【課題】
検査装置並びに高さ計測装置において、照明手段を、試料上の所望の領域にレーザ光を斜方入射させて均一な強度分布でかつ高い光利用効率で照明することでより低いレーザパワーでも充分に検査又は計測を行えるようにして、比較的小型のレーザ光源を用いること可能にする。
【解決手段】
照明手段を、光学素子の回折光学素子により、照射部を介して試料上に照射される照明光が試料上の直線状の領域を直線状の全領域に渡ってほぼ均一の強度分布で直線状の全領域に渡って焦点が合った状態で照射するように照明光の光束の断面形状と強度分布とを変換するように構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、レーザービームを照射する被検査物の表面の平面領域とエッジ部に該当する所定領域との境界位置を正確に判別して検査する被検査物の検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の被検査物の検査装置は、レーザービームを被検査物１の表面に照射するレーザー光源３１と、被検査物１を載置して回転させる回転テーブル２１と、回転テーブルを被検査物１の移送方向に移動させる移動機構２２と、被検査物１の表面に照射されたレーザービームが該被検査物の表面で散乱した散乱光を受光する複数個の受光器３７１〜３７４、３８１〜３８６と、前記複数個の受光器で受光した散乱光の受光信号に基づいて演算処理し、被検査物１の表面の平坦な平面領域と該平面領域から外れたエッジ部に該当する所定領域１０との境界位置Ｅｐを判別するデータ処理装置５２とを備えるように構成した。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面検査のスループットによる犠牲が生じることなく、ウエハ表面の超微細なクラック，チップ，キズ等の欠陥部の検出精度やゴミ等の異物の位置座標の検出精度を向上させることができると同時に、ウエハエッジの座標の検出精度を向上させることができるウエハ表面検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】回転するウエハ１３の表面にレーザー光１４ａを照射し、散乱光を受光して、ウエハ１３の表面の欠陥部，異物を検出するようにしている。しかも、前記ウエハのエッジの近傍で、レーザー光のビーム径を小さくし、レーザー光の送り速度を緩め、正確なエッジ位置（エッジ１３ａの位置）を検出するようにしている。 （もっと読む）

【課題】基板上に付着した超微小粒子を高精度に検出する。
【解決手段】基板の表面に付着した微小粒子を検出する表面検査方法において、前記微小粒子の周囲に析出物を生成するステップと、前記析出物が周囲に生成した前記微小粒子を光の散乱によって検出するステップと、を有することを特徴とする。これにより、基板の表面に付着した微小粒子の周囲に析出物が生成され、析出物が周囲に生成された微小粒子が光の散乱によって検出される。その結果、半導体や磁気記録装置等の電子機器製造工程において、搬送した基板に付着した０．１μｍよりも小さい超微小粒子の検出を可能とする表面検査方法及び表面検査装置が実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ全体又はチップ単位での異物の検出感度を低下させることなく、虚報の発生を抑制する方法の提供。
【解決手段】レーザー装置１０は光ビームを半導体ウェーハ１の表面へ斜めに照射し、光電変換素子２０は半導体ウェーハ１の表面で発生した散乱光を受光して画像信号を出力する。処理装置１００の画像処理装置１２０は、隣接するチップ相互の画像信号を比較して、その差分を出力する。係数テーブル１３２，１３３は、座標管理装置１４０からの座標情報を入力して、座標情報に対応付けて格納されている係数を出力する。判定回路１３１は、予め定められた値に係数テーブル１３２，１３３から入力した係数を掛け算して得たしきい値を用いて、異物の判定を行う。予備検査の結果に基づいて係数を変更し、虚報が多く発生した領域の検査では予備検査時よりしきい値を大きくする。 （もっと読む）

