【課題】 蒸着リフトオフという高価な工程を使用せずに、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の位置合わせ精度を向上させ、ゲート電極に対するソース電極およびドレイン電極の重なりを小さい薄膜トランジスタ製造方法の提供。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、透明絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、前記透明絶縁基板と前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、レジストを塗布する工程と、裏露光によって前記ゲート電極に自己整合したレジストパターンを形成する工程と、ソース電極とドレイン電極を形成する工程と、レジストを除去する工程とを少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極とドレイン電極を形成する工程が、金属ナノ粒子を含む液体を塗布する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単にチャネル長を短くし、かつ、製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法、および、かかる製造方法を用いた電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の液体の液滴を基体４８上に付与する工程と、基体４８上に付与された第１の液体の液滴から溶媒等を除去することにより、基体４８上に第１の膜７６を形成する工程と、第１の膜７６に重なるように、第２の液体の液滴７１を基体４８上に付与する工程と、基体４８上に付与された第２の液体の液滴７１から溶媒等を除去することにより、第２の液体の液滴７１の外径を減少させつつ、基体４８上に第２の膜７７を第１の膜７６に対し間隔を隔てて形成する工程とを有し、第１の膜７６および第２の膜７７のうち、一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とする。 （もっと読む）

【課題】 印刷法により、プラスチックフィルムを基板として用いて、高寸法精度の有機トランジスタを形成することができる有機トランジスタの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の有機トランジスタの形成方法は、プラスチック基材１上に有機トランジスタを形成する方法であって、プラスチック基材１上に下部電極インクを塗布した後、下部電極インクを乾燥する工程と、下部電極インクを覆うように絶縁インクを塗布した後、絶縁インクを乾燥する工程と、絶縁インク上に上部電極インクを塗布する工程と、下部電極インク、絶縁インクおよび上部電極インクのうち少なくとも二層を一括して熱処理して積層体とする工程と、積層体上に有機半導体層６を積層する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高分解能のパターニング工程を用いることなく、微細構造体を形成することが可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】材料１２の層を基板１０上にプリパターニングする工程と、膜形成物質溶液１６をプリパターニングされた基板上にスピンコートする工程と、膜形成物質の膜１６を乾燥させる工程と、プリパターニングされた材料の側面にのみ乾燥された膜が残るように、当該膜をエッチングする工程と、プリパターニングされた物質の輪郭に対応した形状を有する隆起部２０が基板上に残るように、プリパターニングされた材料を取り除く工程と、を有することを特徴とする。 パターニングされた基板上に、金属層を蒸着して隆起部を取り除く。そして、半導体、絶縁体及び導電体、ソース及びドレイン電極の組にそれぞれ設けられ後の工程で形成されるゲート電極の領域に選択的に蒸着することによって、薄膜トランジスタのアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の基板２０上に少なくとも下部電極２１、ゲート絶縁膜２２、上部電極２３、半導体膜２４を積層させた薄膜トランジスタの製造方法において、薄膜トランジスタにおける電極の微細パターンを形成し、且つゲート電極とソース・ドレイン電極の重なりを無くすことにより高速動作を可能であって、且つ電極の厚さを薄くすることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】電極材料１４を予め基材と異なるベースフィルム１１上に形成した転写フィルム１０とし、前記基板２０上若しくは前記基板上に形成された半導体膜上に所定のパターンにて下部電極を前記転写フィルムから転写し、前記基板と転写フィルムとを再アライメントが可能なように剥離し、ゲート絶縁膜形成後に前記再アライメントが可能なように剥離した転写フィルムを基板上に密着させ、上部電極を転写することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡便に微細なパターンの形成が可能であって、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】 積層構造体１は、エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、臨界表面張力が相対的に大きな高表面エネルギー部３と臨界表面張力が相対的に小さな低表面エネルギー部４との少なくとも臨界表面張力が異なる２つの部位を有する濡れ性変化層２と、濡れ性変化層２の高表面エネルギー部３に形成された導電層５と、濡れ性変化層２の低表面エネルギー部４に少なくとも接して設けられた半導体層６とを備える。そして、濡れ性変化層２は、ハロゲン化物を含む高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 電極用のシャドウマスクの位置合わせが容易な構造からなる有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。基板１は、その表面が凹凸化されており、平面１Ａ，１Ｂを有する。平面１Ａ，１Ｂは、基板１の法線方向において相互に異なる位置に配置される。ゲート電極２は、基板１の裏面に形成される。ゲート絶縁膜３は、基板１の平面１Ａ，１Ｂ上に形成される。ソース電極５は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ａ上に形成される。ドレイン電極６は、ゲート絶縁膜３を介して基板１の平面１Ｂ上に形成される。そして、ソース電極５およびドレイン電極６は、相互に異なる材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 印刷パターンの再現性を向上可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機半導体膜４と、ソース電極５と、ドレイン電極６とを備える。ゲート電極２は、有機半導体膜４の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜３を介して印加する。有機半導体膜４は、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成される。そして、有機薄膜トランジスタ１０において、ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、銀粒子に対して銀ナノ粒子を５ｗｔ％の比率で混合し、スクリーン印刷により形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース・ドレイン電極５及び半導体層６を有する薄膜トランジスタの製造方法において、チャネル長のより短い薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ソース・ドレイン電極５が形成されるゲート絶縁膜３の表面で、ソース・ドレイン電極間のチャネル形成領域３１の表面エネルギーが他の部分より小さくなるようパターニング処理した後、湿式プロセスでソース・ドレイン電極５を形成することを特徴。 （もっと読む）

