【課題】検査時にインターフェース部分に変形があっても載置台の現在のオーバードライブ量を本来必要な所定のオーバードライブ量に補正することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、載置台１１、プローブカード１３、ヘッドプレート１５及び制御装置１６を備え、テストヘッド１８がプローブカード１３と電気的に接触した状態で載置台１１をオーバードライブさせ半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａを電気的に接触させて電気的特性検査を行う装置であって、載置台１１の現在のオーバードライブ量を測定する距離測定器１９をテストヘッド１８に設け、制御装置１６は、距離測定器１９によって測定された現在のオーバードライブ量と予め設定された所定のオーバードライブ量を比較し、この比較結果に基づいて現在のオーバードライブ量を所定のオーバードライブ量になるように補正する。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに対するテストヘッドの姿勢調整作業を容易にする手段の提供。
【解決手段】プロービング装置１０は、ステージ台２４と、ステージ台２４に支持されて複数の電極を有する被検査体１２を受ける検査ステージ２２と、検査ステージ２２から上方においたカード台２６と、複数の接触子４４を有しその針先が検査ステージ２２の側に向くようにカード台２６に支持されたプローブカード３０と、被検査体１２とプローブカード３０との平行度の調整のためにカード台２６を検査ステージ２２に対し変位可能に連結する連結装置２８ａ，２８ｂ，２８ｃと、カード台２６の上側に配置されてプローブカード３０の上方に空間を形成すべくプローブカード３０に対し変位可能にカード台２６に支持されたテストヘッド７６と、テストヘッド７６がカード台２６に対し変位することを解除可能に阻止する変位阻止装置６４とを含む。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極表面の酸化膜を十分に剥離し、剥離した酸化膜が付着し難い先端形状を有するプローブを提供する。
【解決手段】プローブカードの電極に接合される接合部、上記接合部から延在するアーム部、上記アーム部の先端に設けられ検査対象物の電極に接触するチップ部から構成され、上記チップ部が上記検査対象物に接触する際に、上記アーム部に生じる弾性変形により上記チップ部が上記検査対象物と接触しながら移動するプローブであって、上記チップ部は、上記アーム部に対して上記チップ部が上記検査対象物と接触しながら移動する方向に所定の角度で折れ曲がった形状を有し、上記チップ部の上記検査対象物と接触する接触面が、上記検査対象物の表面から上記移動方向に１．５〜３０度の傾斜、好ましくは１．５〜１０度の傾斜を有する。 （もっと読む）

【課題】面積効率の向上が可能な電極パッドを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 矩形の半導体基板１１に配設された内部回路領域１３及び内部回路領域１３の周辺部にある入出力回路領域１５と、入出力回路領域１５の表面側にあって、入出力回路領域１５と接続され、複数個の同じ形状の四辺形である基本パッド２０が、基本パッド２０の辺の一部をそれぞれ識別できるように並進操作Ｔ１により重ねられて、最も外側の基本パッド２０の辺が形成する外形を有するプローブ検査用パッド２１と、プローブ検査用パッド２１と接続されたボンディングパッド２６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 プローブの先端が平面形状でも容易に接触子を挿入できて、安定した接続をえられる基板検査治具を提供する。
【解決手段】 保持体３は接触子２（プローブ）の一方の端部を検査点に案内する案内孔を有する検査点案内部３１と、接触子の他方の端部を電極部４１に案内する第三案内孔３２１を有する電極部案内部３２を有し、検査点案内部３１は検査点側に配置されるとともに接触子２を案内する第一案内孔３３１を有する第一板状部材３３と第二案内孔３４１を有する第二板状部材３４とから成り、第一案内孔３３１は、第三案内孔３２１と第二案内孔３４１を結ぶ直線と、第二案内孔３４１から延びる第二板状部材３４の法線で挟まれる近傍内の第一板状部材３３上に形成する。 （もっと読む）

少なくとも１つのウエハ支持体が設けられているウエハ移送アーム（３０）と、ウエハの対向する縁部をつかむように構成される２つのリモートリム（１８、１９）を有するウエハグリッパ（１５）であって、前記グリッパ（１５）はおおよそ水平方向位置とおおよそ垂直方向位置との間でウエハを回転させるために軸上で回転するように取付けられたグリッパと、前記ウエハの一方側および他方側に、おおよそ垂直方向位置で前記ウエハを通る平面に対して対称的に配置された少なくとも２つの検査システムとを備える半導体ウエハ検査装置（１）。 （もっと読む）

