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Fターム[4M106AA01]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 対象 (8,684) | ウエハ (5,556)

Fターム[4M106AA01]に分類される特許

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【課題】光学検査ツールによって与えられるヘイズデータを分析する方法および装置を提供する。
【解決手段】ヘイズデータは、試料表面に関連付けられた欠陥を検出するよう分析される。一般に、ヘイズデータは、試料上の低い周波数のバラツキに対応するバックグラウンドノイズが、そのようなヘイズデータの分析の前にヘイズデータから分離または除去されるよう、まず条件付けられる。具体的な実施形態において、試料表面における低い周波数のバラツキは、実質的には、入射ビームがその上に導かれる光学表面として特徴付けられる。ある例では、試料表面に対応するヘイズデータは、ゼルニケ方程式のような多項式で特徴付けられる。換言すれば、多項式方程式は、ヘイズデータの低い周波数の、つまりバックグラウンドのノイズにあてはめられる。この結果として生じる多項式方程式に合致するヘイズデータは、それから元のヘイズデータから引かれて、残差データを作り、ここで表面粗さにおける遅いバラツキが差し引かれ、残差ヘイズデータ中には可能な欠陥情報を残す。この残差ヘイズデータは、試料が欠陥を含むかを決定するために分析されえる。残差データを分析することによって欠陥の検出を向上させる技術も開示される。好ましくは、異なる検査ツール間で正規化されるように、結果として生じる残差データを較正する技術も提供される。 (もっと読む)


【課題】好適に円形エッジを有する物体の品質を、物体のエッジの確実で再現可能な検査を非常に高精度で可能なように、光学的に試験するための冒頭に記載したタイプの方法と装置を改良しさらに展開すること。
【解決手段】好適に円形エッジを有する物体の品質を、該円形エッジに光を当てる光学的に試験するための方法において、反射、屈折及び/又は回折により該物体から放射する光が測定ユニット(1)により検出され、該物体の表面及び/又は内部の欠陥が検出画像信号によって判定されることを特徴とする、物体の品質を光学的に試験する光学的試験方法。 (もっと読む)


プロセス監視のための方法は、エッチングプロセスによる第2の層におけるコンタクト開口の生成に続いて、少なくとも部分的に導電性の第1の層と、該第1の層の上に形成された該第2の層とを有するサンプルを受け取るステップを含んでおり、該コンタクト開口は異なるそれぞれの横方向寸法を有する複数のテスト開口を含む。帯電粒子ビームは該テスト開口を照射するために向けられる。該ビームに応答して、該第1の層を流れる試料電流と、該サンプルの表面から放出された電子の全歩留まりの少なくとも一方が測定されることによって、エッチングインジケータ信号を生成する。該エッチングインジケータ信号は、該エッチングプロセスの特徴を評定するために該テスト開口の該横方向寸法の関数として分析される。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子に試験用光を照射する光学系を固体撮像素子へ位置決めするのが容易で、効率の高い試験を行うことができる試験装置を提供する。
【解決手段】光源からの光をピンホールを通じて固体撮像素子の受光面に照射する光学モジュール35と、固体撮像素子のパッドと接触する接触針を有するプローブカード20と、試験すべき固体撮像素子のパッドに接触針21が接触した状態にあるプローブカード20のもつ開口20hを通じて、光学モジュール35を検査すべき固体撮像素子に対して所定の位置に移動させるモータ30,保持アーム31を有する。 (もっと読む)


【課題】検査から修正までの時間を短縮する。
【解決手段】検査データ生成部11では、設計データをもとに、信号線や電源線など所定のパターン機能を検査感度で区分する検査感度区分情報を含む、検査データを生成し、検査感度設定部12では検査感度区分情報に所望の検査感度を割り当て、比較判断部14では撮像したフォトマスクまたはウェハーから生成される被検査データと、検査データとを比較して欠陥を検出し、検査データ抽出部15では検出された欠陥が存在する検査データ内の領域を抽出し、欠陥登録判定部16で抽出された領域の検査感度区分情報を参照して、欠陥を登録するか否かを判定する。これにより、欠陥の登録数を削減する。 (もっと読む)


