【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】暗視野式（散乱光検出式）半導体ウェハ検査においては、パターンの微細化と共に欠陥信号も微弱化し、かつ欠陥種類により散乱光の方向特性も異なるため、これらを有効に検出する必要がある。
【解決手段】平面内で移動可能なテーブルに載置した表面にパターンが形成された試料上の線状の領域に試料の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、この照明光が照射された試料から発生した散乱光の像を複数の方向で検出し、この散乱光の像を検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置において、散乱光の像を複数の方向で検出することを、光軸が前記テーブルの前記試料を載置する面の法線と前記照明光を照明する線状の領域の長手方向とが成す面に直交する同一平面内における異なる仰角方向でそれぞれ円形レンズの左右を切除した長円形レンズを介して検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ１０３を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極１０６と左・右検出器１１０、１１１を設け、その電子ビームを試料１０４に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの切り替え（論理遷移）に直接関係する回路タイミング情報を、トランジスタ・レベルで測定するシステムを提供する。
【解決手段】集積回路デバイスからの電気信号のプローブレス・非侵入性検出用システムである。システムは、照明源１３０、集光光学部材１２０、結像光学系、及びフォトン・センサ１４５を含む。ナビゲーション・モードでは、光源１３０を作動させ、結像光学系を用いてチップ上のターゲット領域を確認するとともに集光光学部材を適切に位置付ける。いったん集光光学部材が適切に位置付けられたら、光源の動作を停止し、チップから放出されるフォトンをフォトン・センサを用いて検出する。 （もっと読む）

基本的に、複数の荷電粒子ビームの各々を試料表面に同時にフォーカスする簡素でコンパクトな多軸磁気レンズを用いた装置である。前記多軸磁気レンズの各サブレンズモジュールにおいて、２つの磁気リングがそれぞれ非磁性半径方向ギャップを有する上側及び下側穴に挿入される。各ギャップの寸法は、十分な磁気結合を維持するほど十分に小さく、その光学軸付近の空間において十分な磁位分布の軸対称性を得るほど十分に大きい。本方法は、従来の多軸磁気レンズに固有に存在する各サブレンズ内の非軸対称横軸磁場と、総てのサブレンズ間の円形レンズ場の差の両方を同時に除去する。本装置において、磁気遮蔽チューブ、板、及び筐体のようないくつかの付加的な磁気遮蔽手段が、各荷電粒子ビーム源から各サブレンズの入口まで及び各サブレンズの出口から試料表面までの荷電粒子経路上の非対称横軸場を除去するために使用される。
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【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が１ｎｍ又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源１からの照明ビームを被検査基板２１に向けて投射する対物レンズ２０と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第１及び第２のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系１６と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段２８と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、ｍを零又は正の整数とした場合に、第１と第２のサブビームとの間に（２ｍ＋１）π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 （もっと読む）

【課題】マルチスポットウエハ検査用照射サブシステムを提供する。
【解決手段】照射光ビーム３４を複数の光ビームに分離する回折光学素子３２と、前記複数の光ビームの光路に配置された補償回折光学素子４０であって、前記補償回折光学素子は、前記回折光学素子と同じ回折角度で符号が反転した回折次数を有する、補償回折光学素子と、前記補償回折光学素子から出る前記複数の光ビーム３６の光路に配置され、前記複数の光ビームのそれぞれの焦点を検査用ウエハ４６に個別におよび同時に合わせる、１つまたは複数の屈折光学素子４４と、を含む照射サブシステム。 （もっと読む）

【課題】サンプルの異常を検出する光学装置において、より広範囲な用途に使用され、感度と性能が改善されたコストのより低い改良された表面検査システムを提供する。
【解決手段】サンプル１８の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第１の光学機器１２と、第１の検出器アレイ３２と、第１の光線１６から生じ、サンプル表面上の照明される領域２０から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第１のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器３０と、を備え、前記第１の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器１０６を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】ウエハの外観検査の簡便化を図ること。
【解決手段】ウエハ１に起伏があり、ウエハ１を撮像する撮像対象箇所に応じて焦点距離が異なる場合でも、ウエハ１を撮像する撮像対象箇所に応じたレンズ系に組み込む中間レンズ５別の領域であって焦点距離別の領域を予め設定することによって、ウエハ１の全面を走査する際、その設定された領域に応じてレンズ系に組み込む中間レンズ５を切り替えて、そのレンズ系の焦点距離を切り替えることができる。そして、ウエハ１の全面を走査するように、ウエハ１の表面を連続的に撮像する際、各領域を撮像することに適した焦点距離のレンズ系でウエハ１を撮像することができ、ウエハ１の全面にピントが合った検査画像を容易に取得することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子ビームを用いる荷電粒子装置における多光軸磁気レンズの固有の構造上の非軸対称性による非軸対称横磁界及び軸対称磁界の差異を低減し、シンプルでコンパクトな多光軸磁気レンズシステムを提供する。
【解決手段】各サブレンズモジュールの夫々のホールに円形磁気導体リングと円形非磁性体間隙を挿入させる。磁気導体リングと磁気導体板の間には十分な磁気結合が保持され、磁気導体リング内壁上では十分な軸対称スカラーポテンシャル分布が得られる。結果として、共通励起コイルに励起される各サブレンズの磁界はビームのフォーカスに必要な軸対称の磁界成分を適当な程度に留保し、余計な非軸対称横磁界成分をほとんど含まない。さらに、磁気遮蔽管などの磁気遮蔽ものを導入し、各サブレンズモジュールを通過する以前及び以後の荷電粒子ビーム経路上での非軸対称横磁界を取り除く。 （もっと読む）

