選択的にエッチング除去できるエッチング方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上述の点に鑑み、断面Ｔ字型エミッタ電極の微細化を可能にし、且つ高精度の製造を可能にしたヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、コレクタ層２、ベース層３、エミッタ層４及びエミッタキャップ層５を積層し、エミッタキャップ層５のメサ７端部にほぼ一致する断面Ｔ字型のエミッタ電極１２ｂを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一で良好な特性を有する半導体金属合金層を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体層１０の上方にゲート絶縁層２０を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート絶縁層の上方にゲート電極２２を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層の上方の所定の領域にレジスト層を形成する工程と、（ｄ）前記レジスト層に覆われていない領域の半導体層の表面４０をアモルファス化する工程と、（ｅ）前記半導体層の上方に金属層３２ａを形成する工程と、（ｆ）アモルファス化された前記半導体層と、前記金属層とを反応させるために熱処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ層２４の表面に上部層が積層されている構造体を製造するときに、ＧａＮ層２４の表面が損傷することなく、その表面に形成されている自然酸化膜の酸化ガリウム膜を除去する。
【解決手段】 ＧａＮ層２４の表面に酸化シリコンからなるＳｉＯ_２層２６が積層されている構造体を製造する方法であり、ＧａＮ層２４の表面を非プラズマ状態のアンモニアを含むガスに曝す曝露工程と、そのアンモニアガスに曝露されたＧａＮ層２４の表面にＳｉＯ_２層２６を積層する積層工程を備えていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】透光性が高く、低抵抗の透光性電極の製造方法。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層して形成され、少なくとも酸素が存在する雰囲気下で電子線蒸着法又はイオンプレーティング法により形成され、後に焼成されて形成されたＩＴＯから成る透光性電極１１０を有する。 （もっと読む）

【解決手段】ノンドープＧａＮからなるチャネル層（１）と、チャネル層（１）の表面上に形成されたｎ型のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎからなるバリア層（２）と、バリア層（２）上に選択的に形成されたｐ型のＡｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなる半導体層（３）と、半導体層（３）の両側のうちの一方側に位置するバリア層（２）上に形成されたドレイン電極（４）と、少なくとも半導体層（３）とドレイン電極（４）との間で半導体層（３）に隣接する位置のバリア層（２）上に形成された絶縁膜（７）と、絶縁膜（７）上に形成されたフィールドプレート電極（８）とを有するパワー半導体素子。
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【課題】 寄生抵抗が低く、良好な性質を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置１００の製造方法は、（ａ）絶縁層８上に設けられた半導体層１０の上方にゲート絶縁層２０を形成する工程と、（ｂ）前記ゲート絶縁層２０の上方にゲート電極２２を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層１０に不純物を導入することにより、ソース領域２６およびドレイン領域１４を形成する工程と、（ｄ）前記半導体層１０にフッ素を導入することにより第１のフッ素含有領域５０、５２を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層１０の半導体と遷移金属を反応させることにより、低抵抗半導体金属合金層３２、３４を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイスも提供される。
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