【課題】フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

基板シリコン中のシリコン原子の消費量をできるだけ少なくして、なおかつ十分な厚さをもった低抵抗のニッケルシリサイド膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびニッケルシリサイド膜のエッチング方法を提供する。表面に半導体領域および絶縁膜領域を有する基板上に、シリサイド反応を起こさない第１の基板温度で少なくとも各１層よりなるニッケル層とシリコン層を交互に積層する積層膜形成工程と、その積層膜をニッケルモノシリサイドが生成する第２の基板温度で熱処理するシリサイド反応工程と、ウェットエッチングによって絶縁膜上に形成された膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、積層膜形成工程において、積層膜全体のシリコン原子数に対するニッケル原子数の比を１または１より大きくすることによって、上記課題を解決した。
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【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等を、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】導電層を有する基板に対して裏面からの光照射によって、選択的に基板表面を改質し、ぬれ性を制御する。改質された表面上に、導電性材料又は絶縁性材料を吐出（噴出なども含む）などによって、付着させ、導電層、絶縁層を形成する。また、光触媒物質の光吸収、エネルギー放射作用によって、光による処理効率を向上させることができる。また、導電層上にも選択的にマスク層を形成し、非照射領域である導電層上の領域のぬれ性も制御する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】浅い高濃度のソース・ドレイン層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、シリコンからなる表面領域を持つ基板、表面領域上に形成されたゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、ゲート電極の両側に設けられた側壁絶縁膜、側壁絶縁膜下からその外側に向かった部分の基板表面に形成された溝内に不純物を含むシリコン膜を堆積して形成された埋め込み形成型のソースおよびドレイン層を具備し、溝の底部のシリコン膜の不純物濃度は１×１０¹⁹〜１×１０²²ｃｍ^-3、かつ、溝の深さ方向に沿ったシリコン膜の不純物濃度は一定であり、かつ、埋め込み型形成型のソースおよびドレイン層は、側壁絶縁膜下に形成された第１の埋め込み形成型のソースおよびドレイン層、側壁絶縁膜外側に形成され、第１の埋め込み形成型のソースおよびドレイン層よりも厚い第２の埋め込み型形成型のソースおよびドレイン層を含む。 （もっと読む）

【課題】 金属配線、金属配線の製造方法、金属配線を含むアレイ基板及び液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 金属配線は金属膜１１１、１３１及び障壁膜１１３、１３３を含む。金属配線は絶縁基板１０１上に配置される。障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含む障壁膜１３１、１３３を金属膜１１１、１３１を覆うように形成することで、高温プロセスでの拡散を防止し、金属配線の劣化を防止する。 （もっと読む）

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び他の部品が基板（206）上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン（211、311）が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板（206）上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。
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【課題】効率よく放熱することが可能な薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成された表示部と、基板上の表示部の外側領域に設けられ、表示部を駆動するための駆動回路と、を備える液晶表示装置１０であって、それぞれに切欠部１３２ａを有した一対の拡散層を備えるポリシリコン半導体層１３２と、拡散層のそれぞれの上面及び切欠部に沿った端面に接触する第１電極１３６及び第２電極１３８と、第１電極１３６と第２電極１３８との間の電流をオンオフする電圧が加えられる第３電極１３４と、を備える薄膜トランジスタを具備した液晶表示装置１０。 （もっと読む）

