【課題】微小なパーティクルであっても高い確実性をもって検出することができ、信頼性の高い計測を行うことができるパーティクルの検出方法を提供すること。
【解決手段】基板である半導体ウエハＷの上にダミー膜１１を成膜し、次いでウエハＷの表面に真上から光を照射しながら照射位置を移動させ、その反射光を受光し、この受光した光の強度と光の照射位置とを対応付けたデータを取得して、ウエハＷ上のパーティクルを検出する。ここでダミー膜１１の膜厚をダミー膜１１の表面で反射された反射光と、ダミー膜１１とウエハＷとの界面で反射された反射光とが同位相になるかまたは逆位相になるように設定することにより、可干渉状態あるいは不干渉状態を形成しておく。パーティクルがダミー膜１１の表面あるいは前記界面のいずれかに存在すると、上記の状態が崩れるため、受光する光の強度が変化し、これにより高感度でパーティクルを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外観検査装置の操作性を向上させ、ウェーハ外観検査における人手作業の効率向上を図る。
【解決手段】ウェーハ外観検査装置２０１は、測定ステージ２０５と、その上に載置されたウェーハ２０４の表面形状を撮像するモニタカメラ２０３と、ウェーハ２０４の表面形状欠陥の検出処理を実行する制御用コンピュータ２０２を備える。制御用コンピュータ２０２は、ウェーハ２０４を構成するダイのそれぞれを複数の升目に区分し、モニタカメラ２０３を介して、ウェーハ２０４の表面形状パターンのモニタ画像を、前記升目ごとに取得し、その取得した撮像画像をモニタ画像ＤＢ２１６に登録する。また、制御用コンピュータ２０２は、モニタ画像ＤＢ２１６に登録されている升目ごとの、ウェーハ２０４と同じ品種名で同じ工程名に対応付けられたモニタ画像を、それぞれの升目の位置に対応させて配置して構成した合成ダイ画像を表示装置２０６に表示する。 （もっと読む）

【課題】レーザー散乱法を用いた検査装置におけるＳ／Ｎ比の差異に依存することなく、より均一で正確な半導体ウェーハの良品・不良品の判定を行うことができる判定方法を検査装置を提供する。
【解決手段】ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハのヘイズマップに基づいて目視により良品のウェーハを判定する。また、ウェーハあたりのＬＰＤの個数が所定の個数以下である半導体ウェーハを選別し、更に選別した半導体ウェーハの選別した半導体ウェーハの中から、ウェーハ面内におけるヘイズ信号の面内標準偏差値及び面内平均値が特定の関係を示す半導体ウェーハを選別し、これを良品のウェーハとして判定する。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの高速検査を可能にする。
【解決手段】半導体ウェーハ２０の一部の並行検査を同時に実行するために、複数の独立した低コスト光学検査サブシステム３０がパッケージ化及び統合される。ここで、検査に関連するウェーハ位置は、ウェーハ全体が光学サブシステムからなるシステムによってラスタスキャンモードで画像化されるように制御される。単色の可干渉性（コヒーレントな）光源がウェーハ表面を照明する。暗視野光学システムが散乱光を集光し、フーリエフィルタリングを使用して、ウェーハに作り込まれた周期的な構造によって生成されたパターンをフィルタリングする。フィルタリングされた光は、汎用デジタル信号プロセッサによって処理される。ウェーハの欠陥を検出するために、画像を比較する方法が使用され、こうした欠陥は、統計的な工程制御、特に製造設備を支援するために、メインコンピュータ５０に報告される。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ基板の欠陥検査において、欠陥を分類するための効率的で、信頼性のある方法及びシステムを提供する。
【解決手段】複数のシリコンウェーハからの走査データを解析する方法であり、各ウェーハのグラフィック表現であるウェーハマップに重ねて少なくとも１つの欠陥タイプを指示する複数のデータ点から成る、対応する母集団からのデータ点を表すシンボルを表示する。ここで、プロットされるシンボルは、各ウェーハマップに対応するウェーハ上に存在する少なくとも１つの欠陥タイプのグラフィック描写を与えることができるように、データ点が関連付けられる場所のウェーハマップ上にプロットされる。また、ウェーハマップを積み重ねられて表示され、その積み重ね順序はウェーハの既知の特徴や走査データが得られた処理に予め決められた順序で表示される。 （もっと読む）

