【課題】溝配線に生じるディッシングやエロージョンが配線構造に及ぼす影響を簡便に評価できるような半導体装置を提供する。
【解決手段】ＴＥＧ２００は、多層配線層中に設けられている。また、多層配線層中の第１絶縁膜に埋め込まれた下層溝配線１を備えている。ＴＥＧ２００は、第１絶縁膜８０（図示せず）の表層に埋め込まれた下層導体パターン１と、第１絶縁膜８０上及び下層導体パターン１上に形成された第２絶縁膜２０と、それぞれが同一の下層導体パターン１に対向する複数の上層導体パターン１０と、を有している。なお、上層導体パターン１０は、第２絶縁膜２０の表層に埋め込まれていても良いし、第２絶縁膜２０上に形成されていても良い。 （もっと読む）

【課題】接合ウェーハを破壊することなく、接合界面に間隙が生じていない場合であっても、局所的な接合部の接合強度を検査することができる検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ接合強度検査装置１００は、接合ウェーハ２００を保持する試料ステージ１６０と、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生器１５１と、接合ウェーハ２００を透過又は反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出器１５７と、テラヘルツ波検出器１５７によって検出したテラヘルツ波より接合ウェーハ２００のＴＨｚ波特性を演算する演算部と、を有する。演算部は、予め求めた基準試料のＴＨｚ波特性と接合強度の間の関係から、検査対象の接合ウェーハのＴＨｚ波特性に対応する接合強度を演算する。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化が進むと、実際の配線幅に比較して画像中の配線の幅方向のピクセル数が不十分になり、検査精度を向上させるために、撮影倍率を向上させると、処理能力が落ちて、生産性が落ちてしまうという課題を解消できる技術を提供する。
【解決手段】表面に配線が形成された検査対象物の表面を電子カメラで撮像し、その撮像した画像に含まれる配線パターンを検出し、検出した配線パターンのうち画素の配列に対して傾斜した配線像を抽出し、その抽出した配線像の欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】不良箇所の特定の容易化を実現し得る配線構造、半導体装置及び不良箇所特定方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の配線１４と、第１の配線上に形成され、第１の領域において第１の配線と重なり合う第２の配線２０とを有し、第１の配線は、第１の領域外に突出する第１のタブ部１６を有している。 （もっと読む）

