【課題】
被検査物の検査により得られたパターン信号の飽和による欠陥の見逃しを防ぎ、早期に欠陥発生の原因究明ができる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
パターンが形成された被検査物にレーザ光を照射し、該被検査物からの信号を検出して欠陥を検出する欠陥検査において、被検査物に関するレイアウトデータに含まれるパターン情報を入力し、該入力されたパターン情報から被検査物の複数の被検査領域毎に、配置，繰り返し性，粗密のうちの少なくともいずれかひとつを判定し、該判定結果に基づいて検出した信号の飽和レベルを予測し、該信号が飽和しないような透過率条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】干渉縞の発生を大幅に抑制することができる光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法を提供する。
【解決手段】入射する光を複数のビームに分割するインテグレータユニットと、前記インテグレータユニットを光軸の回りに回動させる第１の駆動手段と、前記インテグレータユニットの出射側に設けられ、互いに光路長が異なる複数の凹部を有する回転位相板と、前記回転位相板を回転させる第２の駆動手段と、を備えたことを特徴とする光学系が提供される。 （もっと読む）

【課題】高解像度で微細構造物の欠陥を検査できるようにする。
【解決手段】この欠陥検査装置は、光ビームを互いに特性の異なるＰ偏光ビームＰ１とＳ偏光ビームＳ１とに分岐すると共に、これら偏光ビームを互いに走査幅分の間隔で離隔する態様で、検査対象面９ａに照射させる第１及び第２の偏光ビームスプリッタ３、６と、検査対象面９ａ上を各偏光ビームＰ１、Ｓ１で走査する偏向走査手段２と、偏向走査手段２とＸＹステージとの駆動を制御して、検査対象面９ａ上を偏向走査手段２に各偏光ビームＰ１、Ｓ１で順次走査させ、全体として２重走査させる走査制御回路１０と、検査対象面９ａから反射する２種の反射光Ｐ２、Ｓ２を受光して電気信号に変換し、検出信号を生成する光電変換器１２、１３とを備え、光電変換器１２、１３から出力される検出信号を用いて、検査対象面を写すＰ偏光反射画像とＳ偏光反射画像とを取得して、微細構造物の欠陥の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥候補から擬似欠陥を効率良く探し、できるだけ少ないレビュー回数で擬似欠陥を削除できるしきい値を求める。
【解決手段】
欠陥候補をレビューし欠陥か擬似欠陥かを選択し、その擬似欠陥の特徴量以下の欠陥候補をマップ上から削除または別記号表示することにより、擬似欠陥を視覚的に判断することが可能となる。また選択した擬似欠陥以下特徴量を持つ欠陥候補は、マップ上から削除または別記号表示となっているため、しきい値設定に不必要な欠陥候補をレビューすることがなくなり、従来に比べ大幅にレビューする欠陥候補数が低減できる。さらに上記作業を繰り返すことにより、しきい値が自動で算出され、そのしきい値での検査結果マップも表示されるため、再検査が必要なくなる。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化が進んでも従来の照明を用いて回折検査が可能な表面検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査方法は、所定の繰り返しパターン１１を有したウェハ１０の表面を検査する表面検査方法において、繰り返しパターン１１の表面もしくは表面近傍に繰り返しパターン１１のピッチに対して３倍のピッチを有する遮光性のマスクパターン５１を重ねて設ける第１のステップと、マスクパターン５１が設けられた状態でウェハ１０の表面に照明光を照射する第２のステップと、照明光が照射されたウェハ１０の表面からのマスクパターン５１のピッチに対応した回折光を検出する第３のステップと、第３のステップで検出した回折光に基づいて繰り返しパターン１１における欠陥の有無を検査する第４のステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】温度変化が存在しても、結晶に与えられるストレスが最小となるように光学結晶の環境を維持して、４００ｎｍ以下の波長における効率的な周波数変換を実現するエンクロージャを提供する。効率的な変換は、同一又は異なる材料からなる複数の結晶を含みうる。一つのエンクロージャ内において、複数の周波数変換ステップが用いられうる。従来の設計よりも、特に、寿命、安定性、及び／又は損傷閾値において改善するために材料を加工する。本発明に係るエンクロージャは、高温ベークなどの結晶の前露光処理を可能にし、且つ結晶特性をリアルタイム測定できるようにする。 （もっと読む）