【課題】断面および観察対象断面が所定位置に配置された複数の断面像を取得することが可能な、画像取得方法を提供する。
【解決手段】断面像撮影工程（Ｓ５２）の前に、観察対象断面以外の領域をＥＢ走査してリファレンスマーク画像を撮影するマーク画像撮影工程（Ｓ４２）と、撮影されたリファレンスマーク画像をリファレンスマーク基準画像と比較して、所定時点に対する現在のＳＥＭドリフト量を算出するドリフト量算出工程（Ｓ４４）と、所定時点に対する現在の観察対象断面のオフセット量を算出するオフセット量算出工程（Ｓ４６）とを有し、断面像撮影工程（Ｓ５２）では、所定時点におけるＥＢ走査領域をＳＥＭドリフト量およびオフセット量に基づいて補正し、断面像を撮影する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 短時間且つ低コストでの実施が可能なスクリーニング方法を提供し、かかるスクリーニング方法を用いた不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 制御ゲートと浮遊ゲートを備えるメモリ素子を複数有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、複数のメモリ素子が形成された後、最終配線工程が完了した不揮発性半導体記憶装置のウェハ上に形成された複数のメモリ素子に対して、消去電圧ストレスを印加した後、ウェハ全面に対し電磁波を照射することで浮遊ゲート内を電気的に中性な状態にする。その後、ウェハ上面に電磁波に対する透過性を有しない保護膜を成膜した後、ウェハテストによる良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプローブから検査対象物への電流印加時に、コンタクトプローブが高温になるのを抑制できながら、コンタクトプローブ表面の電解腐食を防止する。
【解決手段】コンタクトプローブ１を導電性の第１金属で形成される外層１１と、この第１金属とは異なる導電性の第２金属で形成され、外層１１によって覆われた露出しない内層１４とをそれぞれ厚み方向に積層して形成する。内層１４と外層１１とを異なる金属で形成しても、内層１４は、外層１１で完全に覆われて外部に露出しなくなるので、コンタクトプローブ１は電解腐食が生じなくなる。特に、内層１４は第１金属よりも電気抵抗が小さい金属で構成するとよい。 （もっと読む）

ウェハー上の欠陥を検出し、このウェハーについての検査結果を生成するシステム及び方法を提供する。１つの方法は、検査システムによって実行されるウェハーの走査によって生成される出力を、１つ以上の欠陥検出しきい値と比較することによって、ウェハー上の欠陥を検出するステップを含む。この方法は、１つ以上の所定基準に基づいて定義されたビンから、最高値を有する出力を選択することによって、出力中の外れ値をサンプリングするステップも含む。これに加えて、この方法は、サンプリングした外れ値のウェハーレベルの分析に基づいて、サンプリングした外れ値の一部を選択するステップを含む。この方法はさらに、サンプリングした外れ値の選択した一部についての情報を、１つ以上の欠陥検出しきい値を用いて検出した欠陥についての情報と組み合わせて、ウェハーについての検査結果を生成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】レビュー装置における最適観察条件の条件出しの作業において、試行レビューの回数を低減することができ、その作業効率の向上を図る手段の提供。
【解決手段】レシピパラメータ管理装置３は、レビュー装置１０で行われた欠陥レビューについて、その欠陥レビュー時に設定されたレシピパラメータの設定値と、そのレシピパラメータを設定するまでに行った試行レビューの回数と、その欠陥レビュー時に取得された欠陥画像と、をレシピパラメータ設定履歴としてレシピパラメータ設定履歴ＤＢ３２に蓄積しておき、一方で、レシピパラメータ設定履歴ＤＢ３２に蓄積されたレシピパラメータ設定履歴データに基づき生成したヒストグラムと、試行レビューの回数を端末装置４０に表示する。従って、オペレータは、過去のレシピパラメータ設定に係るデータを容易に取得することができる。 （もっと読む）

【課題】 接触子を狭ピッチで基板に接合する際に、レーザーの熱により生じる隣の接触子の位置ずれを防止することにある。
【解決手段】 電気的試験用接触子(16)は、基板(54)に接合される第１の領域(24)と、該第１の領域の下端部から左右方向へ伸びる第２の領域(26)と、該第２の領域の先端部から下方へ突出する第３の領域(28,30)と、光の反射率が第１の領域(24)のそれより低光反射膜(40)とを含む。第３の領域(28,30)は電気デバイス(12)の電極(14)に接触される針先を有する。低光反射膜(40)は、第１の領域の少なくとも基板への接合箇所及びその近傍の表面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を製造するに際し、縦型の半導体素子が多数形成された半導体ウエハに対し、多チャンネルで電気的特性を検査できる方法の提供。
【解決手段】各導電性材料５２が絶縁性材料５３によって絶縁されて構成されたダイシングテープ５０を半導体ウエハ３０の裏面側に貼り付ける。ダイシングテープ５０の他面５５において、電気的特性を検査したい半導体素子に対応した場所にテスタ６０を対向配置する。続いて、テスタ６０をダイシングテープ５０の他面５５に押し付け、各導電性材料５２どうしを接触させて、第１電極１８、縦型の半導体素子、第２電極１９、導電性材料５２、およびテスタ６０を経由する経路を形成する。そして、各テスタ６０に異なる電位を与えることで、多チャンネルで電気的特性の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】小さくても、十分な接触力と高い電流負荷容量を確保出来る電気接点素子を提供する。
【解決手段】電気検査の対象物と接触方式により接点を形成するための、電気的な接触に利用される二つの端部領域２、３と、前記両端部領域２、３の間に位置する一つの縦長の中間領域４とを有している縦長の電気接点素子１に関する。前記中間領域４は、実質的に長方形の断面を有するとともに、その長手方向に沿って積層されて構成される。また、本発明は、関連する接触配列に関する。 （もっと読む）

