ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

【課題】庇部を有する電極の庇部下の空洞を絶縁膜で埋め込むことで、層間絶縁膜や配線の段切れ、配線の短絡等を防止することを可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された導電層（エミッタキャップ層１５）に接続されるもので庇部２０ａ有するコンタクト電極（エミッタ電極）２０と、エミッタ電極２０の庇部２０ａ下の空洞２８部分に埋め込まれた絶縁膜３１と、エミッタ電極２０および絶縁膜３１側部を被覆する層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１に形成された接続孔２４を通じてエミッタ電極２０に接続されるとともに、層間絶縁膜２１上をエミッタ電極２０上より電極周辺部に配設されている配線２７とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の半導体材料を含む電子デバイスである。


（Ｉ）
（式中、Ｒは炭化水素またはヘテロ原子含有基であり、ｎは反復単位の数を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、且つ、工程数を減らし、従来よりも歩留まりよく良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ及びこれを搭載した表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。マスクは光を通過させないものを用いる。改質後には光触媒膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極を位置精度良く、かつ簡便に形成できる有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜有機トランジスタ１の製造方法では、フォトリソグラフィ法で感光性樹脂層８を形成し、無電解メッキ法でソース電極３及びドレイン電極４を形成するので、ソース電極３及びドレイン電極４を簡便かつ位置精度良く形成できる。そして、樹脂層７の表面に残存する感光性樹脂層８を剥がさずに、その上に有機半導体層９を形成する。つまり、感光性樹脂層８をソース電極３及びドレイン電極４を設けるためのマスク層として利用するだけでなく、有機半導体層９を樹脂層７の表面上に設けるための緩衝層として利用できる。これにより、有機半導体層９の半導体結晶の分子配列の配向性を向上できるので、半導体特性の良い薄膜有機トランジスタ１を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極、又は、ドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗を低減し、有機半導体層の寿命を延ばす有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機トランジスタの製造方法は、ソース電極３０と、ドレイン電極４０と、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電子又は正孔を流す経路となる有機半導体層６０とを備える有機トランジスタの製造方法であって、基板１００上に、無機材料からなるソース電極３０と、無機材料からなるドレイン電極４０とを形成する工程と、ソース電極３０、又は、ドレイン電極４０の少なくともいずれかの表面にドーピングされた有機材料からなる中間層を形成する工程と、中間層の表面の一部に、有機半導体層６０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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【課題】精度の高いパターンニングを可能にする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタ素子の製造方法において、ゲート絶縁層を形成する工程の後に、ゲート絶縁層の一部を、圧接部材をゲート絶縁層に接触させることにより、変形あるいは変質させる工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を実装する配線基板の配線パターンの設計を容易にするような半導体装置ＰＤを提供する。
【解決手段】出力電流等が異なる複数の半導体装置ＰＤを製造する場合に、半導体装置ＰＤの制御回路用の半導体チップ４Ｃが電気的に接続されるリード８Ａの配置および本数等は共通にし、半導体装置ＰＤのパワートランジスタ用の半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬが電気的に接続されるリード８Ｂの配置および本数等をその半導体装置ＰＤに必要とされる出力電流等に応じて変えるようにした。これにより、半導体装置ＰＤの制御回路（ＰＷＭ回路）が誤動作するポテンシャルを低減できるので、半導体装置を実装する配線基板の配線パターンの設計を容易にするような半導体装置ＰＤを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と電極パッドとの密着性が向上された半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１実施形態に係る半導体デバイスの製造方法は、半導体素子２上に設けられシリコン原子を含む樹脂層４ａの表面４ａｓを、酸素原子を含むガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスから生成されたプラズマＰ１によって処理することにより、酸化膜６ａを形成する第１のプラズマ処理工程と、酸化膜６ａ上に金属からなる電極パッド８を形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

