【課題】チャネル領域に応力を与えるため、ソース・ドレイン・コンタクト領域に形成されるシリサイド膜がシリコン基板側に突出することを防ぎ、接合リーク不良の発生やゲートリーク不良の発生を回避する半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置の提供。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１０１と、前記半導体基板１０１中に形成された素子分離絶縁膜１０２によって区画された半導体領域と、前記半導体領域にゲート絶縁膜１０３を介して形成されたゲート電極と、前記半導体領域に形成された第１の拡散層１０７と、前記ゲート電極及び前記第１の拡散層１０７と前記素子分離絶縁膜１０２の間に形成されたシリコンゲルマニウム領域１１３と、前記ＳｉＧｅ領域１１３上に形成されたシリサイド膜１１４を含み、前記ＳｉＧｅ領域１１３は、前記ゲート電極又は前記素子分離絶縁膜１０２に近接した部分で最も厚いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜との接触電気抵抗を増加させることなくＡｌ合金が直接接続し、配線抵抗が小さく、現像液などの電解質液中でガルバニック腐食が生じにくい積層構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜とが直接接続されてなる積層構造を製造する方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、該酸化物透明導電膜上にアルミニウムよりもイオン化傾向の小さい合金成分を含有するＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、前記Ａｌ合金膜をアルミニウムと前記合金成分よりなる金属間化合物の析出温度以上に加熱する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子および従来のタイプの金属-半導体コンタクトを製造するための方法を、パッシベーションにとって重要な裏面電界が中断されたりまたは損なわれたりせずに、機械的に耐久性のある、電気的に完璧に半田づけ可能なコンタクトが、特にアルミニウムからなりまたはアルミニウムを含む第２の層の材料の領域で、製造されるように、改善する。
【解決手段】導電性のコンタクト（１５ａ）は、第２の層（１２）の中に浸透して合金化されており、または第２の層の材料と混合物を形成する半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を有する。 （もっと読む）

【課題】凹部に銅配線を埋め込み後、加熱によりバリア膜を形成すると共に、シード層を構成する金属の余剰分を配線から除去するにあたって、配線中の前記金属及びその酸化物の残留を抑え、配線抵抗の上昇を防ぐこと。
【解決手段】酸化物となり銅の拡散防止機能を発揮する自己形成バリア用の金属又はこの金属と銅との合金からなるシード層を、基板表面の層間絶縁膜上及びその凹部の壁面に沿って形成する工程と、前記シード層を水素の活性種を用いて還元する工程と、シード層の還元後、凹部に銅を埋め込む工程と、銅の埋め込み後、前記シード層を構成する自己形成バリア用の金属を酸化してバリア層を形成すると共に余剰の自己形成バリア用の金属を銅の表面に析出させるために酸素雰囲気において基板を加熱処理する工程とを含み、シード層還元後、凹部に銅を埋め込むまでの間の基板が置かれる雰囲気を真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置において、電気的特性を低下させることなく、しきい値電圧の低減を可能とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、シリコン基板を準備する工程と、シリコン基板上に、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜の上に、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ、ＣｏおよびＴｉＮからなる群から選択される金属からなり、添加元素としてＡｌ又は希土類元素を含むゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の両側のシリコン基板にソース／ドレイン領域を形成する工程と、ゲート電極に含まれる添加元素を析出させ、添加元素を含む酸化膜を、ゲート絶縁膜とゲート金属との間に形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。
【解決手段】金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 （もっと読む）

本発明は、支持層（１）と、電子ガスを封じ込めるためのチャネル層（３）と、バリア層（４）と、第１の層が前記バリア層（４）と接触する金属層の重ね合わせによって形成された少なくとも１つのオーム接触電極（５）とを、その基部からその表面まで次々と備える電子デバイスに関する。このデバイスは、バリア層（４）が、接触領域（１０）と呼ばれる領域を（１つ又は複数の）オーム接触電極（５）の下に提供し、この領域は、金属層の前記重ね合わせを形成する複数の金属から選択された少なくとも１つの金属を含むという点で、また、局部合金化部（１２）が接触領域（１０）と電極（５）の第１の層とを結合するという点で注目に値する。
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【課題】ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、基板からのＳｉ、Ｃの析出を防止すると同時に、Ｎｉの酸化を防止してオーミック電極を形成する方法を提供する。
【解決手段】ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、Ｎｉ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層を順次堆積する堆積工程、および非酸化性雰囲気中での熱処理により、上記ＳｉＣ基板と上記Ｎｉ層との合金層を形成する合金化工程を含むことを特徴とするｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上にオーミック電極を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置およびその製造方法は高誘電体をゲート絶縁膜として有し、かつ、適正な閾値電圧を有する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板上に設けられ、シリコン酸化膜よりも比誘電率の高い高誘電体から成るゲート絶縁膜１０８，１０９と、ゲート絶縁膜上に設けられたアルミニウム層を含むＮ型ＦＥＴ用の第１のゲート電極１１０ａと、ゲート絶縁膜上に設けられ、Ｎｉ_ＸＳｉ_Ｙ（Ｘ＞Ｙ）から成るＰ型ＦＥＴ用の第２のゲート電極１１０ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのサイズによらない普遍的な引っ張り歪みをｎチャネル型ＭＯＳトランジスタに印加できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として、高誘電率絶縁膜を使用し、この高誘電率絶縁膜を半導体基板上に界面層を介さず直接形成することにより、チャネル領域に引張り歪を与える。チャネル領域に圧縮歪を有するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタと組み合わせることにより、相補型の高性能半導体装置を構成できる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ上のオーミック電極の形成方法およびそれにより形成されたオーミック電極を提供する。
【解決手段】Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、厚さ１〜６０ｎｍの第１Ａｌ層と、Ｔｉ層と、第２Ａｌ層とを順次堆積する堆積工程、および非酸化性雰囲気中での熱処理により、上記第１Ａｌ層を媒介として上記ＳｉＣ基板と上記Ｔｉ層との合金層を形成する合金化工程を含むことを特徴とするＰ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法。この方法により形成されたＰ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極も提供される。 （もっと読む）