【課題】LSI開発の初期評価で使用するために、高額なLSIテストシステムを必要とせずにLSI検査システムの構築を可能にする。
【解決手段】LSI検査プログラムおよびLSI検査結果データを格納する不揮発性メモリとLSI検査プログラムを実行するCPUとを内蔵するLSIテストチップ111をプローブカード装置101に搭載し、LSI検査プログラムはパーソナルコンピュータ103に接続した専用治具を介してLSIテストチップにロードし、LSIテストチップは検査開始信号および検査終了信号によりウエハ検査搬送機102を制御してLSI検査プログラムを実行する。 (もっと読む)


【目的】被検体表面の塵埃,膜厚むら等の欠陥を単純な画像として観察することができ、従って画像処理装置と組合わせて自動欠陥検査装置を構成するのが容易になる表面欠陥検査装置を得ることにある。
【構成】表面に薄膜を有する被検体21の直前に配置され、かつ21の観察視野とほぼ等しい大きさであって、光源1からの光を略平行な光束として21に照射するとともに、21の表面からの正反射光を通過させるコリメータレンズ12と、12の焦点近傍に配置され、任意に選択可能な複数の中心波長を持ち、12に光を入射する狭帯域光源2〜5と、この光源からの光を反射または透過により12を通過させて21に垂直に照射させるハーフミラー11と、21の表面からの正反射光を12に通過させ、11で透過または反射させ、光源2〜5と共役な位置に入射瞳を有し、21の表面を観察する結像レンズ13を具備したもの。 (もっと読む)


【課題】 プローブカードとテストヘッドとの距離の経時変化を検出する。
【解決手段】 ウエハプローバ1のプローブカード3と半導体集積回路試験装置のテストヘッド2との距離を検出する距離センサ6と、該距離センサ6の距離検出値を時系列的な距離データとして順次記憶するメモリ7aと、該メモリ7aに記憶された距離データを時系列順に一覧表示するディスプレイ7cとを具備する。 (もっと読む)


【課題】 透明な層間絶縁膜上の微細パターンおよび同一層の欠陥を感度良く検出する一方、下層のパターンおよび同一層の欠陥をデフォーカスした状態で検出し、本来検査したい工程の欠陥のみを検出可能とすること。
【解決手段】 本来同一形状となるべきパターンが複数規則的に配置された被検査物の検査装置において、解像度0.18μm以下、より好ましくは0.13μm以下となる照明波長と対物レンズ開口数の関係を備えた撮像光学系と、撮像光学系の結像位置に配置された光電変換器と 撮像光学系とは別に設けられた光路からなり入射角度85度以上、より好ましくは88度以上で照明する自動焦点光学系と、自動焦点光学系の検出信号に基づき撮像光学系の焦点位置を調節する手段と、光電変換器の電気信号を処理する手段とを、具備した構成をとる。 (もっと読む)


【課題】 製造工程の簡略化が図れ、かつ歩留まりを向上させることができるようにする。
【解決手段】 複数の半導体チップ形成部3を備えた半導体ウエハ5を用意し、それぞれの半導体チップ形成部3について電気的特性検査を行い、良品部分または不良品部分の判定を行い、良品部分と判定された各半導体チップ形成部3に、少なくとも一つの個片の他の半導体チップ9を電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハや液晶パネル等に発生する色むらや傷等の欠陥を、高速かつ高精度で検査することができ、しかも被検査ワークの大型化への対応を、検査精度及び検査スループットを維持したままで容易に達成できる外観検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】被検査ワークWの撮像及び検査画像の処理を行う撮像処理ユニット1を複数配置し、これら複数の撮像処理ユニット1を用いて被検査ワークWの全面または一部を分割撮像するとともに、その各撮像処理ユニット1独立に撮像画像の検査処理を行い、それら検査処理結果に基づいて統合判定部3にて被検査ワークWの良否を判定する。 (もっと読む)


