【課題】有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法及びその製造に使われるシャドーマスクを提供する。
【解決手段】それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備えた複数個の薄膜トランジスタを備えた基板が提供されるが、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、規則的なパターンの半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離（または基板の他の配線と電極との間の最小距離）より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じある薄膜トランジスタを有する基板である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の側面をチャネル領域に利用した電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極の側面を利用してソース電極及びドレイン電極を同時にかつ均一な厚みで形成する。
【解決手段】基板１と、第１の側面２ａ、上面２ｂ及び第２の側面２ｃを有するゲート電極２と、ソース電極及びドレイン電極の内の一方を構成する第１の電極４と、他方を構成する第２の電極５と、半導体層６とを備え、第２の側面２ｃは、基板１の法線方向からの傾斜角ａが、０＜ａ≦３０°の範囲となるように、第２の電極５側に傾斜して形成され、第１の側面２ａは、基板１の法線方向からの傾斜角ｂが、０＜ｂ＜９０°の範囲となるように、第２の側面２ｃと同じ方向に傾斜して形成されており、第１の電極４と第２の電極５が、ゲート電極２の第２の側面２ｃによって分断して形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】金属ゲート電極のエッチング条件が、閾値電極を構成する材料が異なっても同一となる金属ゲート電極MOSFETを提供すること。
【解決手段】ゲート酸化膜に接して形成された第１の金属層と第１の金属層の上に形成された第１の低抵抗層とからなる第１のゲート電極を有するｎチャネルMOSFETとゲート酸化膜に接して形成された第２の金属層と第２の金属層の上に形成された第２の低抵抗層とからなる第２のゲート電極を有するｐチャネルMOSFETとを有する半導体集積回路において、第１の金属層と第２の金属層が異なった仕事関数を有する金属によって構成され、第１の低抵抗層と第２の低抵抗層とが同一の材料からなる多結晶で構成され、第１の金属層と第１の低抵抗層の間に第１の中間層を有し、且つ第２の金属層と第２の低抵抗層の間に第２の中間層を有し、第１の中間層および第２の中間層が組成、粒径、結晶構造、及び配向方向が同一の導電性多結晶膜からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板の製造方法において、薄膜トランジスタ基板構造に従来必要であったパッシベーション膜を省略することができ、工程数の削減ができるとともに、パッシベーション膜に必要であったコンタクトホール形成工程も不要として工程数を削減する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法において、ゲート端子、ソース端子および画素電極を形成する段階は、薄膜トランジスタが形成された基板上にインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）層またはインジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）層を積層する段階と、前記ＩＺＯ層またはＩＴＺＯ層を１８０℃ないし３００℃の温度にて熱処理して結晶化する段階と、前記結晶化されたＩＺＯ層またはＩＴＺＯ層をパターニングする段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に起因する問題を排除し、微細化に適した電界効果トランジスタを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体で形成されるチャネル領域１０２と、チャネル領域１０２上に形成されるゲート電極３１０と、チャネル領域１０２を挟んで両側に形成される同一導電型を有するソース領域２１０およびドレイン領域２２０とを具備する電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、ゲート電極３２０が金属原子を含有する導電体によって形成され、チャネル領域１０２の少なくとも一部とゲート電極３１０が接触しており、チャネル領域１０２と、ソース領域２１０およびドレイン領域２２０が異なる導電型を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電極材料の材料選択性が広く、キャリア注入効率の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決方法】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜が順次積層され、且つ前記ゲート絶縁膜上にソース電極とドレイン電極が設けられ、且つ半導体膜が前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記ゲート絶縁膜上に設けられた薄膜トランジスタであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極が電子吸引性の官能基を有する化合物で表面処理されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ照射の際に下地の表面状態が変化することを防止でき、信頼性のある半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１０上に密着層１２を形成する工程と、密着層１２上に電極用層１３ａを形成する工程と、電極用層１３ａ上にレジストマスク２０を形成する工程と、レジストマスク２０を用いて電極用層１３ａをパターニングして、ソース／ドレイン電極１３を形成する工程と、レジストマスク２０を除去する工程と、密着層１２をエッチングする工程とを有し、ソース／ドレイン電極１３を形成する工程と、前記密着層をエッチングする工程の間にプラズマを照射する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に透光性を有する層を形成し、透光性を有する層側から光吸収層に選択的にレーザビームを照射する。光吸収層がレーザビームのエネルギーを吸収することで、光吸収層内における気体の放出、光吸収層の昇華または蒸発等により、光吸収層の一部および光吸収層に接する透光性を有する層の一部を除去する。残存する透光性を有する層または光吸収層をマスクとして用いて、第１の層をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層を所望の場所で所望の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程の回数を削減・簡略化する製造技術を提供し、スループットを向上させる。
