【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】空間フィルタの設定には、オペレータの目視によるスキャン画像の確認と空間フィルタの調整の繰り返し作業が必要とされる。また、設定状態がオペレータに依存する。
【解決手段】散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）を同時に観察すると共に、散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）の各強度プロファイルを同時に監視する。１本の空間フィルタだけを回折光の像の視野範囲でスキャンし、空間フィルタを挿入しない場合の強度プロファイルに対する状態変化を検出する。検出された状態変化に基づいて空間フィルタの設定条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】マルチスポットウエハ検査用照射サブシステムを提供する。
【解決手段】照射光ビーム３４を複数の光ビームに分離する回折光学素子３２と、前記複数の光ビームの光路に配置された補償回折光学素子４０であって、前記補償回折光学素子は、前記回折光学素子と同じ回折角度で符号が反転した回折次数を有する、補償回折光学素子と、前記補償回折光学素子から出る前記複数の光ビーム３６の光路に配置され、前記複数の光ビームのそれぞれの焦点を検査用ウエハ４６に個別におよび同時に合わせる、１つまたは複数の屈折光学素子４４と、を含む照射サブシステム。 （もっと読む）

【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】
パルスレーザ光源から発射されるパルスレーザのパルス発振周波数よりも高いサンプリングレートで試料にダメージを与えることなく検査することを可能にする。
【解決手段】
パルス光源から発射されたパルス光の１パルス分の光を複数のパルスに分割し、この分割されたパルス光を試料に照射し、照射により試料から発生した散乱光を集光して検出し、試料からの散乱光を集光して検出して得た情報を用いて試料上の欠陥を検出する欠陥検出方法において、１パルス分の光を複数のパルス光に分割することを、分割した各パルス光のピーク値がほぼ一定になるように制御して分割するようにした。 （もっと読む）

【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体処理中のオンザフライ自動検出分類（ＡＤＣ）システムおよび方法を提供する。
【解決手段】このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ（２１）が検査を受けるウェーハ（２２）の狭い領域を照明する。４つの均等に配置した暗視野検出器、例えば、光電子増倍管またはＣＣＤ（２６〜２９）が、それぞれの視野が重複して検出ゾーンを形成するようにウェーハの縁に載置される。１以上の検出器（２６〜２９）の方向に散乱された光が集光され、アナライザモジュール（３４）に伝送される電気信号に変換される。アナライザモジュール（３４）は、ウェーハにある欠陥を検出し、それらを異なる欠陥タイプに分類するように作用する。任意に、システムは、暗視野検出器も含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウェハを検査するための方法に関する。半導体ウェハのエッジをイメージング方法を用いて検査し、エッジ上の欠陥の位置および形状をこのようにして求める。加えて、その外縁がエッジから１０ｍｍ以下である、半導体ウェハの平坦領域上の環状領域を、光弾性応力測定によって検査し、上記環状領域の中で応力を受けた領域の位置をこのようにして求める。欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。本発明はまたこの方法の実施に適した装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面のＬＰＤの検出と暗視野像の検出とを並行して行うことができ、且つ、ＬＰＤの検出感度を高めた表面欠陥検査装置および表面欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、ウェーハ１の表面に対して斜め方向からレーザー光を照射する光源１０と、照射により前記ウェーハ表面で散乱・乱反射された光を結像させる結像光学系２１と、散乱・乱反射された光の結像位置に受光面を有する面センサ２２と、面センサ２２から画像信号を取得し、この画像信号に基づきウェーハ１表面の画像を生成する画像処理部３２とを備える。照射されるレーザー光の光軸とウェーハ１との相対位置を変位させつつ、画像処理部３２は、変位に応じて一部が重複したウェーハ１上の複数領域に対応する複数の画像信号を取得して、スペックルノイズを除去した暗視野像を合成する。 （もっと読む）

【課題】１枚の対象基板の測定結果だけで，パーティクル分布が異常か否かを極めて容易に判定できるようにする。
【解決手段】パーティクル分布解析を行う対象基板について，その基板上のパーティクル座標データからパーティクル相互間距離についてのヒストグラムデータを作成するとともに，その対象基板上のパーティクルと同数のパーティクルを計算上ランダムに分布させた複数枚の仮想基板について，パーティクル相互間距離のヒストグラムデータを作成する。これら対象基板と各仮想基板のヒストグラムデータ群との差異に基づいて，対象基板のヒストグラムデータについて仮想基板のランダムなヒストグラムデータ群からの距離を数値化した判定データを算出して表示部に表示する。 （もっと読む）