【課題】 有機材料層等の上に、２つ以上の金属部を狭い間隔で作製する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１層の有機材料層５上に、少なくとも２つの金属部６であって、該金属部間の最短距離が０より大きく１００μｍ以下である金属部６を作製する方法であって、基板表面から上方に伸長する立上部と、該立上部から延長してさらに前記基板上の空間を２分するように横断する横断部とから少なくとも構成されるブリッジ構造４を備えた基板を採用し、該基板上に前記２分された基板表面と前記横断部下の基板表面を連続的に覆うように有機材料５を蒸着させる工程と、該蒸着後に前記横断部より上方の一定方向から前記有機材料上に金属６を蒸着させる工程とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＷ膜を選択的にエッチングし、そのエッチング速度を向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００の製造において、過酸化水素と遷移金属イオンとを含むエッチング液を用いて第二のＴｉＷ膜１１５および第一のＴｉＷ膜１１１を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層間の接合の端面におけるリーク電流を抑え、かつ、水分の侵入や放熱不足の問題を解消できるパッシベーション膜を備えたヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。エミッタメサおよびベース・コレクタメサの端部に凹部１１および１２を形成し、これらの凹部にそれぞれ絶縁性有機膜１３および１４を形成して、エミッタ層５の端面とベース層４との界面、およびベース層４とコレクタ層３との界面を絶縁性有機膜で被覆する。さらに、半導体層２〜６を被覆する緻密な無機パッシベーション膜１５を、例えばプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜によって形成し、開口部に電極７〜９を形成する。ＨＢＴ１０では、接合の端面が絶縁性有機膜１３および１４によって被覆されているので、接合部にプラズマダメージが生じることはない。 （もっと読む）

【課題】 微細な電極パターンを容易に実現し、かつ基材表面と電極パターン表面とが同一平面となるように形成することにより、電極の上部に積層する絶縁膜を薄膜化することができ、その結果トランジスタの駆動電圧を下げることが出来る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基材表面に電極のパターンと同一形状の溝である凹部を形成する工程と、該凹部に対して電極材料を埋め込み、基板表面と同一の高さの埋め込み電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ソース、ドレイン、ゲート電極、有機半導体層などを形成する場合に印刷法、インクジェット法などの簡便な方法によって形成しても、ＯＮ/ＯＦＦ比が良好な素子を実現する。また、短チャネルを実現することにより、動作電流が大きく、且つ素子間の特性のばらつきの少ない有機材料を用いた電界効果トランジスタを安価に提供する。
【解決手段】 少なくとも支持基板、ソース電極、ドレイン電極、活性層、絶縁層、ゲート電極からなり、ソース電極およびドレイン電極が同一平面内に形成され、前記ソース電極、ドレイン電極に隣接して隔壁が設けられてなる間の幅が少なくとも前記活性層にて電気的に接続されてなる活性層として有機物を用いた電界効果型トランジスタ素子において、前記の隔壁の高さがソース−ドレイン間とその他の箇所において、高さが異なる。 （もっと読む）

（ａ）再配置可能なアパーチャマスクを基板の近くに配置する工程と、（ｂ）基板の部分を表面改質処理に選択的に曝す工程であって、曝された部分が、アパーチャマスクの１つ以上のアパーチャによって画定される工程とによって表面改質をパターン化する方法。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。
【解決手段】基板１の上には、厚さが１００ｎｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層２と、厚さが１５００ｎｍのアンドープの窒化ガリウムからなる第１の半導体層３と、厚さが２５ｎｍのアンドープのアルミニウム窒化ガリウムからなる第２の半導体層４とが形成されている。第２の半導体層４の上には、ショットキー電極６とオーミック電極７とが間隔をおいて形成されている。ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極６とオーミック電極７とを囲むように高抵抗領域５が設けられている。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短チャネルで高い電気的特性を有する有機トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース・ドレイン電極と、有機半導体層によって構成されるボトムゲート構造の有機トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜が、ソース・ドレイン電極に近接する部分で表面エネルギーが低く、ゲート電極に近接する部分で相対的に表面エネルギーが高く、膜厚方向に組成が異なる有機トランジスタおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、且つ高耐熱性を有するゲート電極またはゲート配線を備えた高性能な半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極またはゲート配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。そして第１の導電層及び第３の導電層は高融点金属でなる。これにより高性能な半導体装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備える有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 キャパシタ領域とトランジスタ領域とを備える基板と、基板のトランジスタ領域に形成され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を備えるＴＦＴと、基板のキャパシタ領域に形成され、下部電極と上部電極とを備えるキャパシタと、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極のうち、何れか一方に連結される表示素子を備え、半導体層は、有機半導体層を備え、ＴＦＴのゲート電極の下部または上部に形成されるゲート絶縁膜は、少なくとも有機絶縁膜を備え、キャパシタの上部電極と下部電極との間に形成されるキャパシタ誘電膜は、無機絶縁膜を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置である。 （もっと読む）