半導体デバイスはナノワイヤ（１６）を使用して製造される。ナノワイヤ（１６）に沿う伝導を制御するために導電ゲート（２２）が使用されても良い。この場合、一方の接点がドレイン（１２）であり、他方がソース（１８）である。ナノワイヤ（１６）は、基板（２）中の或いは特に基板（２）上の表面層（３）中のトレンチまたは貫通穴（８）内で成長されても良い。ゲート（２２）はナノワイヤ（１６）の一端にだけ設けられても良い。ナノワイヤ（１６）は、その全長にわたって同じ材料から成ることができ、あるいは、異なる材料を使用することができ、特に、ゲート（２２）の近傍およびゲート（２２）とトレンチの底部との間で異なる材料を使用できる。
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【課題】パワー半導体デバイスの電気抵抗を小さくする。
【解決手段】 第１の導電性の材料から構成され、表面に電極を有する半導体ダイと、前記第１の導電性の材料の抵抗率よりも低い抵抗率を有する第２の材料から構成され、前記電極の上に設けられた導電性本体とを備える半導体デバイスと、第１の導電性の材料から構成された、半導体デバイスの電極の表面にバリア層を形成するステップと、前記第１の材料の電気抵抗率よりも電気抵抗率が低い第２の導電性の材料から構成されたシード層を、前記バリア層の上に形成するステップと、前記第２の材料から構成された前記シード層の上に導電製本体を形成するステップとを有する、半導体デバイスを製造するための方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、実質的に真性な半導体の基板（１５８）の領域に注入された、計数された数のドーパントイオン（１４２）を有する汎用タイプの半導体装置に関する。基板（１５８）の一つ以上のドープされた表面領域は、金属化され、電極（１５０）が形成される。計数された数のドーパントイオン（１４２）が、実質的に真性な半導体の領域に注入される。

【その他】
原文には、請求項１１及び請求項１１Ａが存在する。請求項１１Ａは、オンライン手続上、請求項１１内に記載した。

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本発明は、少なくとも１つの電気的な接触面（２０）を有する少なくとも１つの電気的な構成要素（２）と、該構成要素（２）の前記接触面（２０）を電気的に接触させるための少なくとも１つの電気的な接続導体（３）と、前記構成要素（２）の上に配置された少なくとも１つの絶縁層（４）とを有し、該絶縁層（４）が該絶縁層（４）の厚さ方向でこれを貫通する少なくとも１つの開口（４２）を有し、該開口（４２）が前記構成要素（２）の接触面（２０）に向き合って配置されており、前記絶縁層（４）が前記開口（４２）を制限する側面（４３）を有し、前記電気的な接続導体（３）が前記側面（４３）に配置された少なくとも１つの金属化層（３０）を有しているシステムに関する。該システムは、前記金属化層（３０）が前記接触面（２０）に対し斜めに配向されていることを特徴としている。斜めに配向された金属化層によっては、前記絶縁層の上に配置された前記接続導体の区分と前記絶縁層と前記構成要素とが互いに機械的にかなり結合される。有利には金属化層は数μｍの厚さを有している。機械的な減結合によって、前記接続導体と前記絶縁体と前記構成要素とは、熱的な膨張係数の異なる材料から成っていることができる。本発明は特に、出力半導体構成要素を大きな面積で電気的に接触させるために使用される。
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一対の電極と、該一対の電極間に設けられた、１本または複数のカーボンナノチューブにより構成されるキャリア輸送体と、を備え、前記一対の電極のうち、一方の電極および前記キャリア輸送体の第１の界面と、他方の電極および前記キャリア輸送体の第２の界面と、が異なる障壁レベルとなるように、これら２つの接続構成を異なる構成とすることで、高周波応答性、耐熱性に優れたキャリア輸送体を備えた整流素子を提供し、併せて、それを用いた電子回路、並びに整流素子の製造方法を提供する。
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【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

【課題】より小型が可能なＰＮ接合ダイオード装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＰＮ接合ダイオードのカソード電極２２及びアノード電極２３を共に、シリコン基板１０の一方の主面に形成することにより、カソード電極２２及びアノード電極２３とをリードフレーム２６に、ワイヤー等で接続することなく、接着することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体、シリコン半導体で形成したＭＩＳ型構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と金属酸化物からなるゲート電極との界面に、金属酸化物から解離した酸素を含む層からなる絶縁層を備える。この絶縁層は、電極を形成した後、熱処理を行うことによって形成する。 （もっと読む）