【課題】安定した無線通信を行う半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、信号処理回路と、信号処理回路に接続されたアンテナ回路と、信号処理回路に電力を供給する蓄電手段を有する。信号処理回路は、アンテナ回路を介して、情報を受信および送信し、アンテナ回路で受信された信号から直流電圧を生成し、蓄電手段に充電する。また、アンテナ回路は、電磁誘導方式で信号を受信するアンテナ部、およびマイクロ波方式で信号を受信するアンテナ部を有し、広帯域の周波数の信号を受信できるようになっている。広帯域の信号を受信できるため、蓄電手段を充電できる環境が広がる。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｆを含むゲート絶縁膜とメタルシリサイドゲート電極とを含むＭＯＳトランジスタのしきい値電圧を下げられる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたｐチャネルＭＯＳトランジスタであって、Ｈｆを含む第１のゲート絶縁膜１０６と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられ、アルミニウム酸化物とシリコン酸化物とを含む第２のゲート絶縁膜１０８と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属シリサイドゲート電極１０９とを含む前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタとを具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）は、第１の導電型を有する基板と、第１の導電型とは反対の第２の導電型を有するドリフト層と、ドリフト層内にあって第１の導電型を有するウェル領域とを含む。ドリフト層上にはエピタキシャル・チャネル調整層があり、エピタキシャル・チャネル調整層は第２の導電型を有する。エピタキシャル・チャネル調整層の表面からエピタキシャル・チャネル調整層を貫通してウェル領域内へエミッタ領域が延びる。エミッタ領域は第２の導電型を有し、エミッタ領域に隣接したウェル領域内にチャネル領域を少なくとも部分的に画定する。チャネル領域上にゲート酸化物層があり、ゲート酸化物層上にゲートがある。関連方法も開示される。
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【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１〜１３４と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３〜１０６とを有する薄膜トランジスタ１１８〜１２１と、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホール１４２を含む第１のコンタクトホールと、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホールに含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホール１４２の底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてベース領域及びベース電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物として、例えば、アンチモンが含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成してある。各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面の一部には、エミッタ領域ＲＥが各凹部１０ａで離隔されるように形成してあり、コレクタ領域ＲＣの上側であって、各凹部１０ａの底面及び側面、並びにエミッタ領域ＲＥの下側には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ電極の表面上に、無電界めっき法により、均一な膜厚のＮｉ層を形成する。
【解決手段】半導体基板１５の表面上に、Ａｌ金属層１９を形成する工程と、Ａｌ金属層１９上にＮｉ層２０を無電解めっき法により形成する工程と、半導体基板１５をチップ化することで、半導体チップ２を形成する工程と、半田により、導体部材とＮｉ層２０とを接合する工程とを有する半導体装置の製造方法において、Ａｌ金属層１９を形成する工程では、半導体基板１５の表面上に、ＡｌもしくはＡｌ合金からなる第１の層１９ａを形成した後、第１の層１９ａの表面に、Ａｌ金属層１９の導電性を確保しつつ、第１の層中のＡｌ結晶の連続性を断ち切るように、第１の層とは材質が異なる異種材質層１９ｂを形成し、その後、異種材質層１９ｂの面に、第１の層１９ａと同一材料からなる第２の層１９ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの電極を確実に分離することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各凹部１０ａの側面及び各凹部１０ａ周辺のシリコン基板１０上面には、シリコン酸化膜１１が形成してあり、さらに、シリコン酸化膜１１の上面には、シリコン窒化膜１３が形成されている。