【課題】エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。
【解決手段】半導体装置の下地膜上のパターンに、前記下地膜表面に対して所定の角度で偏光した入射光ビームを入射させ、前記入射光ビームが入射した前記パターンから出射する出射光ビームの偏光状態をエリプソメトリを使用することで測定し、前記パターンの膜厚、前記パターンの幅、及び前記下地膜の膜厚に基づいて生成された、偏光状態とパターンの幅の情報との対応関係が格納されたデータベースから得られるパターンの幅に関する第１情報と前記測定結果とを比較し、前記第１情報と前記比較結果とが最小になるように半導体装置の製造プロセスの製造パラメータを設定し、前記設定されたパラメータに基づいて半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い検出感度で、高速に欠陥検査をすることができる検査装置提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る欠陥検査装置１０は、光ビームを発生するレーザー光源１１と、レーザー光源１１から出射された光ビームを集光して試料Ｗの表面に光スポットを形成する対物レンズ１３と、試料Ｗで反射した光ビームを２つの光ビームに分岐するプリズム１５と、プリズム１５によって分岐された光ビームをそれぞれ受光し、受光した光の光量に基づく出力信号を出力する受光素子１７ａ、１７ｂと、受光素子１７ａからの出力信号と受光素子１７ｂからの出力信号とが略同時に検出されたときに、実欠陥と判定する実欠陥判定部２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光計測を用いて、検査される構造体を特徴付けるプロファイルモデルを提供する。
【解決手段】ウエハ上への構造体の製造プロセス工程は、１組のプロファイルモデルと１以上の重要プロファイル形状の変数との相関を決定することによって制御される。各プロファイルモデルは、構造体の形状を特徴付ける１組のプロファイルパラメータを用いて定義される。様々なプロファイルパラメータの組が、その組内でプロファイルモデルを定義する。１のプロファイルモデルは、プロファイルモデルの組から選択される。構造体は、プロセス工程及び少なくとも１の重要プロファイル形状変数の値を用いることによって、第１製造プロセスクラスタ内で製造される。測定回折信号は、構造体を回折したときに得られる。その構造体の１以上のプロファイルパラメータは、測定回折信号及び選択されたプロファイルモデルに基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】光学的技法を使用してサンプルの応力等の特性を測定するための装置および技法の提供。
【解決手段】サンプル１１０の上にあらかじめ決められたパターンの形態で光線の入射が可能で、これはウエハ表面に当たり、そして、前記パターンの反射が検出装置１１５によって検出される。反射の後のパターンの変化を表示する情報が、応力、そり、及び曲率のような１つ以上のサンプル特性及び／又は１つ以上のパターン特性を決定するのに使用することが可能である。プローブ・ビーム１０８は、単一波長のコヒーレント光でも、又は多重波長の光でも可能であり、パターンは、回折格子又はホログラムを介する光の透過によって発生することが可能である。光源１２０は、インコヒーレントでも、又は多重波長でも可能であり、パターンは、サンプル上のマスクの上に配置されたパターンの画像化と検出器でのパターンの再画像化によって発生させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの欠陥を容易にかつ高精度で弁別する。
【解決手段】標準粒子が付着したウェーハのレーザ散乱測定を行い、標準粒子から測定される散乱光強度を用いて参照弁別線を設定した後、異物が付着したウェーハのレーザ散乱測定を行い、その欠陥（異物およびＣＯＰ）から測定される散乱光強度の近似線を設定する。その欠陥のうち、参照弁別線と近似線とに挟まれた領域の散乱光強度を示す一部の欠陥を選択し、レビューＳＥＭを用いて、その一部の欠陥が異物であるかＣＯＰであるかを判定する。その判定結果を基に、異物とＣＯＰの散乱光強度の境界値に弁別線を設定する。製品ウェーハ等で検出された欠陥の散乱強度を、その弁別線と比較することにより、容易にかつ精度良く、その製品ウェーハ等の欠陥を異物とＣＯＰとに弁別することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 基板におけるレジスト薄膜の除去と検査とを効率良く精細に行うこと。
【解決手段】 第１のレーザ光を被検物上に照射し、被検物上の薄膜を除去する薄膜除去部と、第２のレーザ光を被検物に照射し、被検物上の異物から発生する散乱光を受光する散乱光受光部および被検物の画像を取得して観察する観察部の少なくとも一方とを備える。なお、第１のレーザ光および第２のレーザ光の両方を射出する単一の光源を備えても良い。また、散乱光に基づいて、被検物の状態を判断する判断部をさらに備えても良い。 （もっと読む）