【課題】感度の高い表面検査が可能な表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置１は、所定の繰り返しパターンを有するウェハ１０の表面に第１の直線偏光Ｌ１を照射する照明系３０と、ウェハ１０の表面で生じた楕円偏光Ｌ２から第１の直線偏光Ｌ１と振動方向が異なる第２の直線偏光成分Ｌ３を抽出する検光子４２と、第２の直線偏光成分Ｌ３を検出する撮像カメラ４４と、撮像カメラ４４で検出された第２の直線偏光成分Ｌ３に基づいて、繰り返しパターンの形状変化を表示するモニタ５５と、楕円偏光Ｌ２の進行方向と垂直な面内における楕円短軸の向きと当該垂直な面内における第２の直線偏光成分Ｌ３の振動方向とが略一致するように検光子４２を設定可能な回転駆動装置４３とを備え、繰り返しパターンに応じて検光子４２を設定するようになっている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面状態、異物や欠陥から発生する反射光が、膜種や膜厚，表面粗さのヘイズ成分に畳重し、固定のしきい値では、正確なヘイズ成分の測定が困難であった。
【解決手段】被検査体表面上のヘイズ成分を検出する際、前記被検査物体からの光を検出して電気信号に変換し、前記電気信号を所定のサンプリング時間間隔でサンプリングしてデジタルデータに変換し、前記デジタルデータから異物欠陥等に対応する周波数成分を分離して、表面に付着する染み，かすみ状の曇り，表面粗さ分布などに対応するヘイズ周波数成分を選択する。 （もっと読む）

【課題】パターンのムラと、欠陥等の検査を１台の検査装置により実現すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置１０は、試料３０上に形成されたパターンを検査する検査装置であって、試料３０に照明光を照射する光源１１と、試料３０のパターンに対する光学的なフーリエ変換面に配置され、試料３０からの回折光又は散乱光を反射するデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）１３と、ＤＭＤ１３と共役な位置に配置され、ＤＭＤ１３で反射された光を受光する光検出器１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ光学検査システムのプロセス監視能力改良方法の提供。
【解決手段】サンプルオブジェクトの表面を特徴化するための方法であって、パラメータ変動によって特徴化される画素に表面を分割するステップと、表面のブロックを画素のそれぞれのグループとして定義するステップとを含んでいる。さらに異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射２２によって表面の複数の走査の際に画素を照射するステップと、走査の各々に応答して画素からのはね返り放射を検出する４８，５０，６６ステップとを含んでいる。走査ごとに、ブロックのそれぞれのブロック署名が、各ブロックにおける画素グループからの該はね返り放射に応答して構築される。また、走査ごとに、ブロックのそれぞれのブロック署名を使用してブロック署名変動が判断される。ブロック署名変動に応答して、テストオブジェクトの次の調査に使用するために偏向タイプのうちの１つ以上が選択される。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】簡便に試料温度に起因するラマンスペクトルのピーク位置のシフトを補償して、正確な歪量を測定する。
【解決手段】レーザ光を発するレーザ装置１０と、レーザ光を集光してウェーハ８０上に照射する集光照射機構６０と、レーザ光のウェーハ８０上への照射パワーを調整する照射パワー調整手段３０と、ウェーハ８０上にレーザ光が照射されることにより発せられたラマン散乱光を受光してラマンスペクトルを測定する分光器１１０及びＣＣＤ検出器１２０とを備える。コンピュータ１００は、照射パワー調整手段３０により調整された異なる複数の照射パワーのそれぞれについてラマンスペクトルのピーク位置を求め、求められた複数のピーク位置を線形補間して照射パワー無限小におけるラマンスペクトルのピーク位置を求め、この求められたピーク位置からウェーハ８０のレーザ光の照射位置における歪量を算出する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハのスクラッチ検出装置及びスクラッチ検出装置を備えた研削装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削ホイールを有する研削手段とを備えた研削装置であって、ウエーハの研削面に生じるスクラッチを検出するスクラッチ検出手段を更に具備し、スクラッチ検出手段は、ウエーハ１１に対して光ビームを照射する光ビーム照射手段と、光ビームが照射される領域の上部に配設されたフォトディテクタ１０８と、光ビームが照射される領域からの反射光を集光して該フォトディテクタに導く集光手段と、フォトディテクタで検出される光量が所定の閾値を超えた際スクラッチ有りと判定するスクラッチ判定手段１１０とから構成される。 （もっと読む）