【解決手段】導電層、半導体層等の被加工層をパターン形成するためのエッチングマスクを、フォトレジストを用いたリソグラフィー技術を用いることなく作製する。エッチングマスクは、レーザビームを吸収する材料からなる光吸収層からなる。光吸収層に、フォトマスクを介して、レーザビームを照射し、光吸収層に吸収されたレーザビームのエネルギーによるレーザアブレーションを利用して、マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。
【解決手段】Ｃｒ膜１１ＳおよびＡｌ系金属膜１２Ｓからなるソース電極１７は、画素電極９の図１の下辺部のほぼ全体の上面およびその近傍におけるゲート絶縁膜５の上面に形成されている。すると、Ｃｒ膜１１Ｓの平面の面積が大きくなり、ひいてはＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積（周囲長×膜厚）も大きくなる。そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】リフトオフ法を用いずエッチング法を用いても、チャネルの消失を防止できる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決方法】少なくとも、絶縁基板上にゲート電極パターンを形成する第１工程と、ゲート絶縁膜を前記ゲート電極パターン上に形成する第２工程と、酸化物半導体膜パターンを前記ゲート絶縁膜上に形成する第３工程と、ソース電極とドレイン電極を前記ゲート絶縁膜上に形成する第４工程からなる薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極とドレイン電極をゲート絶縁膜上に形成する第４工程が、電極層を形成した後、（電極層の膜厚÷電極層のエッチングレート）が（酸化物半導体膜パターンの膜厚÷酸化物半導体膜パターンのエッチングレート）より小さいエッチャントによるエッチングによって、ソース電極とドレイン電極を形成する工程であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 有機膜パターンへの２回目以降の現像処理をスムーズに行うことなどを可能とする基板処理方法及びそれに用いる薬液を提供する。
【解決手段】 基板１上の有機膜パターン４の表面には、有機膜パターン４の表層部が変質してなる変質層と、該有機膜パターンの表面上に堆積物が堆積してなる堆積層と、のうちの少なくとも一方からなる阻害層が形成されている。この場合に、少なくとも前記阻害層を除去する除去処理に用いられる薬液であって、ヒドロキシルアミン誘導体とヒドラジン誘導体とのうちの少なくとも一方からなる第１の成分と、現像機能液成分と、を含む水溶液である。 （もっと読む）

【課題】同一の材料のメタルゲート電極をｎ型ＭＯＳ領域およびｐ型ＭＯＳ領域に用いて高精度で仕事関数を制御することができるＣＭＯＳ型の半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０の主面に形成されたｎＭＯＳ領域３７およびｐＭＯＳ領域３８を含むＣＭＯＳ型の半導体装置であって、ｎＭＯＳ領域３７は、ＷＳｉ膜１７を含むメタルゲート電極２３を有し、ｐＭＯＳ領域３８は、ＷＳｉＮ膜３５を含むメタルゲート電極２５を有し、ＷＳｉＮ膜３５のＮ量を制御してその仕事関数を制御し、ｐＭＯＳ領域３８におけるゲート電極２５の閾値を制御する。 （もっと読む）

【課題】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造は、下部構造物上に形成されたバリヤ膜と、バリヤ膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含む。これにより、銅導電膜の化学的反応による酸化又は腐蝕を防止でき、低抵抗銅配線の信頼性を確保でき、信号特性がよくなり、画質が改善できる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの低抵抗のオーミックコンタクト層を酸化亜鉛膜によってバラツキが生じないように形成する。
【解決手段】 真性酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層（１３、１４）形成用膜をスパッタリングにより成膜する。この状態では、オーミックコンタクト層形成用膜は高抵抗である。次に、オーミックコンタクト層形成用膜の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる第１の保護膜（１５、１６）形成用膜を成膜する。すると、オーミックコンタクト層形成用膜の抵抗が著しく低下する。この場合、オーミックコンタクト層形成用膜の成膜は、亜鉛をターゲットとして、酸素ガスを用いた反応性スパッタリングにより行うと、ターゲットが１つで亜鉛のみからなるので、低抵抗のオーミックコンタクト層１３、１４をｎ型不純物を含まない酸化亜鉛によってバラツキが生じないように形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数で、支持基板への十分なコンタクトが形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板１１の主面に絶縁膜１２を介して形成された半導体膜１３にゲート絶縁膜２０を介して形成されたゲート電極膜２１と、ソース領域２２およびドレイン領域２３とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタ１５と、半導体膜１３および絶縁膜１２を貫通し、支持基板１１に達する第１開口部に、厚さが０より大きく２ｎｍ以下のシリコン酸化膜２８を介して形成されたポリシリコン膜２９を有する支持基板コンタクト部１７とを具備する。ポリシリコン膜２９と支持基板１１とのコンタクト面積を十分大きく設定することにより、シリコン酸化膜２８のリーク電流を介してコンタクトを得る。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクトを適切に形成するとともに、剥がれ不良を抑制することが可能なＳｉＣ半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１に導通するカソード電極６と、を備えるショットキーバリアダイオードＡであって、ＳｉＣ基板１とカソード電極６との間に介在するＮｉシリサイド層２をさらに備えており、カソード電極６のうちＮｉシリサイド層２と接する部分は、Ｎｉ以外の金属からなる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】 透明電極であるＺＡＯ（アルミニウム酸化物添加亜鉛酸化物）膜のエッチング液として工業的に有効なものを提供する。
【解決手段】 クエン酸及び／又はクエン酸塩を含有する水溶液からなるエッチング用組成物をＺＡＯのエッチング液として使用する。 （もっと読む）