【課題】電気特性取得評価方法に関し、試料側にもプローブ側にも問題を発生させることなく安定な電気特性取得評価を行う。
【解決手段】積層体の表面側電極に対するコンタクトホール２１を露出する工程と、前記露出したコンタクトホール２１に導電性物質を埋め込んで凸状構造２２を形成する工程と、前記凸状構造２２を含む領域にカンチレバーを間欠接触測定方式で接触させて前記凸状構造２２の位置を認識する工程と、前記凸状構造２２の中心軸の方向に前記カンチレバーを押しつけて電気特性を取得する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップの製造コストを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第１の電源配線を含む第１の電源配線層を備える複数のＬＳＩ領域と、前記半導体基板に形成された第１の電源端子と、前記ＬＳＩ領域の間のダイシングライン領域に、前記ＬＳＩ領域と前記ダイシングライン領域とを区画するダイシングラインに沿って形成され、前記第１の電源配線と前記第１の電源端子とを電気的に接続する第２の電源配線を含む第２の電源配線層と、を備える。少なくとも前記ＬＳＩ領域において、前記第１の電源配線と前記第２の電源配線との境界にバリアメタル膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積み重ねられた半導体装置間の電気的接続信頼性を向上可能な半導体装置及び積層型半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】表面５８ａ及び裏面５８ｂを有する半導体チップ３８を貫通する第１の貫通電極４８と、半導体チップ３８の表面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の表面電極５３と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第１の貫通電極４８の一端に接続される第１の裏面電極５５と、半導体チップ３８を貫通する第２の貫通電極４９と、半導体チップ３８の裏面側に位置する第２の貫通電極４９の一端に接続される第２の裏面電極５６と、を備え、半導体チップ３８の表面側に位置する第２の貫通電極４９の一端には電極を設けない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードの寿命を延ばすことができるとともに、半導体装置のエッジ部へのダメージを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。下配線２５はＣｕ以外の配線材料からなり、上配線２９はＣｕからなる。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続されたボンディングパッドを一面に有する半導体基板において、ワイヤの接続によるボンディングパッド下部のクラックの発生を適切に検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１０の下部には、当該半導体基板１の特性を検査するための検査用配線４０が設けられており、検査用配線４０は、ボンディングパッド１０のうちボンディングワイヤ７０の端部が位置する部位の直下に配置されている。 （もっと読む）

【課題】検査に用いるプローブの耐久性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ウエハーのスクライブ線１５０上に配置された第１チェック素子１を具備する。第１チェック素子１は、第１配線絶縁膜５と、第１配線絶縁膜５の第１開口部に配置された第１チェック素子パッド１０とを備える。第１チェック素子パッド１０は、導電性の第１パッドメタル部１２と、矩形の平面形状を有する絶縁性の第１ダミー部１３とを含む。第１ダミー部１３の平面形状は、スクライブ線１５０の長手方向と垂直な２つの第１長辺と、第１チェック素子パッド１０の外周部近傍に配置される２つの第１短辺とを含む。 （もっと読む）

【課題】測定時において疑似ピークが現れないＤＬＴＳ測定用電極を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に設けられたアンチモンからなるショットキー電極１２ａと、シリコン基板１０の表面１０ａとショットキー電極１２ａとの間に設けられたチタンからなる密着膜１２ｂとを備える。本発明によれば、ショットキー電極の材料としてアンチモンを用いていることから、ＤＬＴＳ測定において疑似ピークがほとんど現れず、しかも、測定時におけるリーク電流を抑制することが可能となる。このため、シリコンウェーハに含まれている重金属の種類や濃度を正確且つ高感度に評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】インダクタを配置するための必要面積を小さく保ちつつ、電磁誘導で信号の送受信を良好に行う。
【解決手段】一面にインダクタ１１４が形成された半導体装置１００に、半導体装置１００のインダクタ１１４に対応する位置に設けられた外部インダクタ２０４を含む外部装置（２００）から信号の送受信を行う。この手順は、少なくとも半導体装置１００のインダクタ１１４と外部装置２００の外部インダクタ２０４との間に強磁性体の微粒子を含む強磁性体膜１３０を配置し、強磁性体膜１３０を介してインダクタ１１４と外部インダクタ２０４とを対向配置させる工程と、インダクタ１１４と外部インダクタ２０４とを対向配置させた状態で、インダクタ１１４と外部インダクタ２０４との間で電磁誘導で信号の送受信を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずに回路部のテストを行うことができ、スクライブ領域の有効活用を図ることができ、半導体チップを安定的に製造することができ、非接触で外部との通信を行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ形成領域１４Ｂと、半導体チップ形成領域１４Ｂ間に位置するスクライブ領域１４Ａとが形成された半導体ウェハ１１と、半導体ウェハ１１上に設けられた複数の半導体チップの回路部１２と、各半導体チップ形成領域１４Ｂ内に設けられ、各回路部１２に電気的に接続される複数の第一の導電層１３と、第一の導電層１３同士をスクライブ領域１４Ａの一部をまたいで電気的に接続する第一の接続部１５とを有する。第一の導電層１３および第一の接続部１５のいずれか一方に、外部電源供給用あるいは接地用のパッド１６が接続される。半導体装置１は、回路部１２に接続され、容量結合あるいは誘導結合により外部との通信を行う通信部Ｔを有する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極の直下でのクラックの発生を抑制できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成されたＬＯＣＯＳ膜３と、ＬＯＣＯＳ膜３上に形成されたポリシリコン膜５と、ＬＯＣＯＳ膜３上に形成されたＩＬＤ膜７と、ＩＬＤ膜７に形成され、ポリシリコン膜５を底面とする第１の開口部と、第１の開口部内に形成され、ポリシリコン膜５と接するパッド電極９と、を有する。ポリシリコン膜５は、ＩＬＤ膜７よりも強度があり、衝撃に対する耐性が高いため、プローブ検査の際にクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】探針を有するプローブカードを用いてプローブ検査を行う際に、テストパッドの表面にプローブ痕が残ってしまうことを防止できる技術を提供する。
【解決手段】パッド３２上の開口部は、チップ３１の表面に開口する開口部３３と、開口部３３の底部で開口し、パッド３２に達する開口部３４とからなり、開口部３３は、開口部３４に比べて大きな平面サイズとする。このような開口部３３、３４にのみ所定量の導電性流体３６を充填した状況下で、プローブ針１５の先端をその導電性流体３６と接触させて、プローブ針１５をパッド３２に接触させずに、パッド３２とプローブ針１５との電気的導通を取ることでプローブ検査を実施する。 （もっと読む）