【課題】大口径や厚みの薄いウェーハであってもウェーハの裏面を非接触状態で測定ステージに載置することが可能なウェーハ測定装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの外周エッジを支持することでウェーハ裏面とステージ面２２とを非接触にして該ウェーハが載置される測定ステージ２０と、ウェーハを測定ステージ上方に移動させるとともに上方からウェーハを測定ステージに載置するウェーハ搬送手段３０と、測定ステージの中央に形成されて上方に向かってガスを供給する噴出孔２６とを備えたウェーハ測定装置１００において、ウェーハ搬送手段に、圧力ガスが供給されることでウェーハ表面を非接触で吸着保持し、ウェーハを上に凸状に撓ませるベルヌーイチャック４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】検出感度の校正を容易に行うことができる表面検査装置及びその校正方法を提供する。
【解決手段】照明光学系２により標準異物ウエハ１１０の表面に照明光を照射しつつ、その照射光により標準異物ウエハ１１０の表面を走査し、検出光学系３の検出器３１〜３４により標準異物ウエハ１１０の表面からの散乱光を検出し、その散乱光の検出結果と予め定めた基準値とを用いて検出器３１〜３４の光電子増倍管３３１〜３３４の検出感度を補正するための補正パラメータＣｏｍｐを算出し、その補正パラメータＣｏｍｐを経時劣化パラメータＰ、光学的特性パラメータＯｐｔ、及びセンサ特性パラメータＬｒに分離して管理する。 （もっと読む）

【課題】被テストデバイスの不良箇所の位置を３次元的に特定する。
【解決手段】故障解析装置７０には、被テストデバイスである半導体デバイス（ＤＵＴ）２１にレーザ光を照射して、照射された被テストデバイスの特定箇所を加熱して熱起電流を発生させるレーザ照射手段と、前記レーザ光を水平方向及び垂直方向に走査して前記被テストデバイスの光加熱抵抗変化画像を撮影する撮影手段と、水平方向の前記光加熱抵抗変化画像と前記被テストデバイスの平面レイアウト画像を水平方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第１の位置座標設定手段と、縦方向の光学ステージ位置情報と前記被テストデバイスの断面情報を縦方向の位置座標が同一となるように重ね合わせる第２の位置座標設定手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを抑えつつ、偏光検出を利用した欠陥検出感度向上とHaze計測を両立させる欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】試料に対し、エネルギの吸収が小さい波長帯域を有するレーザビームを発振する光源と、前記光源から発振されたレーザビーム照射により、欠陥から発生する欠陥散乱光を検出する欠陥検出光学系と、ウエハ表面荒れから発生するラフネス散乱光を検出するHaze検出光学系の二つを独立に備え、前記二つの検出光学系で検出した散乱光に対し独立に偏光検出を行い、前記二つの異なる検出信号に基づき欠陥判定および、Haze計測を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。 （もっと読む）

【課題】検査中の高速回転のウェーハに対して、リアルタイムでその反り量を検出する。
【解決手段】被検査体１に光を照射する第一の光照射部６００と、該被検査体１からの散乱光を検出する第一の検出器７７０と、前記被検査体１に光を照射する第二の光照射部９２０と、前記第二の光照射部９２０の光によって前記被検査体１から反射した光を検出する第二の検出器９１０と、前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージ４１０と、前記光が照射される位置の位置座標の情報を出力する検査座標検査部４５０と、前記第二の検出器９１０からの検出信号に基づいて前記被検査体１の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路９４０と、前記検査座標検査部４５０からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路９４０からの高さ情報に基づいて前記被検査体１のそり量を算出するデータ処理部５００を備えた。 （もっと読む）

ウエハ上の欠陥を検出するシステムおよび方法が提供される。１つの方法は、検査システムの第１の光学状態および第２の光学状態を用いて、検査システムによりウエハを走査することにより、ウエハのための出力を生成することを含む。第１の光学状態および第２の光学状態は、検査システムの少なくとも１つの光学パラメータのための個別の値によって定義される。方法は、第１の光学状態を用いて生成された出力を用いてウエハのための第１の画像データと、第２の光学状態を用いて生成された出力を用いてウエハのための第２の画像データとを生成することを含む。さらに、方法は、第１の画像データとウエハ上の実質的に同一の位置に対応する第２の画像データとを組み合わせ、ウエハのための付加的な画像データを生成することを含む。方法は、付加的な画像データを用いてウエハ上の欠陥を検出することをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることなく光量調整が可能なパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。
【解決手段】パターン検査装置１００は、光照射手段１と、検査用撮像手段２と、検査手段３と、調整用撮像手段４と、フォーカス調整手段５と、光量調整手段６と、メモリ７とを備える。予めパターン検査を行う前に、調整用画像の輝度情報ｘと、検査用照射光量ｚとの相関関係を取得しておき、この相関関係に基づいて、パターン検査時には、調整用画像の輝度画像ｘに対応する検査用照射光量ｚを設定するので、検査エリア２１の膜厚による検査用画像の輝度情報のばらつきを抑制できる。これにより、最適な検査用照射光量ｚが設定できることになり、パターン欠陥の検出漏れや擬似欠陥も起きなくなって、精度よくパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、集積回路ダイ又はチップを特徴とする半導体ウェーハのパターン化構造において、ランダムに存在する製造欠陥を電気光学的に検出するための方法及びシステムに関する。
【解決手段】パルス式レーザの短い光パルスで、顕微鏡レンズを有する電気光学カメラシステムの視野を照射し、各々４つの二次元ＣＣＤマトリックス光検出器のアレイを含む６つの検出器集合体から形成された光学撮像システムの焦点面に光検出器の表面を光学的に形成する焦点面アセンブリ上に移動中のウェーハを撮像する。二次元ＣＣＤマトリックス光検出器の各々が、２００万ピクセルのマトリックス電子画像を作成し、異なるＣＣＤマトリックス検出器の同時作成画像を画像処理技術により並行処理し、撮像視野を、基準となる別の視野と比較し、対応ピクセルの差異を、ウェーハダイ欠陥の存在を示すものとして検出する。 （もっと読む）