【課題】金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。
【解決手段】半導体装置が、ＭＡ_ｘで表される組成を有する第１のゲート電極を含む第１のトランジスタと、ＭＡ_ｙで表される組成を有する第２のゲート電極を含む第２のトランジスタを少なくとも含むＭＩＳ電界効果トランジスタを含む（式中、ＭはＷ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、およびＴｉからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素であり、Ａはシリコンおよび／またはゲルマニウムであり、０＜ｘ≦３、および０＜ｙ≦３であり、ｘとｙは異なる）。 （もっと読む）

【課題】製造のばらつきを抑制することができるとともに適切なしきい値電圧を有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型半導体基板に離間して形成されたｐ型の第１ソース・ドレイン領域５ａ、５ｂと、第１ソース領域と第１ドレイン領域との間のｎ型半導体基板上に形成された第１ゲート絶縁膜１１と、第１ゲート絶縁膜上に形成され、Ｓｉに対するＮｉの組成比が１より大きな第１ニッケルシリサイド層１５ａと、この第１ニッケルシリサイド層上に形成され酸化物生成エネルギーの絶対値がＳｉのそれよりも大きな金属を含みかつＳｉに対する前記金属の組成比が前記Ｓｉに対するＮｉの組成比より小さいシリサイド層１５ｂと、を含む第１ゲート電極１５と、を有するｐチャネルＭＩＳトランジスタと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易なＮｉ−ＦＵＳＩ／ＳｉＯＮあるいはＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜構造および低いしきい値電圧Ｖｔｈを有するＣＭＩＳを備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】基板１中に互いに絶縁分離されたｐ型半導体領域２とｎ型半導体領域３を形成する工程と、ｐ型およびｎ型半導体領域上に第１および第２ゲート絶縁膜５，１５をそれぞれ形成する工程と、第１ゲート絶縁膜上にＮｉ／Ｓｉ＜３１／１２となる組成の第１ニッケルシリサイド６ｂを形成するとともに第２ゲート絶縁膜上にＮｉ／Ｓｉ≧３１／１２となる組成の第２ニッケルシリサイド１６を形成する工程と、第１ニッケルシリサイド中にアルミニウムを拡散させ、第１ニッケルシリサイドと第１ゲート絶縁膜との界面にアルミニウム６ａを偏析させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極および導電膜を容易に形成するとともに、高いオーミック特性および導電膜の低抵抗を維持する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１２を準備する準備工程を実施する。そして、半導体層１２上に、オーミック電極材料からなる第１金属層を形成する第１金属層形成工程を実施する。そして、第１金属層上に、第２金属層１４を形成する第２金属層形成工程を実施する。そして、第１および第２金属層１４の一部分を半導体層１２上に残存させる一方、他の部分を半導体層１２上から除去する除去工程を実施する。除去工程後に、第１金属層１４の一部分を半導体層１２と合金化する合金化工程を実施する。第２金属層１４において第１金属層と接触する部分は、合金化工程での加熱温度より融点が高く、かつ第２金属層形成工程と合金化工程とを実施する環境下で第１金属層と反応しない金属からなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置においてリーク電流の低減が要求されている。
【解決手段】 本発明に従うSBDを形成する方法は、窒化物半導体２の上にチタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する工程を有する。チタン膜８及びアルミニウム膜９を電子ビーム蒸着法で形成する時に自然発生的に極く薄いチタン酸化膜１０がチタン膜８と窒化物半導体２との間に生じる。この極く薄いチタン酸化膜１０を窒化物半導体２の上に残存させて表面安定化膜として使用し、リーク電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】ゲートコンタクト抵抗値及びシート抵抗値を同時に低くし得る中間構造物を有するゲート構造及びゲート構造を有する半導体素子、並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子は、上面及び下面を有する基板２１と、基板２１の上面近くに形成され、ゲート絶縁膜２２、ゲート絶縁膜２２上に形成された第１電極２３、第１電極２３上に形成された中間構造物２４、及び中間構造物２４上に形成された第２電極２５を含むゲート構造とを備え、中間構造物２４が、チタン（Ｔｉ）を含む第１Ｔｉ膜１０１と、タングステン及びシリコンを含み、第１Ｔｉ膜上に形成された第２Ｗ膜２４Ｄとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層とソース電極，ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を小さくした電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１０は、炭化珪素，シリコン，サファイアの中から選ばれる１種の基板１１と、基板１１上に設けられ，キャリアを供給する活性層を含むIII族窒化物系半導体層１２と、この半導体層１２上に離間して設けられ，ＴｉとＴａとＡｌを含み、半導体層１２に対してオーミック接触性を有するソース電極１３およびドレイン電極１４と、半導体層１２上においてソース電極１３とドレイン電極１４の間に設けられたゲート電極１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドが形成されたデバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一部領域がシリコンゲルマニウムからなる基板を提供するステップと、前記シリコンゲルマニウム上に金属層を形成するステップと、金属層が形成された基板を高圧で熱処理してゲルマニウムシリサイドを形成するステップと、を含むことを特徴とするゲルマニウムシリサイドの形成方法及びゲルマニウムシリサイドを形成した半導体デバイスである。 （もっと読む）