【課題】故障箇所特定の精度を低下させずに観測時間の短縮ができる故障解析装置を実現する。
【解決手段】本発明の故障解析装置は、被解析ＬＳＩ３３のチップ表面にレーザ光を照射して、被解析ＬＳＩ３３の故障箇所を特定する故障解析装置であって、分割制御情報１８に基づいて、被解析ＬＳＩ３３へのレーザ光の照射領域を任意の複数の矩形領域であるブロックに分割してブロック情報１９を生成するブロック分割制御部１４と、ブロック情報１９とあらかじめ抽出された被解析ＬＳＩ３３の故障ノード情報２０とに基づいて、複数のブロックの優先順位を決定してレーザ照射情報２１を生成する優先順位設定制御部１５と、レーザ照射情報２１に基づいて、被解析ＬＳＩ３３へのレーザ光の照射を制御するレーザ制御部１７を有する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗性のオープン抵抗の特定を可能とする電子部品の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】電子部品の検査装置であって、当該検査装置は、電子部品における故障発生が疑われる配線に接続するための電流検出端子１０６と、電流検出端子１０６に接続されており、配線に生じた電流を検出する電流検出器１０５と、電流検出端子１０６と電流検出器１０５との間に設けられ、電流を通過させるか否かをゲートの開閉により切り替えるゲーティング装置１１２と、電子ビームを生成する電子銃１０１と、電子ビームをパルス化するパルスビーム発生装置１１１と、パルス化された電子ビームを配線に照射した際に生じた電流を電流検出器１０５により検出する際に、ゲーティング装置１１２のゲートの開閉を調整するゲーティング調整装置１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の電気特性を効率よく検査する。
【解決手段】本発明の半導体装置２の製造方法は、シリコン基板２０に半導体素子を含んだ電気回路を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、電気回路と電気的に接続される第１貫通電極２２を形成する工程と、シリコン基板２０を貫通して設けられ、シリコン基板２０の表面２０ａで第１貫通電極２２と短絡する第２貫通電極２３を形成する工程と、シリコン基板２０の裏面２０ｂにおいて、第１貫通電極２２と第２貫通電極２３との間の電気特性を検査する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】張り合わせウェーハであっても、その上に形成された各デバイスをオンウェーハ状態で確実に通電検査を行うことができるデバイス搭載ウェーハの提供、オンウェーハ状態での通電検査を確実に行うことができるデバイスチップ及びデバイスチップの製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】支持基板用ウェーハ１１に張り合わせ界面１４を介して半導体層１２を張り合わせた張り合わせウェーハを用い、スクライブライン１０ａで区分された複数のチップ領域１０ｂにそれぞれ半導体デバイス１３を構成してなるデバイス搭載ウェーハ１０であって、前記スクライブライン１０ａに沿って前記張り合わせ界面１４を越える深さの電気的隔離溝１５を形成することで、前記各半導体デバイス１３を電気的に分離独立させた状態に構成してある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の機能検査と貫通電極の機能検査とを実施するための検査時間を抑制すると共に、基板の両面から貫通電極に接触することが必要であることに起因して高度な検査技術が必要である貫通電極の検査を容易にすることができる、半導体装置、半導体装置の検査方法、半導体装置マザー基板、及び半導体装置の製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、回路形成面と裏面とを有する半導体基板の、回路形成面に回路素子及び回路配線を形成する工程と、回路形成面と裏面とを電気的に接続する貫通電極を形成する工程と、第二貫通電極を貫通電極に対応して形成する工程と、裏面に配設されており、貫通電極と第二貫通電極とを接続する接続裏面配線を形成する工程と、少なくとも第二貫通電極に、回路形成面側から検査プローブを接触させることによって、回路素子及び回路配線の機能を検査する機能検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力端子または出力端子の再配線による抵抗値の異常を簡単な構成で短時間に検査することができる半導体装置とその検査方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０上の入力パッドまたは出力パッドＰ２と電源パッドＰ１間（入力パッドまたは出力パッドＰ２と接地パッドＰ３間でもよい）に接続された保護用ＭＯＳトランジスタＭ１を有し、半導体装置２０の外部端子Ｔ４から入力されるテスト信号を保護用ＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに印加することにより、入力パッドまたは出力パッドＰ２を電源パッドＰ１に接続するかを制御する。また、半導体装置２０は半導体チップ１０のパッドＰ１〜Ｐ４と半導体装置の外部端子Ｔ１〜Ｔ４間を接続する再配線手段を備える。半導体装置２０はＣＳＰまたはＷＬＣＳＰで製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】ウェハ等の基板に欠陥などを生じさせることなく、ウェハを帯電させることのできる半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ２３のコンタクトホール界面状況や薄膜を評価する半導体検査装置において、ウェハ２３外から前記電子ビームを照射し、この照射によってウェハ２３または薄膜周辺に電子を間接的に照射させ、この後に、前記電子ビームをウェハ２３または薄膜等の測定点に照射して前記測定を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に設けられる貫通孔および貫通電極の形成状態および出来映えを容易に確認可能にし、貫通孔および貫通電極の品質向上と、接続不良の早期発見を可能にする技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の表面に設けられた内部電極１２Ａおよび内部電極１２Ｂと、半導体基板１１を厚み方向に貫通して内部電極１２Ａに到達し、内部電極１２Ａと電気的に接続された第一の貫通電極１７Ａと、半導体基板１１および内部電極１２Ｂを厚み方向に貫通する第二の貫通電極１７Ｂと、半導体基板１１の裏面に設けられ、第一の貫通電極１７Ａと電気的に接続された金属配線１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）