【課題】被検査対象基板上に繰り返して形成される様々な回路パターン上に生じる欠陥または異物を、光学条件に依存せず、正常な回路パターンと弁別して欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置を提供することにある。
【解決手段】被検査対象基板から取得した画像信号に対して、着目画素を含むその周囲に切り出す着目局所領域と、前記着目画素に対応する複数の対応画素の各々を含むその周囲に切り出す複数の対応局所領域の各々を設定し、該設定された着目局所領域の画像信号と前記局所領域設定ステップで設定された複数の対応局所領域の画像信号との類似度を探索し、該探索される類似度情報を用いて、前記着目局所領域の画像信号に類似する前記対応局所領域の画像信号を複数決定し、該決定した前記複数の対応局所領域の画像信号と前記着目局所領域の画像信号とを比較して総合的に欠陥を判定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパター
ンの明るさむらの影響を低減して、高感度なパターン検査を実現する。また、多種多様な
欠陥を顕在化でき，広範囲な工程への適用が可能なパターン検査装置を実現する
【解決手段】
同一パターンとなるように形成されたパターンの対応する領域の画像を比較して画像の
不一致部を欠陥と判定するパターン検査装置を、切替え可能な複数の異なる検出系と異な
る検出系の像を同時に取得可能な複数台のセンサとそれに応じた画像比較部とを備えて構
成した。
また，画像の特徴量から統計的なはずれ値を欠陥候補として検出する手段を備えて構成
し，ウェハ内の膜厚の違いに起因して画像間の同一パターンで明るさの違いが生じている
場合であっても、正しく欠陥を検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ膜厚の変動が疑似欠陥として検出されることなく、ＳＯＩウェーハの表面近傍を正確に検査することができるＳＯＩウェーハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記ＳＯＩウェーハからの検出光を検出して前記ＳＯＩウェーハの表面近傍を検査するＳＯＩウェーハの検査方法において、検査対象の前記ＳＯＩウェーハの埋め込み絶縁層の厚さに応じて、前記ＳＯＩウェーハへの照射光の波長及び／又は前記ＳＯＩウェーハからの検出光の波長を設定することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】近年着目されている微少な凸形状の結晶欠陥、特にＰＩＤと異物を短時間で高精度且つ高感度に区別して評価することのできる半導体ウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】２種類の入射角を有する入射系と、２種類の検出角を有する検出系とを備えたレーザー表面検査装置を用いて半導体ウェーハ表面のＬＰＤを測定し、該測定されたＬＰＤを前記半導体ウェーハ表面の結晶欠陥と前記半導体ウェーハ表面上の異物とに分類する際に、従来の低角度入射・低角度検出と低角度入射・高角度検出、または、高角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の検出サイズ比率を利用した判定に加え、入射系と検出系が異なる低角度入射・低角度検出と高角度入射・高角度検出の比率も考慮して欠陥の分類を行う。また、各測定モードでの検出感度の設定を所定の一定比率とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの更なる微細化及び高集積化が進んでも、リソグラフィー及びエッチングにより被加工対象の極めて高い寸法精度を達成し、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】被加工対象上に形成されたレジスト膜を加工してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、所定のエッチング条件で被加工対象をエッチングする工程とを実行する際に、形成されたレジストパターンの寸法及び形状（膜厚及びテーパ角度）を測定し、測定されたレジストパターンの寸法及び形状に基づいて前記エッチング条件を調整する。 （もっと読む）