【課題】薄膜の端部を精度よく検出することが可能な基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置１は、表面に薄膜が設けられたウェハ１０を支持するウェハ支持部２０と、ウェハ支持部２０に支持されたウェハ１０の端部または端部近傍に対して微分干渉観察を行うための観察ユニット３０と、観察ユニット３０で得られたウェハ１０の微分干渉像を撮像する撮像素子５０と、撮像素子５０に撮像された微分干渉像の画像から薄膜の端部を検出する画像処理部５１とを備え、微分干渉観察におけるシアー方向がウェハ１０の半径方向に設定される。 （もっと読む）

【課題】暗視野光学式検査装置では、ＴＴＬにおけるリアルタイムでの合焦追従対応が困難である。また、斜め方向からの反射光の位置ズレを検出する方式では、撮像用レンズとの誤差や温度変化等の環境変化および合焦制御ユニットの経時変化によるズレ（オフセット）量を補完することが困難である。さらに検査時の環境等により合焦位置が変化してしまうため、ＴＴＬ開始時においてもある程度の合焦が保たれていなければ、高精度にするためには画像のサンプル数を増やしたりする必要があるため時間がかかってしまう。
【解決手段】ＴＴＬとＳ字カーブ制御を同時積載し、合焦位置認識はＴＴＬ、合焦位置追従動作にはＰＳＤ（ＣＣＤ）方式というように用途を切替えることで、より高精度で短時間の検査を行うことができる。また、ＴＴＬ実行時に前回の合焦位置情報をフィードバックすることにより、ＴＴＬの時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
検査レンズの波面収差は欠陥検出感度を低下させる傾向があり、波面収差の装置間差が、検査感度一致度を下げる原因の一つとなっていた。特に検査レンズの外側は波面収差が大きくなる傾向があるため、(a)像高が高い場合、(b)光が低仰角方向へ強く散乱される欠陥を検出する場合、収差の影響を受けやすくなる。
【解決手段】
本発明では上記課題を達成するために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにした。
(1)：レーザ等の光源、及び照明光学系、
(2)：検出光学系レンズの波面収差を測定可能な瞳面観測系、もしくは波面収差測定方式、
(3)：収差の大きい瞳面上の領域を遮光可能な2次元空間フィルタ、
(4)：(2)及び(3)を持つ散乱光を検出するための１つまたは複数の欠陥検出光学系及び光検出器、
(5)：波面収差測定に用いる点光源。 （もっと読む）

【課題】検出光量低下防止表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置は、少なくとも熱線及び紫外光を射出する光源部と、所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に、前記紫外光の直線偏光を照射する照明部と、前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの反射光のうち前記直線偏光と振動方向が交差する偏光成分を検出する検出部と、前記検出部で検出された前記偏光成分に基づいて、欠陥の有無を検査する検査部とを備え、前記照明部または前記検査部の光路上に、前記直線偏光または前記偏光成分を得るための偏光板３４が密閉部材３６により配設されると共に、前記密閉部材３６の前記紫外光の透過領域表面に紫外光透過性熱線吸収膜が形成され、更に前記透過領域の周辺領域に熱線吸収膜、熱線反射膜と熱線吸収膜との積層膜、熱伝導性膜と熱線吸収膜との積層膜、熱線反射膜と熱伝導性膜との積層膜のいずれか一つが形成されている。 （もっと読む）

【課題】検出する光の光量低下を防止した表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置１は、少なくとも熱線及び紫外光を射出する光源部と、所定の繰り返しパターンを有する被検基板の表面に、前記紫外光の直線偏光を照射する照明部と、前記直線偏光が照射された前記被検基板の表面からの反射光のうち前記直線偏光と振動方向が交差する偏光成分を検出する検出部と、前記検出部で検出された前記偏光成分に基づいて、前記繰り返しパターンにおける欠陥の有無を検査する検査部とを備え、
前記照明部または前記検査部の光路上に、前記直線偏光または前記偏光成分を得るための偏光板３４が密閉部材３６により外気に対して密閉された状態で配設されると共に、前記密閉部材３６のうちの前記紫外光の透過領域表面に紫外光透過性熱線吸収膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】検出する光の光量低下を防止した表面検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面検査装置１は、少なくとも熱線及び紫外光を含む光を射出する光源部と、前記光源部から射出された光のうち、紫外光を透過し、熱線を吸収する紫外光透過性熱線吸収膜と、所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に前記紫外光を用いた直線偏光を照射する照明部と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光のうち直線偏光と振動方向が略直角な偏光成分を検出する検出部と、検出部で検出された偏光成分に基づいて、繰り返しパターンにおける欠陥の有無を検査する検査部とを備え、照明部または検査部の光路上に、直線偏光または偏光成分を得るための偏光板３４が密閉部材３６により外気に対して密閉された状態で配設される。 （もっと読む）

【課題】感度の高い表面検査が可能な表面検査装置及び表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたウェハ２０の表面に直線偏光Ｌ１を照射する照明部１０と、ウェハ２０から出射される楕円偏光を受光し、直線偏光Ｌ１と振動方向が異なる第２の直線偏光成分のみを通過させる検光子３と、ウェハ２０の像の信号強度を検出し、信号強度に基づいて被検基板の表面におけるパターンが形成されている位置を検出する位置検出部８ｂと、パターンが形成されている位置の信号強度が最小となるように、楕円偏光及び検光子３のいずれか一方を他方に対して相対回転させ、上記位置の信号強度が最小となる楕円偏光に対する検光子３の相対位置を決定し、上記相対位置に相対回転させる回転駆動装置３０と、検光子３を通過した第２の直線偏光成分を検出し、パターンを検査する表面検査部とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）