【課題】異なるパラメータを使用して試験片の検査を行う方法とシステムを提供する。
【解決手段】コンピュータによって実施される方法は、選択された欠陥に基づいて検査のための最適パラメータを決定することを含む。また該方法は、検査に先行して、検査システムのパラメータを最適パラメータに設定する。別の該方法は、約３５０ｎｍより下の波長を有する光と、約３５０ｎｍより上の波長を有する光を用いて試験片を照明する。また該方法は、試験片から収集された光を表す信号を処理し、試験片上の欠陥または工程の変動を検出する。試験片を検査する１つのシステムは、広帯域光源５０４に結合された第１の光学サブシステムと、レーザ５０３に結合された第２の光学サブシステムを含む。またこのシステムは第１と第２の光学サブシステムから、光を試験片上に集束させる対物鏡５０７に光を結合するように構成された第３の光学サブシステムも含む。 （もっと読む）

【課題】ユーザの意図を反映可能な分類条件設定機能を有する二分木構造を用いて欠陥を分類する装置の提供。
【解決手段】欠陥検査装置から取得される検出信号を基に抽出される欠陥の特徴量に基づいて二分木構造の分類器を用いて欠陥を分類する欠陥分類方法であって、予め欠陥クラスと対応付けられた特徴量データとの教示に基づいて、二分木構造の分岐点毎に、分岐の両側のグループにそれぞれ属する欠陥クラス、分岐に使用する特徴量および判別基準からなる分岐条件を設定することにより前記二分木構造の分類器を構築する分類器構築過程を有し、該分類器構築過程において、さらに予め欠陥クラス毎並びに全体および最悪のピュリティおよびアキュラシーの目標分類性能について優先順位をつけて指定しておく優先順位指定過程と、前記設定した分岐条件による前記指定した目標分類性能を満足するか否かを項目毎に評価して該項目毎の評価結果を表示する。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウェハにおける表面形状の測定に適した精度で、そして、より短時間でその表面形状を測定し得る表面形状測定装置および半導体ウェハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面形状測定装置Ｓａは、測定対象である半導体ウェハＳＷの表面に所定の波面を持つ測定光を照射するための光源部１と、半導体ウェハＳＷの表面で反射した測定光の反射光における波面の形状を測定する波面センサ４と、波面センサ４で測定した反射光における波面の形状に基づいて半導体ウェハＳＷにおける表面の形状を求める演算制御部７ａとを備える。そして、半導体ウェハ検査装置は、このような表面形状測定装置Ｓａを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの端部に存在する接触に起因する欠陥の発生を容易且つ適切に評価することのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェーハに対して、外部物との接触による影響を受けている影響部分と、外部物との接触による影響を受けていない正常部分とで異なるエッチング速度となる条件でドライエッチングを行うドライエッチングステップ（ステップＳ１）と、ドライエッチングを行ったウェーハの端面部の外観を観察する端面観察ステップ（ステップＳ３）と、ウェーハの観察結果に基づいて、ウェーハの端面部における接触起因欠陥を評価する評価ステップ（ステップＳ４）とを行うようにする。 （もっと読む）

【課題】測定対象物及びスライダの損傷を回避して、微小な欠陥を検出することが可能な平滑面検査装置を提供する。
【解決手段】測定対象物３を支持するステージ２６と、ステージ２６を回転させるスピンドル４と、測定対象物３に光を照射する光源５と、測定対象物３からの散乱光を信号化する光検出部８と、散乱光７を第１の欠陥の情報に変換する信号処理部１１と、第１の欠陥の情報を記憶する第１のメモリ部１２とを有する第１のパートと、第１の欠陥よりも小さい第２の欠陥を検出し、接触センサが搭載されたスライダ９と、スライダ９を浮上させるロード・アンロード機構と、第１のメモリ部１２に記憶された第１の欠陥の情報に基づいて、ロード・アンロード機構２２を制御するスライダ制御部１４と、接触センサ信号処理部１６で変換された第２の欠陥の情報を記憶する第２のメモリ部１７とを有する第２のパートとを備える。 （もっと読む）

【課題】被検査体の表面内を均一な検出感度にて検査することができる表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、被検査体移動ステージ、照明装置と、検査座標検出装置、光検出器と、Ａ／Ｄ変換器と、異物・欠陥判定部、を有する。照明装置は、検査座標検出装置によって得られた照明スポットの半径方向の位置に基づいて、照明スポットの円周方向の寸法を変化させるように構成されている。照明スポットが被検査体上を外周部から中心部に移動する間に、照明スポットにおける照射光量密度が一定となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出した結果が誤ってたとしても、正常な検出結果として報告しており、歩留まり管理の精度が低下してしまう点については配慮がなされていなかった。また、報告が挙がってからでは管理情報の修正は不可能であるため、報告前に検査結果の妥当性を確認し、妥当性の判断を行う必要がある点についても配慮がなされていなかった。
【解決手段】画素ごとの信号を計算し、前記検出部の異常を判定する第１の処理部と、前記異常が発生した画素を補正する第２の処理部と、前記第２の処理部による補正後の画素の検出結果を用いて、前記基板の欠陥を判定する第３の処理部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）