シリコン窒化膜１３の縁辺は、シリコン酸化膜１１の縁辺より突出させてオーバハング形状（庇状）にしてある。また、各凹部１０ａの開口部周りのシリコン酸化膜１１は、等方性エッチングによってオーバハング形状にしてある。すなわち、各凹部１０ａの開口部周りは、シリコン窒化膜１３によるオーバハングとシリコン酸化膜１１によるオーバハングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物（例えばアンチモンＳｂ）が含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの底面及び側面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】メタルマイグレーションの信頼性を確保しつつ小型化を可能とした半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体層１０３と、この半導体層１０３の表面に設けられた表面絶縁膜１０８とを備える。表面絶縁膜１０８のうち一部の領域を、半導体層表面を露出させるように貫通してコンタクト穴１２０Ｅ，１２０Ｃが形成されている。第１のメタル層１０９Ｅ，１０９Ｃがコンタクト穴１２０Ｅ，１２０Ｃの底と側壁とに沿って設けられている。第１のメタル層１０９Ｅ，１０９Ｃ上に第２のメタル層１１１Ｅ，１１１Ｃが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な製法によって製造が可能で、エレクトロマイグレーション耐性に優れ、簡易な製法によって製造が可能な配線層を備える半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地絶縁膜２上にＡｌ合金を堆積して初期配線層３を形成した後、初期配線層３の表層部分にＡｌイオンを注入する。このとき、ウェハを回転させることで初期配線層３の表面外周部分にＡｌイオンを注入し、これによって当該部分をアモルファス化する。その後、熱処理工程を行い、アモルファス層を再結晶化して結晶粒径の小さい第２配線層７を外周部分に形成すると共に、初期配線層３を構成する結晶粒４の結晶成長を誘発して結晶粒径の大きい第１配線層８を内層部分に形成する。 （もっと読む）

【目的】特性測定用のステージにゴミがある場合でも、ウェハ状態でのチップ形成箇所のピエゾ効果による漏れ電流の誤判定が起こり難い半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ半導体基板１の裏面側に形成したｎフィールドストップ層９と、このｎフィールドストップ層９の表面層に形成したｐコレクタ層１０とからなる裏面拡散層１６の厚さが５μｍ以下と薄い場合に、Ｔｉ膜１１，１３、やＮｉ膜１４などの積層膜で形成される裏面電極１９のその積層膜に０．３μｍ〜４μｍの厚さのＡｌ−Ｓｉ膜１２を挟み応力緩衝することで、ピエゾ効果によるウェハ状態でのチップの漏れ電流の誤判定率を低下させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の裏面部にアルミスパイクが発達しづらい半導体装置を提供すること。
【解決手段】 はんだを介して回路基板と接合するために、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を有する裏面電極２０を備えている縦型のＩＧＢＴである。第１導電層２８は、アルミニウムとシリコンを含んでいる。第２導電層２６は、チタンを含んでいる。第３導電層２４は、ニッケルを含んでいる。第１導電層２８の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の裏面に裏面電極が形成されている縦型の半導体装置において、シリコン基板の裏面部の窪み（ピット）が低減された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 コレクタ電極２０は、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を備えている。第１導電層２８は、アルミニウムとシリコンを含んでいる。第２導電層２６は、チタンを含むとともに、少なくとも第１導電層２８と接する界面を含む部分にシリコン又は窒素をさらに含む混合層２６ｂを有している。