【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】１枚の対象基板の測定結果だけで，パーティクル分布が異常か否かを極めて容易に判定できるようにする。
【解決手段】パーティクル分布解析を行う対象基板について，その基板上のパーティクル座標データからパーティクル相互間距離についてのヒストグラムデータを作成するとともに，その対象基板上のパーティクルと同数のパーティクルを計算上ランダムに分布させた複数枚の仮想基板について，パーティクル相互間距離のヒストグラムデータを作成する。これら対象基板と各仮想基板のヒストグラムデータ群との差異に基づいて，対象基板のヒストグラムデータについて仮想基板のランダムなヒストグラムデータ群からの距離を数値化した判定データを算出して表示部に表示する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】被判定データ群のいずれかのデータ点を第１代表点とする。第１代表点を基準点とし、基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、選定用方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を第２代表点とする。直前に選定された代表点を次の基準点とし、次の基準点を通って各データ点へ向かうデータ点方向のうち、次の基準点を通り、直前代表点の選定で用いられた基準点へ向かう方向に対してその方向から見て時計回りでなす角度が最小のデータ点方向に対応するデータ点を次の代表点とする処理を繰り返す。代表点が線で連結されてなる分布代表点領域と判定領域とが重なる重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域を任意の点である領域の分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割中心点から最大距離にあるデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】座標平面上で、データ点分布領域を表現するための情報量を小さくした状態で、データ点分布領域が特定の判定領域に分布しているかどうかを判断する。
【解決手段】対になった２つの変数をもつ複数のデータからなる被判定データ群のデータが点として表される座標平面に判定領域を設定する。その座標平面の領域をデータ点の分布領域を横切る分割用直線によって２つ以上の領域に分割する。分割領域ごとに分割領域内のデータ点のうち分割用直線が延びる２方向でそれぞれ最も外側に位置するデータ点をデータ点分布領域の代表点として選定する。代表点が線で連結されて形成される分布代表点領域と、判定領域とが重なる重複領域の有無を判断する。重複領域があるときは被判定データ群が該当データ群であると判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの分類等に関し各種の不良領域の高精度な分類等を可能とする。
【解決手段】本方法及びシステムでは、フェイルビット解析結果やクリティカルエリア等の情報を用いて、ウェハ領域を、異物不良領域（Ｅ１）、同心円状不良領域（Ｅ２）、及びクラスタ不良領域（Ｅ３）に分類する処理を行う。そして、各領域の不良率（工程ごと、フェイルビットモードごと等）を求め、その結果情報を出力する。分類処理は、ウェハ領域分割（S501）、チップ単位の不良数の算出（S502）、ヒストグラム作成（S503）、領域合成・異常値チップ除外（S504）、第１の分類（Ｅ１，Ｅ２）（S505）、第２の分類（Ｅ３）（S506）、分類確定（S507）等から成る。 （もっと読む）

【課題】複数台の画像処理装置を用いて欠陥レビューないし欠陥分類を実行する欠陥レビュー装置において、１台の画像処理装置が故障しても欠陥レビューを継続可能な欠陥レビュー装置を実現する。
【解決手段】複数台の画像処理装置間を統括制御する画像処理制御部を設け、複数台の画像処理装置間で常に生存信号を送受信する。生存信号に何らかの障害が検出された場合（タイムアウトなど）、複数台の画像処理装置間で実行している画像処理について、画像処理制御部が画像処理を実行する画像処理装置の再割り当てを行う。
【効果】障害が発生しても欠陥レビュー装置の動作を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来はウエハの半径方向と楕円形状ビームの長辺とを合わせる方法として、光軸調整用検出器と検査用の検出器を別々に設けられていた。そのため検査用の検出器上で光ビームの長辺と半径方向とが一致していないという問題が発生した。
【解決手段】本発明は、ウエハからの散乱光の検出方法としてマルチアノードの検出器を使用し、欠陥検出用の検出器（マルチアノード）のデータを使用して、ウエハに照射されているビームの形状や半径方向とビーム長辺との回転ズレなどを算出して照射ビームの光軸調整を行う方法を提供する。さらに、上記補正データをもとに、回転や振幅の補正量を検査信号データにフィードバックさせ、検査データの補正を行う手段を設ける。本発明により、光学系の調整や信号処理による微細な補正が可能になるため、欠陥検出の位置精度および欠陥強度（欠陥寸法）の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】微小なパーティクルであっても高い確実性をもって検出することができ、信頼性の高い計測を行うことができるパーティクルの検出方法を提供すること。
【解決手段】基板である半導体ウエハＷの上にダミー膜１１を成膜し、次いでウエハＷの表面に真上から光を照射しながら照射位置を移動させ、その反射光を受光し、この受光した光の強度と光の照射位置とを対応付けたデータを取得して、ウエハＷ上のパーティクルを検出する。ここでダミー膜１１の膜厚をダミー膜１１の表面で反射された反射光と、ダミー膜１１とウエハＷとの界面で反射された反射光とが同位相になるかまたは逆位相になるように設定することにより、可干渉状態あるいは不干渉状態を形成しておく。パーティクルがダミー膜１１の表面あるいは前記界面のいずれかに存在すると、上記の状態が崩れるため、受光する光の強度が変化し、これにより高感度でパーティクルを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチ等と付着する粒子状の異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。
【解決手段】欠陥検査装置を、第１のＵＶ光を被検査物の表面に垂直方向から照射する第１の照明系と、第２のＵＶ光を被検査物の表面に斜方から照射する第２の照明系と、被検査物からの散乱光を集光レンズで集光して検出する検出光学系手段と、検出信号を処理して欠陥を弁別する演算処理部とを備えて構成し、第１の照明系の反射ミラーを集光レンズの光軸上で集光レンズとステージとの間に配置して、被検査物の表面に平行な方向から入射した第１のＵＶ光を反射ミラーで反射させて被検査物の表面に垂直方向から照射するように構成した。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料搬送中に、試料に付着した異物の除去を行う試料搬送機構、及び試料搬送機構を備えた走査電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するための一態様として、試料を裏面から支持する試料搬送用ハンドを備えた試料搬送機構であって、前記試料を吸着して保持する吸着機構と、当該吸着された試料と、前記試料搬送ハンド間に形成される閉空間内で、試料に気体を吸着する吸着機構と、当該閉空間内の気体を吸引する吸引機構を備えた試料搬送機構を提案する。更に走査電子顕微鏡内で発生した異物を、試料カセット等に持ち込まないように、走査電子顕微鏡鏡体と試料カセットとの間に設けられた試料搬送用ハンドに設けられた異物除去機構によって、異物を回収する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】欠陥部分を拡大するなどして詳細に検査する時に、ステージの移動量をできるだけ少なくして、画像取得時間を短縮し、効率よく欠陥を観察することができる資料の観察方法及びその装置を提供する。
【解決手段】検査装置で検出した試料の欠陥の情報に基づいて試料を撮像して試料の欠陥を含まない参照画像を得、検査装置で検出した試料の欠陥の情報に基づいて欠陥が撮像の視野に入るように試料の位置を調整し、この位置を調整した試料を撮像して試料の欠陥を含む欠陥画像を得、参照画像と欠陥画像とを比較してこの欠陥画像中の欠陥を検出し、撮像の視野内の検出した欠陥を含む一部の領域を撮像して欠陥の拡大画像を得、この欠陥の拡大画像を画面上に表示することを特徴とする試料の観察方法。 （もっと読む）

