本発明は、トップエミット型窒化物系発光素子とその製造方法に関し、窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層と、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層されており、ｐ型クラッド層上に形成された界面改質層と、前記界面改質層上に透明導電性素材で形成された透明導電性薄膜層と、を備えたトップエミット型窒化物系発光素子を提供する。このようなトップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージングの際に、ワイヤーボンディング効率を、及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗及び優れた電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上することができるという長所を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ性能を向上させる。
【解決手段】
本発明は、ヘテロ構造上で、若干のＨＥＭＴトランジスタを製造する方法と同様に、ＭＯＣＶＤを用いてＳｉＮ層をいささかも除去することなく、表面に接点を蒸着させることにより、構造の冷却および反応器からの試料の取り出しに先立ち、高温で成長が起こる反応器内で、最上部ＡｌＧａＮ層上の表面を薄いＳｉＮ層で覆うことにより、より高性能（出力）を伴い、有機金属気相成長法により成長させられた、ＨＥＭＴ、ＭＯＳＨＦＥＴ、ＭＩＳＨＦＥＴ素子、またはＭＥＳＦＥＴ素子のような、ＩＩＩ族−Ｎ電界効果素子を製造するための新規な方法を解説している。本発明は素子も解説している。 （もっと読む）

発光ダイオードなどの半導体発光素子は、基板と、基板上に設けられ、発光ダイオード領域などの発光領域を含むエピタキシャル領域と、エピタキシャル領域上に設けられ、反射層を含む多層導電スタックとを含む。反射層上にはバリア層が設けられ、反射層の側壁上に延びている。多層導電スタックは、反射体とエピタキシャル領域の間にオーミック層も含むことができる。バリア層はさらに、オーミック層の側壁上に延びている。バリア層は、多層導電スタック外部のエピタキシャル領域上へも延びていてもよい。バリア層は、交互に重ねた一連の第１および第２の副層として製作できる。
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ＨＥＭＴは基板（2）、緩衝層（4）、チャネル層（8）、スペーサ層（10）、デルタドープ層（12）、ショットキー障壁層（14）及びキャップ層（18）と金属層（20）とを有しており、金属層（20）はその下にある半導体とショットキー障壁を形成している。チャネルはGaInAsから成り、バッファ（4）、スペーサ（10）及びショットキー障壁（14）の層はAlInAsから成る。例えばGaAsから成る付加的な薄い層がショットキー障壁層（14）と金属性の層（18）との間に追加され、過剰な欠陥を生成することなくショットキー障壁高さを増大させる。
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【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 素子面積に占める発光面積を大にでき、配光むらを抑えて高輝度化を実現することのできる発光素子を提供することにある。
【解決手段】 ＬＥＤ素子１の電極形成面側に、絶縁層１７を介してＡｕからなる外部接続用のｎ型端子部１８およびｐ側端子部１９を設けたので、ＬＥＤ素子１の実装性を確保するために必要な電極形状の制約を受けることなくｎ−電極１５およびｐ−電極１６の形状を任意の形状で形成することができる。このことにより発光形状を考慮してｐ−電極１６の形状を設計することが可能になり、発光面積の拡大を図ることができ、光取り出し性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも１種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも１種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な方法によりゲート電極を斜めに傾け、ゲート長を短縮することができる半導体素子の製造方法を得る。
【解決手段】 まず、半導体基板１１上にゲート電極１５を形成する。次に、半導体基板上にゲート電極の一方の側面のみに接触するようにレジスト１６を形成する。そして、レジストを収縮又は膨張させることによりゲート電極を傾ける。ここで、ゲート電極の断面形状をΓ型、Ｔ型又はＹ型とするのが好ましい。また、ゲート電極をソース側へ傾けるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】電極が形成される半導体層の表面平坦性や、シート抵抗などが何れも優れた、高性能化や小型化に好適な電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】ノンドープのＧａＮ結晶から成る半導体層１０３（バッファ層）の上には、厚さ約４０ｎｍのノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから成る半導体層１０４が積層されている。この半導体層１０４は、本発明に基づく厚さ約３０ｎｍの急峻界面提供層１０４１と、本発明に基づく厚さ約１０ｎｍの電極接続面提供層１０４２の計２層の半導体層から構成されている。これらは双方共に上記の通りノンドープのＡｌ_0.2 Ｇａ_0.8 Ｎから形成されているが、急峻界面提供層１０４１を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＨ₂ を使用した。また、電極接続面提供層１０４２を結晶成長させる際には、キャリアガスとしてＮ₂ を使用した。 （もっと読む）