【課題】製造工程を単純化し且つ製造コストを節減することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００、ゲート電極１１０、ゲート絶縁体層１２０、ドレイン電極１５０、ソース電極１３０および半導体層１４０が順次に形成された薄膜トランジスタの製造方法において、金属前駆体を溶媒に溶解させたコーティング液をゲート絶縁体層１２０上に塗布する段階と、光還元によってドレイン電極１５０およびソース電極１３０を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な液晶表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 キャパシタ領域とトランジスタ領域とを備える基板と、基板のトランジスタ領域に形成され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴと、基板のキャパシタ領域に形成され、下部電極と上部電極とを備えるキャパシタと、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極のうち、何れか一方に連結される表示素子を備え、半導体層は、有機半導体層を備え、ＴＦＴのゲート電極の下部または上部に形成されるゲート絶縁膜は、少なくとも有機絶縁膜を備え、キャパシタの上部電極と下部電極との間に形成されるキャパシタ誘電膜は、無機絶縁膜を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する半導体装置などの性能劣化を抑制することができ、回路配線が他の回路配線や半導体装置の導体層とショートすることを抑制することができる、配線パターン形成方法、膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域にバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に配線パターンの材料を含む機能液を吐出し、機能液を乾燥させて配線パターンを形成するステップと、バンクの高さと配線パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有する。半導体装置の配線パターンは、上記配線パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 材料の無駄を軽減しつつ、１回転写であって薄膜装置への配線工程を簡略化可能な薄膜装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 転写元基板（１００）上に、所定のエネルギ付与によって剥離する特性を有し、かつ、導電性を呈する剥離層（１０２）を形成する工程、剥離層上に薄膜装置を含む被転写層（１１０）を形成する工程、被転写層の一方の面に接着層（１２０）を介して転写先基板（１２２）を接合する工程、剥離層（１０２）にエネルギを付与して転写元基板（１００）と剥離層（１０２）との間に剥離を生じさせ、剥離層とともに被転写層を転写先基板（１２２）に転写する工程、及び転写先基板に転写されて露出した剥離層（１０２）をパターニングして、薄膜装置と電気的に接続された配線層（１０２ａ〜ｄ）を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 機能性膜のパターンを形成する際、線幅や形状などについて精度よく形成可能なパターン形成方法、および機能性膜を提供すること。
【解決手段】 機能性膜の形成に先立って、設計パターンを副領域に分割し、当該副領域の境界線を描くように第１の液状体を配置し、中間乾燥工程を経て、線状膜３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを形成する。次いで、副領域を描くように第２の液状体を配置して、第２の液状体のパターン３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄを形成し、本乾燥工程を経て、一体化された機能性膜が完成する。 （もっと読む）

【課題】 狭い活性領域にコンタクト部を配設する工程を、容易に行うことができる半導体装置および半導体装置等を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、ＳＯＩ基板１０、活性領域３ａ、第一の絶縁膜（完全分離絶縁膜）３ｂ、第二の絶縁膜（部分分離絶縁膜）３ｃ、およびコンタクト部４を備えている。ここで、活性領域３ａは、ＳＯＩ層３の表面内に形成されている。また、第一の絶縁膜３ｂは、活性領域３ａの一方の側面に形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から埋め込み絶縁膜２にかけて形成されている。また、第二の絶縁膜３ｃは、活性領域３ａの他方の側面において形成されており、かつ、ＳＯＩ層３の表面から、埋め込み絶縁膜２に至らない所定の深さにかけて形成されている。また、コンタクト部４は、平面視において、活性領域３ａの中心より第一の絶縁膜３ｂが存する側に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 基板加熱温度の制限範囲を逸脱することなく製造コストの低減を実現できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された半導体層と電極部材とを具備した薄膜トランジスタの製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後に行われる前記電極部材を形成する工程が、液相法を用いて金属材料からなる前記電極部材を形成する工程であり、当該工程における前記電極部材の焼成温度が２５０℃以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 機能性膜のパターンを形成する際、線幅や形状などについて精度よく形成可能なパターン形成方法、および機能性膜を提供すること。
【解決手段】 機能性膜の形成に先立って、設計パターンを副領域に分割し、且つ、当該複数の副領域を互いに隣接しない複数のグループに分類する。まず、第１のグループについて描画、乾燥を行って配線膜３８ａ，３８ｂ，３８ｄを形成した後、第２のグループについて描画を行い、液状体のパターン３３ｃ，３３ｅ，３３ｆ，３３ｇを形成する。その後乾燥工程を経て、一体化された機能性膜が完成する。 （もっと読む）