本発明は、少なくとも１つの電気的な接触面（２０）を有する少なくとも１つの電気的な構成要素（２）と、該構成要素（２）の前記接触面（２０）を電気的に接触させるための少なくとも１つの電気的な接続導体（３）と、前記構成要素（２）の上に配置された少なくとも１つの絶縁層（４）とを有し、該絶縁層（４）が該絶縁層（４）の厚さ方向でこれを貫通する少なくとも１つの開口（４２）を有し、該開口（４２）が前記構成要素（２）の接触面（２０）に向き合って配置されており、前記絶縁層（４）が前記開口（４２）を制限する側面（４３）を有し、前記電気的な接続導体（３）が前記側面（４３）に配置された少なくとも１つの金属化層（３０）を有しているシステムに関する。該システムは、前記金属化層（３０）が前記接触面（２０）に対し斜めに配向されていることを特徴としている。斜めに配向された金属化層によっては、前記絶縁層の上に配置された前記接続導体の区分と前記絶縁層と前記構成要素とが互いに機械的にかなり結合される。有利には金属化層は数μｍの厚さを有している。機械的な減結合によって、前記接続導体と前記絶縁体と前記構成要素とは、熱的な膨張係数の異なる材料から成っていることができる。本発明は特に、出力半導体構成要素を大きな面積で電気的に接触させるために使用される。
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半導体構造体を作製する方法は、基板上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層上に窒化ケイ素層を形成する段階と、各層をＮＯ中でアニールする段階と、各層をアンモニア中でアニールする段階とを含む。酸化物層と窒化ケイ素層とを併せた等価酸化膜厚は、最大２５オングストロームである。 （もっと読む）

高アスペクト比ビア内に連続シード層を形成する方法とそれに関連付けられる構造体を記載する。この方法は、基板内に凹部（１０４）を形成する段階と、凹部内に非連続金属層を形成する段階と、凹部内の非連続金属層（１１２）と、少なくとも１つの非堆積領域（１０９）を活性化させる段階と、凹部内の非連続金属層及び少なくとも１つの非堆積領域上にシード層（１１６）を無電解メッキする段階と、実質的にボイドがなく、金属が充填された凹部を形成するようシード層上に金属充填層を形成する段階を含む。
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本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）