【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体層１１に、第２導電型の不純物Ｂをイオン注入する工程と、半導体層１１に熱処理を施して不純物Ｂの一部を活性化し、第１不純物拡散層１２を形成する工程と、第１不純物拡散層１２に選択的にレーザを照射してレーザが照射された領域の未活性の不純物Ｂを活性化し、第１不純物拡散層１２より高いキャリア濃度を有する第２不純物拡散層１３を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ショットキー接合界面にＰｔまたはＡｕが到達してしまうおそれを低減する。
【解決手段】Ｎ＋型半導体基板1上のＮ−型エピタキシャル層2に複数のトレンチ2aを形成し、トレンチ2aの側面2a1および底面2a2を介してＰ型不純物を導入して拡散させることにより、ガードリング部4とＰ型層5とを形成し、トレンチ2aの側面2a1上および底面2a2上に酸化膜3を形成し、酸化膜3のうち、トレンチ2aの底面2a2に隣接する部分に開口2bを形成し、半導体チップの表面全体にＰｔまたはＡｕ7を蒸着し、蒸着されたＰｔまたはＡｕ7の上からポリシリコン8を堆積させてトレンチ2aの内部にポリシリコン8を充填し、トレンチ2aの底面2a2の開口3bを介してＰｔまたはＡｕ7をトレンチ2aの底面2a2の下方に拡散させる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ⁺コンタクト領域６を形成する。炭化珪素半導体基板の表面にパッシベーション膜８を形成し、ｐ⁺コンタクト領域６上のパッシベーション膜８を除去する。ついで、炭化珪素半導体基板の表面に、第１のニッケル膜９、第２のチタン膜１０、第３のニッケル膜１１を順次積層する。ついで、エッチングにより、ｐ⁺コンタクト領域６上にのみ、第１のニッケル膜９および第２のチタン膜１０を残す。ついで、熱処理を行い、ニッケルシリサイドおよびチタンカーバイドからなるコンタクト電極を形成する。ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。チタン膜のエッチングには、アンモニア水もしくは過酸化水素水を用いる。 （もっと読む）

【課題】 フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、１．２×１０^１２ｃｍ^−２未満である。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。
【解決手段】シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４にポリシリコン膜８ａとタングステンシリサイド膜８ｂの積層膜からなり、弗素を含んだ弗素含有膜８を形成する。この場合、先ず、シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４上にポリシリコン膜８ａを形成し、ポリシリコン膜８ａ上にＷＦ_６とＳｉＨ_４を原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法によりタングステンシリサイド膜８ｂを形成する。この場合、ＷＦ_６中の弗素はＳｉＨ_４中の水素と反応し、大半は弗化水素（ＨＦ）ガスとして排気され、タングステンシリサイド膜８ｂを形成する反応が継続するが、弗素の一部はタングステンシリサイド膜８ｂの中に取り込まれる。その後、タングステンシリサイド膜８ｂの弗素をゲート酸化膜３中に熱拡散させるための熱処理が施される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。次いで、ベース絶縁膜上に、ベース絶縁膜より薄く、かつ、金属元素のみからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、耐湿性および耐酸化性を有する保護膜を形成する。その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜（高誘電率膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＣａ：０．０１〜１０モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−カルシウム含有銅合金下地層１２と、酸素−カルシウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】高誘電体材料を含むゲート絶縁膜とメタルゲート電極とを有する半導体装置の製造中にポリシリコンからなる残渣が素子分離領域上に生じる虞があり、不良の原因であった。
【解決手段】半導体基板１０の第１の活性領域１０ａ上には、第１のゲート絶縁膜１３ａと、第１の下層導電膜１４ａ及び第１のシリコン膜１８ａを有する第１のゲート電極１９ａとを備えた第１導電型の第１のトランジスタが形成されており、半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第２の下層導電膜１４ｂ及び第２のシリコン膜１８ｂを有する第２のゲート電極１９ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。第１のゲート絶縁膜１３ａは高誘電体材料と第１の金属とを含有し、第１の下層導電膜１４ａは導電材料と第１の金属とを含有し、第２の下層導電膜１４ｂは第１の下層導電膜１４ａと同一の導電材料を含有している。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板とのオーミック性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上にインジウムからなる電極材を配置し（Ｓ１）、温度200℃程度で電極材を酸化ガリウム単結晶基板の表面上に溶着し（Ｓ２）、その後、温度600℃〜1000℃で少なくとも20分の熱処理を施して酸化ガリウム単結晶基板と電極材との界面部を合金化する（Ｓ３）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を製造する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を形成する際に、ゲート絶縁膜に金属原子が注入されることを抑制し、ゲートリーク電流の増加や閾値電圧の不安定化等を防止する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の製造方法である。半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成する。ゲート絶縁膜１２上に金属原子を複数個含むクラスタのイオン１３を堆積させ、ゲート電極１４の少なくとも最下層を形成する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、シリコン半導体デバイス、および太陽電池デバイスの前面に使用するための伝導性ペーストに関する。