第１電極層が接触し且つ第２電極層が誘電体層(8)により分離されている半導体層を含む多層半導体デバイスのための電極構造体を製造する方法は、デバイス内の支持層の選択されたエリアのみにパターン化材料(20)を付与して、第１電極層の構成体を画成するステップと、パターン化材料(20)に応答するようにされた触媒(24)を前記支持層に付与するステップと、支持層に導電性材料(26)を付与して、第１電極層を形成するステップと、を備え、前記支持層、パターン化材料(20)、及び触媒(24)が協働して、触媒(24)が付与された支持層の選択されたエリアのみに導電性材料(26)が堆積されるようにする。薄膜トランジスタ(2)は、エポキシド材料を含むゲート絶縁層(8)を有する。 （もっと読む）

炭化ケイ素半導体デバイス用のエッジ終端構造は、少なくとも炭化ケイ素ベース接合を部分的に取り囲んで、炭化ケイ素層中において、所定間隔で配置された複数の同心円のフローティングガードリング（３４）を有すると共に、フローティングガードリング上に設けられた絶縁層、及びフローティングガードリング同士の間でかつ炭化ケイ素層の表面の近くに設けられた炭化ケイ素表面電荷補償領域（３８）を有する。炭化ケイ素層上に窒化ケイ素層（５６）が設けられ、窒化ケイ素層上に有機保護層（６６）が設けられる。酸化膜層が窒化ケイ素層と炭化ケイ素層の表面との間に存在してもよい。エッジ終端構造の形成・製造方法も又、開示されている。
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【課題】レーザーを用いた有機半導体のパターニングを容易にするソース／ドレイン電極を二重構造で形成した有機薄膜トランジスタ及びそれを含む平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板と、ゲート電極、ゲート電極とゲート絶縁層により絶縁されたソース／ドレイン電極、ゲート電極とゲート絶縁層により絶縁され、ソース／ドレイン電極と電気的に接続するように所定部分がパターニングされた有機半導体層、及びソース／ドレイン電極の上面に形成された保護層、を含む有機薄膜トランジスタ並びにそれを含む平板ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】画質を向上させると共に、ストレージキャパシタの格納容量を増加できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板４２上に形成された画素電極１８に接続された薄膜トランジスタ６において、ゲート電極８と活性層１４間のゲート絶縁膜を、平坦化が得られるコーティング工程による有機物質のメインゲート絶縁膜４５と強誘電性物質を含むサブゲート絶縁パターン５２とで構成しゲートドレイン間容量Ｃｇｄとストレージキャパシタ２０を増加させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の保護膜に蓄積する負の電荷によって、半導体基板内の電荷バランスが崩れ、半導体装置の耐圧が低下してしまう。本発明は、簡便な方法を利用して、前記課題を解決することを目的としている。
【解決手段】 半導体装置１０は、回路素子が作り込まれている半導体基板３５と、その半導体基板３５上に形成されている絶縁性の保護膜４６を備えている。保護膜４６の表面４７には、水酸基（ＯＨ）が結合している。これにより、保護膜４６の表面４７は、水滴との接触角が４０°以下になっている。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィーを使わずに、有機トランジスタを作成するときにゲート長を短く一定にする。
【解決手段】 溝付き基板を用い、その中にゲート電極を形成後、基板を親水化し、その後ゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜と基板との表面エネルギーの差でソース、ドレイン電極をゲート絶縁膜ぎりぎりに形成し、最後に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極間のチャネル部で形成した半導体層において、オンオフ比が低下することがなく、電荷の注入が低下することがない半導体層であって、半導体層の膜厚を最適化により、オフ状態での電流を小さく保ちながら接触抵抗を小さくすることを可能にする薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁性の基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、有機半導体材料からなる薄膜トランジスタであって、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル部を形成する半導体層の厚みが、チャネル部中央で薄く、チャネル部両端で厚くなっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の絶縁性が良好であると共に消費電力を小さくすることが可能な有機トランジスタ及び該有機トランジスタを有する表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタは、絶縁層１２及び濡れ性制御層１３が順次積層されている積層絶縁膜を少なくとも有し、濡れ性制御層１３は、紫外線を照射することにより表面エネルギーが変化する材料を含有すると共に、照射される紫外線の透過率が１０％以上である。 （もっと読む）