炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。

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【課題】 ポリメタル構造を有するゲート電極において、ポリシリコン膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。
【解決手段】 半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してポリシリコン膜１２を堆積した後、該ポリシリコン膜１２の上に、第１の窒化チタン膜１４、チタン膜１５及び第２の窒化チタン膜１６からなるバリア膜を形成する。バリア膜の上にタングステン膜１８を堆積して、ポリシリコン膜１２、第１の窒化チタン膜１４、チタン膜１５、第２の窒化チタン膜１６及びタングステン膜１８からなる電極構造体を形成した後、該電極構造体に対して７５０℃以上の熱処理を施す。このようにすると、第１の窒化チタン膜１４中の窒素がチタン膜１５及びポリシリコン膜１２に拡散して、ポリシリコン膜１２とタングステン膜１８との間に新たな窒化チタン膜１９が形成されると共に、ポリシリコン膜１２の表面に窒化シリコンからなり厚さの小さい反応層２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）