【課題】メッキ配線形成後の熱処理工程におけるビアホール周辺での膜浮き、及び膜剥がれを抑制し、高歩留まりかつ高信頼性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、半導体基板１上に、凸状の段差４が形成されており、段差４の上面から基板１裏面に達するビアホール２を有しており、ビアホール２内にはシード層５を下層に有する第１のメッキ配線６が形成され、ビアホール２近傍の基板１の表面は絶縁膜３で覆われている。さらに、第１のメッキ配線６は段差４を覆うように形成されている。半導体基板１の裏面には全面に電極８が設けられており、第１のメッキ配線６は基板１の裏面で電極８と接続されている。 （もっと読む）

【課題】通常の紫外線露光により形成したゲート電極開口を厚肉化して開口寸法を縮小することにより、微細なゲート電極を効率的に製造可能な半導体装置の製造方法等の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成対象面上に、紫外線レジスト層２を少なくとも１層含むゲート電極開口形成用層を形成し、該ゲート電極開口形成用層にゲート電極開口１０ａを形成するゲート電極開口形成工程と、前記ゲート電極開口形成用層上に、ゲート電極におけるオーバーゲート部を形成するためのオーバーゲート形成用層３，４を形成するオーバーゲート形成用層形成工程と、前記ゲート電極開口の開口径を縮小させるゲート電極開口縮小工程と、前記ゲート電極開口にゲート電極３０を形成するゲート電極形成工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマによりパターン形成された窒化層を形成するために窒化層をエッチングすることからなる半導体構造体を製造する方法。窒化層は半導体の基板上にあり、フォトレジスト層は窒化層上にあり、プラズマは、少なくとも圧力１０ミリトルでＣＦ₄及びＣＨＦ₃のガス混合物から形成される。 （もっと読む）

【課題】素子サイズの削減が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】Ｎ^＋型炭化珪素から構成される基板領域１上に形成した炭化珪素半導体基体内において、Ｎ⁻型のドレイン領域２がＰ型のベース領域３を介してＮ^＋型のソース領域４と接し、ドレイン領域２およびソース領域４に絶縁膜５を介して接するゲート電極６と、ドレイン領域２に基板領域１を介して接続するドレイン電極８と、ソース領域４に接続するソース電極７とが設けられ、ソース電極４に接続されドレイン領域２とショットキー接合１００を形成するショットキー接合領域９が設けられ、ソース電極７からベース領域３を介してドレイン領域２に流れる電流を阻止するショットキー接合１２０がソース電極７とベース領域３との間に設けられていることを特徴とする半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 発光波長２００ｎｍ付近で発光出力が極めて高い発光素子を提供し、またｎ型ＡｌＮを用いた高出力電子素子を提供すること。
【解決手段】 半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、ＡｌＮのｐｎ接合を形成する。これにより、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層によって電気的特性の優れたｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層が得られ、発光波長２００ｎｍ付近において発光出力を大幅に増加できる。また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいＧａＮ系電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するＧａＮ系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするＧａＮ系電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ（またはＡｌ合金）層、バリア金属層、Ａｕ層を含む積層構造とされるオーミック電極に対して、好ましいオーミック接触性を維持しながらも、電極の表面状態を改善すること。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体２の表面２ａに形成されたオーミック電極１である。当該電極１は、ｎ型窒化物半導体２に近い側から順に、Ａｌおよび／またはＡｌ合金を有してなる厚さ１ｎｍ〜７０ｎｍの第一層１１と、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷから選ばれる１以上の金属からなる第二層１２と、Ａｕを有してなる第三層１３とを有する積層体として構成され、かつ、オーミック接触性をより発現させるための熱処理が施されたものである。第一層の厚さの限定によって、オーミック接触性、表面状態が好ましいものとなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。
【解決手段】サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。その後、ソース電極１５及びドレイン電極１６、ゲート電極１７を形成する。この構成により、半導体表面にダメージを与えることなく、窒素空孔を含む基板表面の窒素不足を補完してから電極を作製することが可能となる。そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 高い信頼性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】
ドリフト領域１１の表面領域にはベース領域１３が形成され、ベース領域１３の表面領域にはソース電極１４が形成され、ドリフト領域１１上には、酸化膜２０、ゲート電極３０、及び、層間絶縁膜４０が形成されている。ソース領域１４、酸化膜２０、及び、層間絶縁膜４０には、層間絶縁膜４０上のソース電極５０とベース領域１３及びソース領域１４とを接続するためのソース開孔５０ａが形成されている。酸化膜２０は、ゲート電極３０下の厚い第１酸化膜と、ソース開孔５０ａの外縁から延伸する薄い第２酸化膜と、第１酸化膜と第２酸化膜との間に配置され、第１酸化膜と第２酸化膜との中間の厚さを有する第３酸化膜と、から構成される。これにより、酸化膜２０の厚さは、ソース開孔５０ａの外縁からゲート電極３０に向かって階段状に増加する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。