【課題】多層の金属配線層を有する半導体装置において、より一層のパッド配置面積の低減を図る。
【解決手段】アルミ３と、アルミ３との間に層間絶縁膜を介して設けられたアルミ２と、アルミ２，３間を接続するコンタクトと、アルミ３に対応して設けられた保護膜の開口部１と、を備え、開口部１の内側領域が、外部電極用パッドであり、かつ、ボンディング領域とプローブテスト領域の二つに分けて使用される半導体装置である。前記ボンディング領域では、アルミ３が露出され、該アルミ３によりアルミ２が隠れている。前記プローブテスト領域では、アルミ２が露出されている。 （もっと読む）

【課題】 パッド電極を被覆している絶縁層を削り取ることなくかつ低荷重でプローブによる特性検査を行うことができる半導体装置とその検査方法と異方性導電フィルムを提供する。
【解決手段】 半導体装置１００はパッド電極２の表面に異方性導電層１６が形成されている。異方性導電層１６はパッド電極２に接している下層１４とその下層１４に接している上層１２を備えている。下層１４は導電性であるとともにパッド電極２側の端部が鋭角である第１フィラー群６を含んでおり、上層１２は導電性であるとともに下層１４側の端部が第１フィラー群６よりも鈍角である第２フィラー群１０を含んでいる。第１フィラー群６はパッド電極２の表面を被覆している絶縁層４よりも硬い材料で形成されている。プローブ１８を押圧すると第１フィラー群６が絶縁層４を突き破って貫通し、プローブ１８とパッド電極２が導通する。 （もっと読む）

【課題】半導体シリコンウェーハの電気的特性を評価するにあたり、電気的特性の評価の精度を従来に比べ向上させることが可能なシリコンウェーハ上にショットキー接合された電極とその電極の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体シリコンウェーハ上にショットキー接合された電極であって、半導体シリコンウェーハ上に酸化膜を介することなくアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）と金属アルミニウムを真空蒸着したものであることを特徴とする電極とその形成方法である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層、特には低抵抗のエピタキシャル層の抵抗率測定にあたって、ドーパント濃度を高精度に測定することが可能であり、繰り返し精度も高いドーパント濃度や抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に形成され、該シリコン基板と同じ導電型を有するエピタキシャル層のドーパント濃度をＣ−Ｖ法により測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法であって、少なくとも、前記エピタキシャル層上に直径１．５ｍｍ以下の電極を形成し、該電極を用いてＣ−Ｖ特性を求めてドーパント濃度を測定するエピタキシャル層のドーパント濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜の損傷を防ぎつつ、導電性パッドに導電性の針を当接させて行われる電気的な試験を正確に行うことが可能な半導体装置、半導体ウエハ構造、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０の上方に形成された層間絶縁膜４０と、層間絶縁膜４０の上に形成され、主導電膜４３ｂと、該主導電膜４３ｂよりも硬い表面導電膜４３ｄとを順に形成してなる導電性パッド４３ｐと、層間絶縁膜４０の上に形成され、導電性パッド４３ｐが露出する窓５１ａを備えたパッシベーション膜５１とを有し、導電性パッド４３ｐの上面に、表面導電膜４３ｄよりなる凸パターンPが形成された半導体装置による。 （もっと読む）