【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ブレード欠けやチップ端部のチッピングを防ぎ、かつウエハプロセスの評価を行うこともできる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板１の有効領域２と有効領域２の周囲の無効領域３にそれぞれ拡散層４，５を同時に形成する。拡散層４，５上にそれぞれエミッタ電極６及び小信号電極７を同時に形成する。小信号電極７にプローブ１２を接触させて拡散層５の電気特性又は拡散層５と小信号電極７のコンタクト抵抗を測定するテストを行う。テストの後に、エミッタ電極６上に開口１０を有し、小信号電極７を覆う絶縁膜９を形成する。開口１０を介してエミッタ電極６上にメッキ１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の不良解析技術において、解析成功率の向上や解析時間の短縮を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】ショートしていると推測される一方の特定配線を特定（Ｓ１０３）し、その相手と推測される隣接配線の抽出（Ｓ１０４）をおこない、両配線間において電圧状態（論理状態）が異なる異電圧時間帯の算出（Ｓ１０７）をし、その異電圧時間帯で発生する発光現象の頻度を調査することにより、上記一方の特定配線に対して、どの隣接する配線がショートしているのかを短時間で確実に推定する。 （もっと読む）

【課題】１つの貫通配線のみの抵抗を測定できる貫通配線の検査方法、及び該貫通配線の検査方法を行う工程を含む貫通配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】基板１の一方の面１ａに配された導電部２と、基板１を貫通し、導電部２と接続される第一貫通配線３、第二貫通配線４および第三貫通配線５とを少なくとも備えた貫通配線基板１０を用い、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第二貫通配線４に、定電流源６の一組の端子６ａ，６ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３、導電部２、第二貫通配線４の経路に電流を流すと同時に、基板１の他方の面１ｂ側から第一貫通配線３及び第三貫通配線５に、電圧計７の一組の端子７ａ，７ｂを電気的に接続して、第一貫通配線３における電圧降下を測定することを特徴とする貫通配線の検査方法。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化が進むと、実際の配線幅に比較して画像中の配線の幅方向のピクセル数が不十分になり、検査精度を向上させるために、撮影倍率を向上させると、処理能力が落ちて、生産性が落ちてしまうという課題を解消できる技術を提供する。
【解決手段】表面に配線が形成された検査対象物の表面を電子カメラで撮像し、その撮像した画像に含まれる配線パターンを検出し、検出した配線パターンのうち画素の配列に対して傾斜した配線像を抽出し、その抽出した配線像の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】チッピング検出用配線が他の部材で覆われている状態であっても、ダイシングによって電子部品を形成した後に、チッピング検出用配線の導通状態を検出するための電圧を印加できる基板を提供する。
【解決手段】電子部品４０は、互いに平行を成す一方の主面４１ａと他方の主面４１ｂが矩形状の基体４１を有する。基体４１の一方の主面４１ａには、第一チッピング検出用配線４２が配されている。また、基体４１の他方の主面４１ｂには、第二チッピング検出用配線４４が配されている。第一チッピング検出用配線４２は貫通配線４３ａを介して第二チッピング検出用配線４４に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】配線溝へのめっきの埋め込み性を安定させることができる半導体装置の製造方法等を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、めっき処理によって金属膜を埋め込んで検査パターン１０を形成する形成工程と、検査パターン１０の特性を検出する検出工程と、検出工程によって検出された検査パターン１０の特性に基づいて、前記めっき処理の条件を調整する調整工程とを含む。前記形成工程は、３層以上の配線層１１〜１３に亘って形成され、かつ中間層にスタックドビア２２を有するパターンを、前記検査パターン１０として形成する。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてＸ線に対して回折ピークを持つ金属層にＸ線を照射して得られる回折ピークを入手するステップＡ、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップＢ、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップＣを具備する。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】 光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。
【解決手段】 ワイドギャップ半導体であるｎ−ＧａＮ膜１３の表面に、当該ワイドギャップ半導体とショットキー接合が可能な透光性を有する有機金属膜を形成するショットキー電極形成工程により、バンドギャップが広くて仕事関数が大きいという特徴を有する導電性の有機金属膜１５をワイドギャップ半導体のショットキー電極として形成し、単色光照射部２３により、単色光として、例えば、十分に波長分解能の高い単色光を有機金属膜１５側から分光照射し、電圧パルス発生部２１により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３に所定のタイミングで所定電圧強度のパルス電圧を印加し、インピーダンス計測部２２により、有機金属膜１５が形成されたワイドギャップ半導体ｎ−ＧａＮ膜１３のインピーダンスを検出する。 （もっと読む）