半導体デバイスはナノワイヤ（１６）を使用して製造される。ナノワイヤ（１６）に沿う伝導を制御するために導電ゲート（２２）が使用されても良い。この場合、一方の接点がドレイン（１２）であり、他方がソース（１８）である。ナノワイヤ（１６）は、基板（２）中の或いは特に基板（２）上の表面層（３）中のトレンチまたは貫通穴（８）内で成長されても良い。ゲート（２２）はナノワイヤ（１６）の一端にだけ設けられても良い。ナノワイヤ（１６）は、その全長にわたって同じ材料から成ることができ、あるいは、異なる材料を使用することができ、特に、ゲート（２２）の近傍およびゲート（２２）とトレンチの底部との間で異なる材料を使用できる。
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半導体デバイスは、少なくとも１つの表面を含むＩＩＩ族窒化物半導体材料の層と、半導体材料の電気的応答を制御するための、表面上にある制御コンタクトと、制御コンタクトに隣接する１つの表面の少なくとも一部を被覆する誘電体バリア層であって、ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、ＩＩＩ族窒化物の導電帯からずれている導電帯とを有する、誘電体バリア層と、ＩＩＩ族窒化物の表面の残り部分を被覆する誘電体保護層とを備えている。
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ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。
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【課題】下方に配置された基板とは異なる極性を有する不連続な非平面状サブコレクタを含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】この構造は、サブコレクタの上方の活性領域（コレクタ）、活性領域の上方のベース、およびベースの上方のエミッタを含む。不連続なサブコレクタの不連続部分間の距離は、半導体構造の動作特性を調整する。調整可能な動作特性は、絶縁破壊電圧、電流利得遮断周波数、電力利得遮断周波数、通過周波数、電流密度、静電容量範囲、ノイズ注入、少数キャリヤ注入、ならびにトリガ電圧および保持電圧を含む。 （もっと読む）

本発明は、式ｉ−ＰｒＮ＝Ｔａ（ＮＲ_１Ｒ_２）_３［式中、Ｒ_１及びＲ_２は、同じか又は異なり、１〜３個の炭素原子を有するアルキルであり、但し、（ｉ）Ｒ_１がエチルの場合、Ｒ_２はエチル以外であり、（ｉｉ）Ｒ_２がエチルの場合、Ｒ_１はエチル以外である］により表される有機金属前駆体化合物、並びに前記有機金属前駆体化合物から被膜、コーティング又は粉末を製造する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの構造化された層（１０Ａ）を作成するための方法を提供し、その際第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が基板（５）上に存在している層（１０）に生成される。このマスク構造（２０）を通して第１の構造（２０Ａ）は等方性構造化法を用いてかつ第２の構造（２０Ｂ）は異方性構造化法を用いて層（１０）に移される。本発明の方法により、少なくとも１つの層に唯一のマスク構造を用いて２つの構造（２０Ａ，２０Ｂ）を生成することが可能になる。
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半導体発光ダイオード上での反射層の作製。基板上に複数のエピタキシャル層があるウェハを有する半導体発光ダイオード上に反射層を作製する方法であって、複数のエピタキシャル層の前面上に第１のオーム接触層を適用するステップを含み、第１のオーム接触層は、反射層としても作用するように反射材料のものである。 （もっと読む）

ショットキーバリア炭化ケイ素デバイスは、レニウムショットキー金属接触を有している。レニウム接触（２７）は２５０Åよりも厚く、２０００Åから４０００Åまでの間であり得る。ターミネーション構造は、ショットキー接触の周囲の環状領域をイオンミリングすることによって与えられる。
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窒化物半導体を有する窒化物半導体装置のオーム性電極構造であって、窒化物半導体上に形成された第１の金属膜と、第１の金属膜上に形成された第２の金属膜とを有する。第１の金属膜は、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｚｒから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。第２の金属膜は、第１の金属膜１０２と異なる、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｗ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕから成るグループの中から選ばれた少なくとも一つの材料で構成されている。 （もっと読む）

本発明は、ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。本発明の集積化方式を用いて形成される各シリサイド金属ゲートは、シリサイド金属ゲートの寸法に関わりなく、同じシリサイド金属相および実質的に同じ高さを有する。本発明は、半導体構造物の表面全体にわたってポリＳｉゲート高さが実質的に同じであるシリサイド接点を有するＣＭＯＳ構造物を形成するさまざまな方法も提供する。

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