【課題】アライメンに使用するテンプレート画像を最適な方法で登録し、パターンマッチングのエラー、及び評価に要する時間を低減する。
【解決手段】最適なテンプレートのアライメントマークとの選定や識別及び類比判断を、異物検査装置に配備した相関値の演算機能により実践する。すなわち、異物検査装置に、被検査物の表面に形成されるアライメントマークの特徴点を登録する装置と、前記被検査物の表面上に形成されたアライメントマークの画像データを採取する装置と、前記画像データから特徴点を抽出し双方の特徴点より相関値を算出するデータ演算処理装置とを備え、前記相関値の閾値に基いて前記アライメントマークの画像データを登録する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ検査の効率化を図る。
【解決手段】ウェーハをポッドから搬出して、回路パターン等が形成される表面、またはその裏面の検査を行った後（ステップＳ１〜Ｓ６）、検査面が表面の場合には、そのウェーハを表面が上向きの状態でポッドに収納し（ステップＳ７，Ｓ８）、検査面が裏面の場合には、その検査の結果を用いて、そのウェーハを裏面が上向きの状態でポッドに収納するのか、そのウェーハを反転して表面が上向きの状態でポッドに収納するのかの選択を行う（ステップＳ７〜Ｓ１１）。これにより、この検査後にＳＥＭレビュー等の評価を行う場合でも、その評価の段階で収納部から搬出したウェーハを反転させることが不要になり、ウェーハ検査の効率化が図られるようになる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウエハの表裏面を迅速かつ正確に判別することのできる化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法および検査装置を提供する。
【解決手段】表面および裏面の両方にメサが形成された化合物半導体ウエハ表裏面の検査方法である。まず、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に、第１の光１２ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面におけるメサ４ａの延びる方向と垂直の方向に対して−４５°を超えて４５°未満の方向に第２の光１３ａをそれぞれ照射する。そして、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面に形成されたメサ４ａの形状を反映した反射光を受光して、反射光量値をそれぞれ測定する。そして、反射光量値に基づいて、化合物半導体ウエハ１の表面および裏面を判断する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のような微細なパターンを有する試料の形状を短時間で観察でき、試料に与えるダメージが小さい形状観察装置を提供する。
【解決手段】基準方向３２から見た形状が基準形状４１乃至４５である観察マーク３１を試料１１の表面に形成する形成部１９と、観察マーク３１の形成後に、観察マーク３１を基準方向３２とは異なる観察方向３３から撮影し観察画像５１を取得する観察画像撮影部２１と、観察画像５１を表示する観察画像表示部２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】
実害になる異物又は欠陥を非欠陥である配線の表面ラフネスなどとから分離して検出可能
とするために、被検査対象を底面とする半球状のほぼ全領域にわたり発生する光を、異な
る複数の偏光成分に分離して検出することで得られた信号を用いて、欠陥または異物を検
査する方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明では、配線等の回路パターンを有する基板試料上（ウェハ）に付着した異物を検出
するための異物検査装置として、前記基板試料を載置してＸ、Ｙ、Ｚ、およびθの各方向
へ任意に移動可能なステージ部と、前記回路パターンを一方向、もしくは多方向から照射
する照明系と、照明された検査領域から発生する反射・回折、散乱光を、前記ウェハを底
面とした半球状のほぼ全領域にわたり検出することにより、ＮＡ（開口数）が０．７から
１．０の範囲で検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを支持する光透過部材が撓むのを抑制することができ、更には、ウェハに何らかの外圧が作用しても、ウェハが撓むのを抑制することができるウェハ支持装置及びウェハ観察装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ支持装置５延いては観察装置１では、ベース７の開口６に臨む倒立型顕微鏡２の対物レンズ３に対して、ウェハホルダ１１の開口１２に嵌められた光透過部材１４に臨むウェハＷの位置合せが行われた後、固定機構３１によってベース７に対してウェハホルダ１１が固定される。このとき、光透過部材１４の上面とウェハＷの裏面とが面接触していると共に、ベース板９の上面と光透過部材１４の下面とが面接触しており、しかも、ベース７の開口６がウェハホルダ１１の開口１２より狭くなっている。これにより、光透過部材１４の撓み、及びウェハＷの撓みを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ハードディスク装置に用いられる磁気ディスク、及び半導体製造に用いられるシリコン基板において、従来では検出できなかった微小な欠陥をも高い感度で欠陥を検出する方法を提供すること。
【解決手段】現行光学系以上に微細な結果を検出可能とするために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにしたものである。
(1)レーザ及び照明光学系。
(2)プラズモン増強用ヘッド及びヘッドを基板面から浮上させるための位置制御機構。
(3)散乱光の検出光学系及び光検出器。
(4)検出光学系を微調するためのZ微動機構。
(5)基板ホルダと走査用ステージ。
(6)上記検査に先立って大異物を検出しておく前検査系。 （もっと読む）

【課題】多大な開発費、開発期間を必要とせず、歩留まりを低下させることなく高速な検出器を提供し、欠陥検査装置の検査速度を向上させる。
【解決手段】検出器１２は複数のイメージセンサ１００を備え、画素方向に間隔を空けて複数個配列されたイメージンセンサ１００が２列配置され、各イメージンセンサ１００はスキャン方向では互い隣接しないように配置され、千鳥配置されている。画素数が多い大面積のイメージセンサの製作には多大な開発費等が必要であり、画素欠陥発生頻度が多くなる。本発明は、小面積のイメージンセンサ１００を複数配置している。一個のイメージンセンサ１００を取り付ける場合、取り付けに要する領域が必要であり、個々のイメージセンサ１００同士では、互いに一定距離を空けて配置しなければならず、空白領域ができてしまう。この空白領域を解消するため複数のイメージンセンサ１００が千鳥配置されている。 （もっと読む）

【課題】効率的な異物検査を可能にする半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、メタル配線からなる櫛パターンＬＰ１，ＬＰ２が互いに対向して配置され、ＬＰ１におけるメイン配線ＭＬ１の一端が電極パッドＰＤｃｏｍに接続され、ＬＰ２におけるメイン配線ＭＬ２の一端が電極パッドＰＤに、他端が電極パッドＰＤ＿ＧＮＤに接続されたようなＴＥＧを半導体装置内に形成する。そして、このようなＴＥＧを用いて異物検査を行う際、ＰＤ＿ＧＮＤを基準としてＰＤに直流電圧Ｖｄを印加し、ＰＤ＿ＧＮＤとＰＤｃｏｍの間に電圧計Ｖを接続して検査を行い、その電圧値のアナログ的な大きさによって異物の位置を絞り込む。 （もっと読む）