【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した２次電子強度に応じた２次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】メタル配線の断線を検査することが可能な半導体解析装置を提供する。
【解決手段】検査対象である半導体装置に電圧を印加するための電源部と、レーザ光を発する光源と、前記レーザ光を前記半導体装置に走査しながら照射する光学系と、前記絶縁膜を介し前記半導体装置に設置された検出電極と、を有し、前記検出電極は前記半導体装置の配線と容量的に結合されており、前記レーザ光を走査しながら照射することのより得られる前記検出電極により検出される信号に基づき、前記半導体装置の故障部分を解析することを特徴とする半導体解析装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをＴＤＤＢ寿命によって分別できるようにする。
【解決手段】信頼性基準記憶部２１０は、第１配線層と、第１配線層の上に位置する第２配線層の重ね合わせ誤差の大きさに基づいて、半導体装置を３つ以上の信頼性ランクに分けるための基準データを記憶する。誤差記憶部２３０は、複数の半導体チップ１２が切り出される半導体ウェハ１０の面内の複数点で測定された重ね合わせ誤差を記憶する。誤差算出部２４０は、半導体ウェハ１０の面内における複数の半導体チップ１２の座標、及び誤差記憶部２３０が記憶している重ね合わせ誤差に基づいて、複数の半導体チップ１２別に重ね合わせ誤差を算出する。信頼性情報付与部２５０は、複数の半導体チップ１２別の重ね合わせ誤差と基準データに基づいて、複数の半導体チップ１２それぞれに信頼性ランクを示す信頼性情報を付与する。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】入力端子または出力端子の再配線による抵抗値の異常を簡単な構成で短時間に検査することができる半導体装置とその検査方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０上の入力パッドまたは出力パッドＰ２と電源パッドＰ１間（入力パッドまたは出力パッドＰ２と接地パッドＰ３間でもよい）に接続された保護用ＭＯＳトランジスタＭ１を有し、半導体装置２０の外部端子Ｔ４から入力されるテスト信号を保護用ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに印加することにより、入力パッドまたは出力パッドＰ２を電源パッドＰ１に接続するかを制御する。また、半導体装置２０は半導体チップ１０のパッドＰ１〜Ｐ４と半導体装置の外部端子Ｔ１〜Ｔ４間を接続する再配線手段を備える。半導体装置２０はＣＳＰまたはＷＬＣＳＰで製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】素子領域の外側を一巡している周辺耐圧領域を備えた半導体装置のトレンチゲート電極の不良の有無を判定することができる検査方法を提供する。
【解決手段】トレンチゲート電極に負の電圧を印加することによって、素子領域の耐圧を周辺耐圧領域の耐圧（耐圧直線２９）よりも低くし、素子領域の耐圧を測定する。トレンチゲート電極に不良がある場合の耐圧直線２８の傾きは、トレンチゲート電極に不良がない場合の耐圧直線２７の傾きよりも大きい。このため、トレンチゲート電極に印加する負の電圧が等しければ、トレンチゲート電極に不良がある場合の素子領域の耐圧は、トレンチゲート電極に不良がない場合の素子領域の耐圧に比べて低い耐圧が測定される。 （もっと読む）

【課題】 インラインにおいても金属膜の実際の膜厚を測定することが可能な金属膜の膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】 膜厚測定用の測定光を測定対象物１１に照射する工程と、測定対象物１１からの反射光からこの測定対象物１１の反射率を検出する工程と、検出された測定対象物１１の反射率から得た測定反射率データと、膜厚判断の基礎となる基礎反射率データとに基づいて、測定対象物１１の膜厚を決定する工程と、を備え、測定対象物１１が導電性を有する金属膜であり、金属膜の膜厚が、金属膜に透過した測定光がこの金属膜中で全て吸収されない膜厚以下である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保することが可能となる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】プローブ５を定電流回路７に接続するか、プローブ５を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ１と、プローブ３を定電流回路７に接続するか、プローブ３を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ２と、プローブ４を定電流回路７に接続するか、プローブ４を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ３と、プローブ６を定電流回路７に接続するか、プローブ６を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ４と、電極Ｆ＋、電極Ｆ−、電極Ｓ＋及び電極Ｓ−の少なくとも１つの電極上において所定時間後に絶縁膜が成長する電極に接続されたプローブを定電流回路７に接続するようにスイッチＳ１〜スイッチＳ４を制御する切替制御回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられる貫通孔および貫通電極の形成状態および出来映えを容易に確認可能にし、貫通孔および貫通電極の品質向上と、接続不良の早期発見を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の表面に設けられた内部電極１２Ａおよび内部電極１２Ｂと、半導体基板１１を厚み方向に貫通して内部電極１２Ａに到達し、内部電極１２Ａと電気的に接続された第一の貫通電極１７Ａと、半導体基板１１および内部電極１２Ｂを厚み方向に貫通する第二の貫通電極１７Ｂと、半導体基板１１の裏面に設けられ、第一の貫通電極１７Ａと電気的に接続された金属配線１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】スクライブ領域の幅を狭くするのに適した半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハは、半導体素子の形成された複数のチップ領域が、隣接するチップ領域間にスクライブ領域を介して画定されており、スクライブ領域内に配置されたモニタ素子と、チップ領域内に配置されたパッドと、モニタ素子とパッドとを接続する配線とを有する。 （もっと読む）