第３導電層２４は、ニッケルを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、設計の自由度を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置１０は、ソースおよびドレイン間に配置される第１導電型の導電層２７と、該導電層のソース側に、所定の間隔で埋め込み形成されたトレンチゲート２６と、該トレンチゲートの隣り合う一方の側壁にそれぞれ隣接して前記トレンチゲートに印加される電圧で反転層を形成してソースおよびドレイン間の電流制御を行なうための第２導電型の反転層形成領域１４と、逆方向電圧の印加による電界を緩和するために前記導電層に埋め込まれた第２導電型の埋め込み領域１３と、を備えており、埋め込み領域１３はトレンチゲートの隣り合う他方の側壁にそれぞれ隣接して当該トレンチゲートの深さ寸法より深い位置まで埋め込み形成され、かつソースに直接的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】微細なｐ型埋め込み層を形成可能となり、高耐圧・低オン抵抗となるＳＢＤを実現する。
【解決手段】ｎ- 層31の一方の表面にｎ+ カソード層32が形成され、ｎ+ カソード層32上にカソード電極33が形成されている。ｎ- 層31の他方の表面には複数のｐガードリング層34が互いに間隔をおいて選択的、且つ、平面ストライプ状に拡散形成され、溝が形成されて絶縁物37で埋め込まれている。溝の底部には、ｐ埋め込み層35が形成されている。ｎ- 層31とショットキー接合を形成するアノード電極36が形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属膜をエッチングした後の残存物を確実に除去して、シリコン膜のエッチング均一性を向上させ、かつ、エッチング残さの生成を防止する。
【解決手段】下地となる絶縁膜１上に、微結晶シリコン膜２とクロム膜３とを順に成膜し、レジスト４をマスクとして、ウェットエッチングを行い、クロム膜３をパターニングする。次に、塩素ガス及び酸素ガスを含む混合ガスによるプラズマに、残存物５が存在している微結晶シリコン膜２を晒し、微結晶シリコン膜２の表面の残存物５を選択的にエッチングし除去する。この後、微結晶シリコン膜２のドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】低い配線抵抗，熱的安定性を有し，画素電極との接触抵抗特性が改善されたフラットパネルディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラットパネルディスプレイ装置は、基板１００と，該基板１００上に順次積層された耐熱性金属膜パターン１３１ａ，アルミニウム系金属膜パターン１３１ｃ，およびキャッピング金属膜パターン１３１ｄを備えるソース／ドレイン電極１３１と，を含み，耐熱性金属膜パターン１３１ａは，５００Å以下の厚さを有し，耐熱性金属膜パターン１３１ａとアルミニウム系金属膜パターン１３１ｃとの間には，拡散防止膜パターン１３１ｂがさらに含まれる （もっと読む）

【課題】パッシベート膜の段切れや破断を防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１に、半導体素子２と、第一のスパッタリングにより半導体素子２上に形成される配線膜５と、第一のスパッタリングよりもスパッタ粒子の平均自由工程が短い第二のスパッタリングにより配線膜５上に形成され、配線膜５に形成された凹み部５ａを架橋する架橋膜６と、架橋膜６上に形成されるパッシベート膜７と、を具備することにより、パッシベート膜７が凹み部５ａに沿って成長することに起因するパッシベート膜の段切れや破断を防止する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性を向上させ、且つ電流駆動力が高くすることを可能にする。
【解決手段】半導体基板１に形成された、特定の導電型の不純物を含む半導体領域３と、半導体領域中に相互に向かい合う様に形成され、金属または金属と半導体領域をなす半導体との化合物を含むソースおよびドレイン領域４ａ、４ｂと、ソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間の半導体領域を覆うとともにソースおよびドレイン領域のそれぞれの一部を覆うように形成された絶縁膜５と、絶縁膜上に形成されたゲート電極６と、を有し、ソースおよびドレイン領域間の半導体領域の少なくとも一部の領域上に於ける絶縁膜とゲート電極との界面は、ソースおよびドレイン領域と半導体領域との接合部の上に於ける絶縁膜とゲート電極との界面よりも半導体領域側に存在する。 （もっと読む）

【課題】アニール処理を伴うウエハへの成膜処理において、ウエハ内のアニール温度を均一に保つことのできる技術を提供する。
【解決手段】ホルダフレームＵＨＦ、ウエハ押さえ軸ＵＨＰおよびウエハ押さえ爪ＵＨＮから形成された上部ウエハホルダＵＷＨと、下部ウエハホルダＢＷＨとを備えた熱処理装置内において、ウエハ状のｎ^＋＋型高濃度基板１と接触するウエハ押さえ爪ＵＨＮおよび下部ウエハホルダＢＷＨは、熱伝導率が低い石英ガラスから形成されたものを用いる。 （もっと読む）