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窒化物および充填層を含む犠牲ゲート構造は、金属ゲート電極と置換される。金属ゲート電極は、充填層で被覆された窒化物層で再度被覆される。窒化物および充填層の置換によって、歪みが再導入され、エッチング停止層が提供される。
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【課題】 本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】 デバイス性能を犠牲にすることなく様々なゲート材料の使用を可能にする、半導体基板上に少なくとも部分的にゲート・スタックを作るための技術を提供する。
【解決手段】 高ｋ誘電材料を含む少なくとも１つの構造体のウェハ接合を利用して、半導体電子デバイスのためのゲート・スタックを形成する方法が提供される。本発明の方法は、まず、それぞれが主面を有する第１及び第２の構造体を選択するステップを含む。本発明によれば、第１及び第２の構造体の少なくとも一方又は両方は、少なくとも高ｋ誘電材料を含む。次に、第１及び第２の構造体の主面同士を接合して、ゲート・スタックの高ｋ誘電材料を少なくとも含む接合構造体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の出光面において、方位による光の強度のバラツキの少ない発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、発光部６を介して第一導電型層５と第二導電型層７を配してなる積層体と、該積層体をなす第二導電型層７上に設けた金属薄膜層９と、該金属薄膜電極層９上に設けた透明導電体１２とを少なくとも備えてなる発光素子１であって、前記透明導電体１２は、単層の透明導電膜１０からなり、該透明導電膜１０の出光面１０´における結晶粒径を３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体発光装置の順方向電圧を低く保って発光効率を高めることが困難であった。
【解決手段】 シリコン基板１の上にｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とから成る発光機能を有する主半導体領域３を配置する。主半導体領域３は窒化物半導体で形成する。主半導体領域３のｐ型半導体層８の上にＡｇ合金からなる光透過性電極１０を設ける。Ａｇ合金に酸化又は硫化を抑制するための添加元素を混入する。Ａｇ合金は安定性が高く、且つ光透過性及びオーミック性において優れている。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。
【解決手段】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 ベース電極がエアブリッジ構造を有するバイポーラトランジスタにおいて、構造の簡潔化、ベース電極に対する外部配線としてのベース配線のコンタクト位置の自由度を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。このようにして、コンタクト部を固定部に設ける場合におけるこの固定部を形成するための構造、製造の煩雑さを回避でき、かつベース電極に対するベース配線のコンタクト部の選定の自由度をたかめ、レイアウト等の設計の自由度を高めるものである。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜と半導体層との間に良好な界面が形成され、ゲートリーク電流の小さい窒化物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、チャネル層として形成されたノンドープの第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はｎ型の第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、第２の窒化アルミニウムガリウム層上にゲート絶縁膜下層として形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜と、窒化アルミニウム膜上にゲート絶縁膜上層として形成された酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、第２の窒化アルミニウムガリウム層にそれぞれ電気的に接続されるように第１及び第２の主電極として形成されたソース電極及びドレイン電極と、酸化アルミニウム膜上に制御電極として形成されたゲート電極と、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】 静電放電から保護する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は次のステップを含む。基板上に第１電気特性の半導体層１０４を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４上へ活性層１０６を形成するステップ。活性層１０６上へ第２電気特性の半導体層１０８を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４の一部、活性層１０６の一部および第２電気特性の半導体層１０８の一部を除去してメサを形成するステップ。メサ上に透明コンタクト層１１０を形成して、メサ上にある第１電気特性の半導体層１０４、活性層１０６、第２電気特性の半導体層１０８および透明コンタクト層により積層構造を形成するステップ。パシベーション層を形成して、積層構造と積層構造に隣接する第１電気特性の半導体層の第１部分とを覆うステップ。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な手段を採ることで、窒化物系化合物半導体と電極との接触抵抗を低下させ、また、電極表面及び電極パターンエッジのモフォロジを良好に維持することを可能にして高い信頼性を実現できるようにする。
【解決手段】 金属窒化物、例えばＴｉＮを含む第１の層及びＭｏ_x Ｇａ_1-x （０＜ｘ＜１）を含む第２の層が半導体に近い側から前記の順に積層されてなる電極を備えてなることが基本になっている。 （もっと読む）