【課題】大量のスループットを可能にする高速プロセスを有する光学検査システムを提供する。
【解決手段】レーザ光源１０１からの光ビーム１５１は、活性領域を有し、複数の移動レンズを活性領域に選択的に生成するようにＲＦ入力信号に対して応答する移動レンズ音響光学デバイス１０４に適用される。該音響光学デバイスは、生成された移動レンズの各々の焦点のそれぞれで、光ビームを受け、複数のフライングスポットビームを生成するように動作する。該ポットビームは半導体ウェハ１０８を走査する。使用可能な走査データを生成するために、複数の検出器セクションを有する光検出器ユニット１１０が使用され、各検出器セクションは、複数の光検出器と、複数の光検出器からの入力を並列に受けるように動作する少なくとも１つのマルチステージ格納デバイスとを有する。格納デバイスの各々に格納された情報は、複数のステージから同時に連続して読み出される。 （もっと読む）

【課題】露光された基板のパターン欠陥の解析方法を提供する。
【解決手段】パターン欠陥の解析方法は、所定の露光条件で光学部材を介して基板を露光光で露光することと、露光によって基板に形成されたパターンの情報を検出することと、露光条件とパターンの情報とに基づいて、基板に形成されたパターンの欠陥の原因を解析することとを含む。 （もっと読む）

【課題】効率的に不良原因の特定する半導体不良解析方法及び不良解析優先順位決定システム、製造歩留り向上を実現した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】故障診断、物理的解析及びインライン検査の各結果を該当する半導体チップ上の物理的な位置及び面積に置き換える。上記３つの結果のいずれか２つ以上の組み合わせの当該領域面積の重なり部分を求める。解析対象が初期状態のときには、上記インライン検査結果を含んだ上記３つの結果が組み合わされたものの面積の大きさの順に第１位、上記インライン検査結果を含んだ上記１つの結果が組み合わされたものの面積の大きさの順に第２位の優先順位にそれぞれ決定し、解析対象が成熟状態のときには、上記インライン検査結果を除いた上記２つの結果が組み合わされたものの面積の大きさの順に優先順位を決定する。上記優先順位に従って具体的不良原因を解析する。 （もっと読む）

【課題】データ形式が異なるウェーハマップ間の類似性判定を自動的に行い、不良原因の特定を行う。
【解決手段】ウェーハに複数の領域区分を設定し、ウェーハ処理工程における各処理工程後の異物検査で作成される異物検査マップから前記領域区分の各々における異物密度を算出し、プロットして異物検査マップ波形特徴量を算出する異物検査マップ波形特徴量算出部１２と、ダイソートテストで作成されるダイソートマップから前記領域区分の各々における不良密度を算出し、プロットしてダイソートマップ波形特徴量を算出するダイソートマップ波形特徴量算出部１４と、前記異物検査マップ波形特徴量と前記ダイソートマップ波形特徴量との相関係数を算出する波形特徴量比較部１５と、前記相関係数が所定の閾値以上の異物検査マップ波形特徴量を検出する類似マップ検索部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】恒常的に所定以上の輝度を発生する白傷ばかりでなく、輝度が変動したり、徐々に輝度が大きくなったりする白傷の影響を受けることなく、精度の高い表面欠陥検査を行うことができるような表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置では、カメラ５により複数の回転位置において撮像取得された複数の検査画像において、所定輝度よりも明るい輝度を有する部分を、ホルダ２によるウェハＷの回転とともに回転移動する回転移動部分と、ウェハＷの回転に拘わらず相対的に静止される静止部分とに区分けし、当該静止部分を検査画像から除いて得られた画像から、散乱光を検出するようになっている。 （もっと読む）