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ゲート電極（１４、２８）によって制御されるチャネル（２０、３４）によって接続される金属ショットキーのソース電極（１０、２４）、及びドレイン電極（１２、２６）を有する相補型ｐ、及びｎＭＯＳＦＥＴトランジスタ（３、４）を製造する方法であって、ｐ、及びｎトランジスタの双方のための単一のシリサイドからソース電極、及びドレイン電極を製造することと、相補型ｎトランジスタ（４）をマスクして、シリサイドと、ｐトランジスタのチャネル（２０）との間の界面（２２）における周期表のＩＩ族、及びＩＩＩ族からの第１の不純物（２１）を偏析することと、相補型ｐトランジスタ（３）をマスクして、シリサイドと、ｎトランジスタのチャネル（３４）との間の界面（３６）における周期表のＶ族、及びＶＩ族からの第２の不純物（３５）を偏析することと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の信頼性および半導体装置の性能を確保可能である半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、Ｓｉ基板１００上にゲート絶縁膜１０３を形成するゲート絶縁膜形成工程と、ゲート絶縁膜１０３上に第１の金属膜を形成する第１の金属膜形成工程と、第１の金属膜上に金属電極１０４を構成する第２の金属膜を形成する第２の金属膜形成工程と、熱処理を行なってゲート絶縁膜１０３と第１の金属膜との間にゲート絶縁膜１０３と第１の金属膜との反応膜１１８を形成する反応膜形成工程とを行なって、第１の金属膜形成工程時のゲート絶縁膜１０３の損傷を回復させている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子がそれぞれ所望の特性を有し、かつ信頼性の高い半導体装置およびその半導体装置を容易に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜６の上面上に、全面的に、３〜３０ｎｍの厚みのゲート電極用金属膜Ｍを形成する。次に、ゲート電極用金属膜Ｍの上面のうちでｎＦＥＴ領域Ｒｎ内に属する部分にのみ、全面的に、ゲート電極用金属膜Ｍとは異種材料の、１０ｎｍ以下の厚みのｎ側キャップ層８Ａを形成する。その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。それ以降は、ポリＳｉ層を堆積した上で、ゲート電極加工を施す。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオードの製造方法では、ＧａＮ基板上に、当該基板の表面の一部を覆うと共に側面が基板の表面に対して順テーパ状になっている第１のマスク層を形成する工程（Ｓ１０）を実施する。第１のマスク層の側面に接触するように、第２のマスク層となるべき膜を形成する工程（Ｓ２０）を実施する。第１のマスク層を除去することにより、上記膜からなる第２のマスク層を形成する工程（Ｓ３０，Ｓ４０）を実施する。第２のマスク層をマスクとして、基板上にメサ構造部を構成するエピタキシャル膜を選択成長させる工程（Ｓ５０）を実施する。第２のマスク層を除去する工程（Ｓ６０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスの小さな窒化物半導体デバイス用のショットキ電極を提供する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物の半導体層と、前記半導体層に接して前記半導体層より上層に形成された導電体層と、を備えた半導体装置であって、前記導電体層は、２種以上の金属層が積層された積層金属層が合金化されて形成された合金であり、前記合金の仕事関数は、合金化前に前記半導体層に接していた金属の仕事関数より大きい半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】側面方位とキャリア極性に応じて歪み方向が最適化されたＦｉｎＦＥＴおよびナノワイヤトランジスタと、これを実現するＳＭＴを導入した製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１４と、半導体基板１４の上部に形成され、半導体基板１４主面に平行な上面と、半導体基板１４主面に垂直な（１００）面の側面を有する直方体状半導体層４０と、直方体状半導体層４０内に形成されるチャネル領域１８と、チャネル領域１８の少なくとも側面上に形成されるゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上のゲート電極３０と、直方体状半導体層４０内に、チャネル領域１８を挟み込むよう形成されるソース／ドレイン領域とを備え、チャネル領域１８に、半導体基板１４主面に対して垂直方向の圧縮歪みが印加されているｐＭＩＳＦＥＴを有することを特徴とする半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグ材料の基板への拡散を抑制する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板２００と導通するコンタクトプラグとなるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、半導体基板２００と接触して配置された柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４２と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、ＴｉＮ膜２４２と接触して配置された、ＴｉＮのアモルファス膜２４４と、Ｃｕ膜２６０の底面側と側面側に、少なくとも一部がアモルファス膜２４４とＣｕ膜２６０とに接触して配置された、ＴｉＮ膜２４２材と同じ材料で柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４６と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置されたＳｉＯ_２膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）