【目的】 適正な精度で試料検査を行う装置、方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【構成】 パターン形成された同一被検査試料の、複数の部分光学画像データ同士を比較する試料検査装置において、前記被検査試料の、光学画像データを取得する光学画像データ取得部１５０と、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう比較回路１０８とを備え、比較回路１０８において、所定の領域を示す領域パターンの情報に基づいて生成される領域画像データを入力し、前記複数の部分光学画像データ同士の比較を行なう場合に、前記領域画像データを参照して判定条件を変更し、試料上の欠陥の有無を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの検査工程を効率化することのできる半導体ウェハの表面検査装置を提供すること。
【解決手段】光照射手段２、受光手段、光電変換手段６、信号増幅手段２６、計測手段２２、及び計数手段２３を備えた半導体ウェハの表面検査装置は、信号増幅手段２６による増幅倍率を固定したときに、予め標本測定により算出された半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさに応じて設定された信頼区間幅が格納された信頼区間幅格納手段２５と、信号増幅手段２６による増幅倍率を固定して、異物又は欠陥の大きさに応じた信頼区間幅に基づいて、計測手段２２により計測された半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさを算出し、該半導体ウェハ表面の異物又は欠陥の大きさに応じた計数値から、半導体ウェハ表面の良否判定を行う良否判定手段２４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】 本願は概して半導体ウエハ上に形成される構造の光学測定に関する。
【解決手段】 半導体ウエハ上に形成される構造の光学測定モデルが生成される。光学測定モデルは、1つ以上のプロセスパラメータ、及び分散を含む。分散と1つ以上のプロセスパラメータのうちの少なくとも1つとを関連づける分散関数が得られる。シミュレーションによる回折信号は、光学測定モデル、少なくとも1つのプロセスパラメータの値、及び分散の値を用いて生成される。分散の値は、少なくとも1つのプロセスパラメータの値及び分散関数を用いて生成される。構造の測定回折信号が得られる。測定回折信号はシミュレーションによる回折信号と比較される。構造に係る1つ以上のプロファイルパラメータ及び1つ以上のプロセスパラメータは、測定回折信号とシミュレーションによる回折信号との比較に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】小型で消費電力が低く、二次元撮像装置とレーザ光源とを正確に同期させる制御を必要としないシンプルな構造のマスク検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係るマスク検査装置１は、マスク２２０上の欠陥を撮像する二次元光センサー２０８と、二次元光センサー２０８のラインレートより高い繰返し数の光を、マスク２２０に照射するモードロック型の基本波レーザ１０１とを備える。基本波レーザ１０１から出射される光の繰返し数は、二次元光センサー２０８のラインレートの１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の測定対象物の清浄度を向上させるとともに照射光学系及び検出光学系の温度安定性を向上させることである。
【解決手段】測定対象物Ｗに検査光を照射する照射光学系１０１及び前記測定対象物Ｗからの生じる光を検出する検出光学系１０２を収容する測定装置用架台１であって、架台１内部に送風を行う送風機構８からの気体流を少なくとも２つに分流する分流機構を備え、当該分流機構により分流された一方の流れを照射光学系１０１及び検出光学系１０２に当て、他方の流れを流速を上げて前記測定対象物Ｗに側方から当てる流量分配構造９を備えている。 （もっと読む）

【課題】設置環境の温度変化による架台内部の温度影響を可及的に小さくすることである。
【解決手段】基板を測定するための測定機器を収容する測定機器用架台であって、前記測定機器が内部に配置される枠体３と、前記枠体３に設けられ、前記測定機器の少なくとも側方を囲む内面板６１及びその内面板６１との間に気体層を形成する外面板６２からなる二重壁構造４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）