【課題】 分類精度が高く、且つ処理効率が高い半導体欠陥分類方法を提供する。
【解決手段】 半導体欠陥分類方法は、検査対象物上に存在する欠陥を検出する第1のステップ(S01)と、検出した欠陥を分類して複数の母集団を形成する第2のステップ(S02)と、各母集団ごとにサンプリングプランを立てる第3のステップ(S03)と、各母集団に属する欠陥をそれぞれサンプリングプランにしたがってサンプリングする第4のステップ(S04)と、各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合をそれぞれ算出する第5のステップ(S05)と、サンプリングされた欠陥を自動分類する第6のステップ(S06)と、自動分類された欠陥の個数を、それぞれ各母集団に属する総欠陥数に対するサンプリングした欠陥の個数の割合で除する第7のステップ(S07)とからなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の半導体素子が連なった状態で封止され、画像認識により位置決めされて試験に供される半導体装置、半導体装置の試験製造方法及び半導体装置の試験方法に関し、既存のウェーハプローバで認識可能なアライメントマークを容易に形成することを課題とする。
【解決手段】 半導体チップ14の電極を所定の位置に配置された電極パッドに接続するための再配線層18を半導体チップ14上に形成する。ハンダボール22が形成されるメタルポスト16を再配線層の電極パッド上に形成する。再配線18上に、メタルポスト16と所定の位置関係で配置されたアライメントマークを提供するマーク部材24を形成する。マーク部材24はメタルポスト16と同じ材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットへ高電圧を印加する為の高電圧ケーブルの損傷及びターゲット移動精度の低下を防ぐ。
【解決手段】 長手方向に沿って凸部が形成されている一方のX軸レール24Aはステージベース21上に固定され、長手方向に沿って凹溝が形成されている他方のレール24BはX方向ステージ22に固定され、レール24Aの凸部がレール24Bの凹溝にはめ込まれ、X方向ステージ22の移動によりレール24Aがレール24Bに対して摺動可能に成してある。長手方向に沿って凸部が形成されている一方のYレール25AはX方向ステージ22上に固定され、長手方向に沿って凹溝が形成されている他方のレール25BはY方向ステージ23に固定され、レール25Aの凸部がレール25Bの凹溝にはめ込まれ、Y方向ステージ23の移動によりレール25Aがレール25Bに対して摺動可能に成してある。 (もっと読む)


【課題】 回路パターンが形成されたウエハの欠陥の種類を分類するウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】 検査の対象となるウエハがウエハ欠陥検査部11で検査され、該ウエハ欠陥検査部11から座標値データS11 が出力される。座標値データS11 は画像データ生成部12に入力され、該画像データ生成部12でウエハの欠陥を表す図形が各チップ毎に作成されて画像データS12 が生成される。画像データS12 はパターン重なり評価部13に入力され、該パターン重なり評価部13で該画像データS12 に対応した第1の画像と回路の配線情報に基づいた回路パターンを表す第2の画像との重なりの状態が解析されて解析データS13 が出力される。解析データS13 は欠陥種自動分類部14に入力され、該欠陥種自動分類部14で各チップの被検査面上に存在する欠陥の種類が分類される。 (もっと読む)


テストシステムまたは半導体パッケージにおいて使用するプローブカード冷却アセンブリには、直接冷却によって冷却される1つまたは複数のダイを備えたパッケージが含まれる。冷却パッケージには、能動電子部品を備えた1つまたは複数のダイおよび少なくとも1つの冷却剤ポートが含まれ、この冷却剤ポートによって、動作中に、冷却剤が、高密度パッケージに入り、ダイの能動電子部品を直接冷却することが可能となる。 (もっと読む)


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