【課題】側面放電が起こることを防止できる縦型パワー素子を備えた炭化珪素半導体装置とする。
【解決手段】ｎ^-型ドリフト層２よりも上方、例えばパッシベーション膜６の表面に、アノード電極を囲むように導体層９を備える。これにより、高電圧がアノード電極に印加されてアノード電極から半導体チップの端面に至るまでの間で電位の偏りが生じそうになったとしても、導体層９により瞬時に同電位にすることが可能になる。したがって、側面放電が起こり難くなるようにでき、側面放電に起因する素子破壊を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】側面放電が起こることを防止できる縦型パワー素子を備えた炭化珪素半導体装置とする。
【解決手段】半導体チップの端面を覆うように、すなわち裏面電極７と接し、ｎ⁺型基板１およびｎ^-型ドリフト層２の端面を全面覆い、かつ、パッシベーション膜６に至るように導体層９を形成する。これにより、高電圧がショットキー電極４に印加されて半導体チップの外周部で電位の偏りが生じそうになったとしても、導体層９により瞬時に同電位にすることが可能になる。したがって、側面放電が起こり難くなるようにでき、側面放電に起因する素子破壊を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】実装時の半導体基板のチッピングが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２の下面に設けた電極２０と、半導体基板１２の上下主面の周辺部に設けた傾斜面１６Ａ、１６Ｂと、半導体基板１２の上下主面を全面的に被覆する樹脂膜１８Ａ、１８Ｂを主要に備えた構成となっている。また、樹脂膜１８Ａは、傾斜面１６Ａも含めた半導体基板１２の下面を被覆している。そして、樹脂膜１８Ｂは、傾斜面１６Ｂも含めた半導体基板１２の上面を被覆している。係る構成により、半導体装置１０を実装する際のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜上に密着性良好な金属単層膜から成るソース／ドレイン電極を確実に形成し得る電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタの製造方法は、（Ａ）基体１１の表面にシランカップリング処理を施す工程と、（Ｂ）シランカップリング処理された基体１１上にゲート電極１２を形成する工程と、（Ｃ）ゲート電極１２上にゲート絶縁膜１３を形成する工程と、（Ｄ）ゲート絶縁膜１３の表面にシランカップリング処理を施す工程と、（Ｅ）シランカップリング処理されたゲート絶縁膜１３上に、金属単層膜から成るソース／ドレイン電極１４を形成する工程と、（Ｆ）ソース／ドレイン電極１４間のゲート絶縁膜１３上に、半導体材料層から成るチャネル形成領域１５を形成する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】有機半導体膜を用いた薄膜トランジスタの特性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板の上方に、対向して配置されたソース電極(7s)およびドレイン電極(7d)と、ソース電極およびドレイン電極間に配置された有機半導体膜(5)と、有機半導体膜の第１面又は前記第１面と逆側の第２面上にゲート絶縁膜(9)を介して形成されたゲート電極(11)と、を有し、ゲート電極は、ソース電極およびドレイン電極間と、有機半導体膜とが重なるチャネル領域に、開口部(11a)を有する。かかる構成によれば、上記開口部を介して光が入射し、チャネル領域にトラップされたキャリア（電子又はホール）をデトラップすることができる。よって、薄膜トランジスタの特性劣化を低減できる。 （もっと読む）

【課題】有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】半導体−電極界面、および、半導体−ゲート絶縁体界面におけるフェルミエネルギーの差の大きさを与える数式を用いて、ＴＦＴ材料を変えずに電極および絶縁膜の表面修飾だけを選択的に変化してｎ型とｐ型のＴＦＴを実現する。任意回路を構成するために、ｐ型チャネルＴＦＴ用のソース電極とゲート電極、および、ｎ型チャネルＴＦＴ用のドレイン電極とゲート電極をすべてつないでおいて、表面修飾のプロセスを行い、その後、光照射などにより不要配線を切断する。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ微粒子を用いた、電極、配線形成方法では、金属ナノ微粒子溶液を塗布、印刷後抵抗値を落とすために200℃程度の熱処理が必要である。プラスチックなどのフレキシブル基板では、耐熱性が150℃程度であるため、この熱処理により基板の変形が出てしまう。
【解決手段】本発明は、ハロゲンを有するガスに金属ナノ微粒子を所望の形状に印刷した後に暴露する事によって、なんら過熱焼成することなく、金属電極、配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】構造を簡単化し、製造工程の容易化を実現する半導体装置を提供することにある。また、半導体チップのダイボンド時の反りの発生を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の電極５〜７が一の面上に形成された半導体基板１と、ゲート電極５及びドレイン電極６をソース電極７と絶縁するとともに、ソース電極７を覆わないようにゲート電極５及びドレイン電極６上に形成された低誘電率高分子膜１１と、低誘電率高分子膜１１及びソース電極７上に形成され、接地電位に接続されたチップ表面電極１２とを有する。ソース電極７はチップ表面電極１２を介して接地電位が与えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、２つ以上の成分を基板に印刷して導電性銀外形を形成する方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、導電性銀外形を基板上に形成する方法であって、前記方法は、２つ以上の溶液（第１の溶液は、銀化合物溶液であり、第２の溶液は、前記銀化合物のためのヒドラジン化合物を含んでなる還元剤溶液であり、前記ヒドラジン化合物還元剤溶液は、前記銀化合物溶液から離れている）を準備するステップと、前記銀化合物溶液および前記ヒドラジン化合物還元剤溶液を前記基板上にプリントヘッドにより印刷するステップ（前記銀化合物溶液および前記ヒドラジン化合物還元剤溶液は、前記銀化合物溶液および前記ヒドラジン化合物還元剤溶液の両方の前記基板上への印刷直前、印刷中、または印刷後に混合される）と、前記銀化合物を還元して該印刷された銀外形を前記基板上に形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板(S1)上に、ゲート電極(15)を形成する工程と、第２基板（S2)の上部にソース、ドレイン電極(25s,25ｄ)を形成する工程と、前記第１基板と第２基板とを絶縁材料よりなる接着材(35)を介して貼り合わせる工程であって、前記ゲート電極およびソース、ドレイン電極が、前記接着材中に埋め込まれるよう貼り合わせる接着工程と、前記第２基板を剥離することにより前記ソース、ドレイン電極および前記接着材表面を露出させる工程と、前記ソース、ドレイン電極および前記接着材表面上に有機半導体膜(45)を形成する工程と、を有する。かかる方法によれば、接着材等の表面の平坦性が向上し、有機半導体膜の成膜性を向上できる。また、ゲート絶縁膜となる前記接着材と有機半導体膜との界面が良好となる。 （もっと読む）