【課題】製造工程における半導体装置等の欠陥を発見した場合に、後のレビューに有益な情報を取得する方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１が取得した検査対象物に関する欠陥情報２１の入力を受け付けて記憶する記憶部３２と、検査対象物に関する画像を取得する画像取得部と、画像取得部を用いて欠陥情報に基づく欠陥レビュー用データを取得する処理部３１と、を備える欠陥レビュー装置２４、２５による欠陥レビュー方法である。処理部は、記憶部から読み出した欠陥情報２２ｂ、２３ｂにおいて、欠陥の集まりを示すクラスタが有るか否かを判定し、クラスタが有ると判定した場合、当該クラスタの分布特徴に基づき、画像取得部を用いて、検査対象物に関してクラスタの一部である欠陥部分の画像と付加的なデータとを取得する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法等で半導体素子の検査を行う際に、粗く特定された故障箇所に、正確に固浸レンズを配置する手段の提供。
【解決手段】検査用基板は、表面に電子回路が形成された半導体基板の背面の上に配置され、半導体基板の厚さ方向に伝搬する光に作用するレンズを含む。このレンズは、検査用基板の表面に平行な面をｘｙ面とするｘｙ直交座標系を定義したとき、ｙ軸に垂直な断面内では光を収束させ、ｘ軸に垂直な断面内では光を収束させない。 （もっと読む）

【課題】 製作が容易でプローブの位置が正確なプローブカードを提供する。
【解決手段】 支持プレート２は直径１〜１００μｍ、長さ（高さ）１〜５０μｍ程度の多数のセラミック管５…を軸が平行となるように集合させ、外側を枠体６で固定して構成されている。前記多数のセラミック管５の集合体は隣接する４つのセラミック管５…の中心Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４が正方形の頂点となるように稠密配置された状態で接着剤７で固着されている。 （もっと読む）

【課題】良品の半導体チップにマーキングを行うことなく、不良の半導体チップのみにマーキングを行う方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ４０の各チップ領域４２に半導体素子をそれぞれ形成し、半導体素子それぞれについて、半導体ウェハ４０のウェハ検査を行う（図２（ａ））。ウェハ検査の後、不良であることを示すマーク３０を、半導体ウェハ４０の一面４１のうちウェハ検査によって不良と判定された半導体素子が形成されたチップ領域４２にマーキングする（図２（ｂ））。これにより、不良のもののみにマーク３０することができ、良品のものには何もマーキングしないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】多数のＬＳＩや半導体モジュール等の半導体部品を検査する場合に、被検査対象物が多くなっても、或いは測定個所が多くなっても、精度良く同時計測を行える検査装置を得る。
【解決手段】絶縁基板（１１）の第１面に被検査対象物（１０）に接触可能な複数のプローブ接点（２２）を形成し、第２面に複数の第１電極端子（２３）を形成し、プローブ接点と第１電極端子との間を複数の貫通電極（２４）で電気的に接続したプローブ基板（１０）と、書き換え可能なハードウェアを搭載又は内蔵可能で、一方の面にハードウェアに接続された複数の第２電極端子（３３）を具備する制御基板（３０）と、プローブ基板の第１電極端子と制御基板の第２電極端子との間に介在させた、相互に電気的に接続する複数の導電緩衝材（２６）と、から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。
【解決手段】ＩｎＰ基板とＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層との界面を流れる漏れ電流量を非破壊で検査するＨＥＭＴウエハの非破壊検査方法が、ＨＥＭＴウエハのフォトリフレクタンススペクトルを測定するスペクトル測定工程（ステップＳ１）と、フォトリフレクタンススペクトルに基づいて内部電界強度Ｆを算出する電界強度算出工程（ステップＳ２〜Ｓ４）と、予め求めた内部電界強度Ｆと漏れ電流量との関係と、内部電界強度Ｆとに基づいて漏れ電流量を推定する漏れ電流量推定工程（ステップＳ５）とを有する。 （もっと読む）