【課題】放電防止の機能を有し、吸収電流の検出をより効率よく行う検査装置を提供する。
【解決手段】吸収電流検出器２３を真空試料室２６の内部に搭載し、探針１９から吸収電流検出器２３までの信号配線のもつ静電容量を数ｐＦ程度まで低減することにより、数十ｋＨｚ以上の高周波数吸収電流信号であっても検出が可能となる。また、信号切換制御部１５により信号切換部２２を動作させ、試料９に接触した探針１９と半導体特性解析装置２５の信号線を導通させることにより、探針１９に繋がる信号経路を吸収電流の伝送に限定することなく、試料９の電気的特性の測定が可能となる。また、探針１９や試料ステージ１８に帯電のスローリークのための抵抗を設ける。 （もっと読む）

【課題】精度および効率に優れたパターン検査装置、パターン検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】上下方向に互いに隣接する複数層にそれぞれ形成されたパターン同士の相対的位置関係に依存するプロセス上の危険度に応じて欠陥検出のための閾値を変える。 （もっと読む）

【課題】多層配線の形成後に、熱履歴に起因するビア不良を検出するビア不良検出構造を提供する。
【解決手段】 ビア不良検出構造は、半導体基板上の第１配線、前記第１配線の上方に位置する第２配線、及び前記第１配線と第２配線を電気的に接続する第１ビアを含むビアチェーン（１５）と、前記ビアチェーンの一端側に接続される検査領域（Ｃ）と、前記ビアチェーンを、前記半導体基板と電気的に接続するコンタクト領域（Ｂ）と、を含み、前記検査領域は、前記ビアチェーンの一端側から引き出され、前記第１配線よりも大きなサイズの引き出し配線（２２Ｃ、２３Ｃ、２４Ｃ）が前記ビアチェーンの第２配線よりも上層まで積層された多層引き出し配線と、前記多層引き出し配線を各層間で接続する引き出し配線ビア（３２、３３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線の欠陥検出を行う手段の提供。
【解決手段】配線検査装置１は、配線が形成された基板１００に検査信号を印加する検査信号印加部４と、基板に電子線を照射する電子線照射部２と、基板から放出される二次電子を検出する二次電子検出部３と、二次電子の信号強度によって配線の電位状態を検出し、この電位状態から配線の欠陥を検出する欠陥検出部６とを備える。基板に配線が形成された段階において、この配線に電気信号を印加して所定の電位状態とし、この電位状態の配線に電子線を照射して放出される二次電子を検出し、この二次電子の信号強度に基づいて配線の欠陥検出を行う。欠陥検出は、配線の欠陥の有無、欠陥位置、ショート欠陥かオープン欠陥かの欠陥種の判別が可能である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の剥離を検出する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２の外周に沿って層間絶縁膜の剥離を検出するための信号を伝送する検査配線３が形成されている。検査配線３に検出信号を供給するための検出回路４と、検査配線３を流れた検出信号を出力するための出力端子５と、半導体チップ２に設けられた内部回路６と、内部回路６からの出力信号と、検査配線３を流れた検出信号とのいずれか一方を選択して出力端子５に供給する出力切替回路７を備える。検査配線３は適当な間隔毎に切断され、層間配線１０を通して最上層配線８に載せ替えて接続されている。以上の構成により、測定端子数を増やすことなく層間絶縁膜の剥離を容易に検出することが可能となり、さらに層間絶縁膜の接着を補強することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト不良の発生場所を特定することができる試験回路、半導体ウエハ装置、及び試験方法を提供すること。
【解決手段】直列に接続された複数のコンタクト抵抗Rを含むコンタクトチェーン５０と、隣り合うコンタクト抵抗Rの接続点Pに、ソース領域１７ａが電気的に接続されたトランジスタTRと、ドレイン領域１７ｂに一端が電気的に接続されたヒューズ２２とを有する試験回路による。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの欠陥検査方法では、処理速度を高めるため、お手本となる基準パターンと被検査物は単純な比較による差異で良不良を判断していた。また、回路パターンは製品の動作に直接関係するため、できるだけ細かな差異を欠陥として判定させていた。しかし、細かな差異は過検出となり、別途目視での再検査が必要となる。
【解決手段】単純な比較による検査で不良と判定された被検査物の欠陥部分の画像を、欠陥の種類毎の分析によって、そもそも欠陥であるか否かと、欠陥であったとしても容認できるか否かを判定する。 （もっと読む）