【課題】従来の素子作製に用いられてきたスパッタリング法やメッキ法などに起因した諸問題を解決し、ナノスケールの極微小化した素子作製の基本となる、新規な金属含有構造体の形成方法、さらには、この形成方法を発展させた新規な金属含有積層体の形成方法を提供する。
【解決手段】（R−C≡C⁻−M^＋）_m、又は（（R−C≡C⁻）₂−M’²⁺）n、（ここで、M＝Cu、AgまたはAu、M’＝Fe，CoまたはNi、m及びnは整数、Rはメチル（−CH₃）基や３級ブチル（−C（CH₃）₃）基などの炭化水素基）の形を持つ有機金属アセチリドクラスター化合物を準備し、前記有機金属アセチリドクラスター化合物に対して光照射を行い、前記有機金属アセチリドクラスター化合物を光励起して、エチニルアニオンと金属カチオンとを生成するとともに、前記エチニルアニオンと前記金属カチオンとの間における電荷移動を通じて中性化を生ぜしめ、金属原子クラスターを生成する。 （もっと読む）

【課題】
裏面電極を有するフェイスダウン型の半導体装置の製造方法では、各工程において裏面電極を薬液等から保護するため、何度も保護テープを仮貼りする必要があった。
【解決手段】
本発明では、ソース電極７及びドレイン電極９上に下地電極１１を無電解めっき法により形成する工程を経た後に、半導体ウエハを裏面側から研削する工程と、半導体ウエハの裏面上に裏面電極１２を形成する工程を行い、その後に裏面電極１２上にエポキシ樹脂テープ１３を永久貼り付けする工程と、下地電極１１上にバンプ電極１４を形成する工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】順方向特性のばらつきを低減し、特性の揃った炭化珪素半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体装置の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１の一主面上にエピタキシャル層２を形成する工程と、（c）エピタキシャル層２上に保護膜１０を形成する工程と、（d）炭化珪素基板１の他の主面上に第１の金属層６を形成する工程と、（e）炭化珪素基板１に所定の温度で熱処理し、第１の金属層６と炭化珪素基板１の他の主面との間にオーミック接合を形成する工程と、（f）工程（e）の後、保護膜１０を除去する工程と、（g）工程（f）の後、エピタキシャル層２上に第２の金属層５を形成する工程と、（h）工程（g）の後、炭化珪素基板１を４００℃以上６００℃以下で熱処理し、第２の金属層５とエピタキシャル層２との間にショットキ接合を所望特性に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動，高駆動電流の有機薄膜トランジスタと集積化され、平坦性を保持し、発光特性や歩留りの向上する面発光型の有機半導体発光装置。
【解決手段】基板１０上に配置されたゲート電極１２０と、ゲート電極上に配置されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜上に配置されたソース電極１６およびドレイン電極１８と、ソース電極とドレイン電極間のゲート絶縁膜上に配置された有機半導体層４００と、有機半導体層４００上に複数層繰り返し配置された正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造からなる有機薄膜トランジスタと、有機薄膜トランジスタの周辺部において、基板１０上に配置されたアノード電極３０と、アノード電極上に複数層繰り返し配置された正孔輸送層／発光層／電子輸送層の積層構造からなる有機半導体発光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】バンクを用いることなく液滴吐出法により有機トランジスタを良好に形成できる、有機半導体装置、有機半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体層４０が有機材料によって形成される有機トランジスタ１００を複数備えた有機半導体装置１の製造方法である。基板上に形成された隣接する画素電極６間に沿って延びるソース電極８とソース電極８に対応するドレイン電極７を含む画素電極６とで構成される領域６０に液滴吐出法を用いて、有機半導体材料を含む機能液を吐出する。そして、機能液を乾燥させて有機半導体層４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の撥水性を高めることで、移動度の高い有機トランジスタを実現することを可能とする。
【解決手段】Ｒ１はＣＯＯ、ＮＨ₂およびＯのうちの少なくとも一つであり、Ｒ２はアルキル基から成る化学式（１）の構造を有することを特徴とする有機トランジスタに用いる有機絶縁膜である。
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【課題】有機系の材料を用いてトランジスタを製造するにあたり、製造工程が簡単な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高分子導電材料を絶縁性の溶媒に溶解した塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成する工程（ａ）と、前記塗布膜を熱処理する工程（ｂ）と、これら一連の工程（ａ）、（ｂ）の前または後に、基板上にゲート電極を形成する工程（ｃ）と、を含み、前記塗布液を基板に塗布することにより絶縁層である表層部と有機半導体層である内層部とに分離することを利用して、当該表層部及び内層部を夫々ゲート絶縁膜及び電界効果型トランジスタのチャンネルとして用いる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置、及び該発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する発光装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）