【課題】ゲート酸化膜の厚さが数ｎｍと薄い場合であってもＧＯＩの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにＧＯＩ劣化がないことをＴＤＤＢ法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、該シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、該複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも１つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、該複数枚の基板から少なくとも１枚を抜き取る工程と、該抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをＡＦＭで測定し、波長２０ｎｍ〜５０ｎｍに対応する周波数帯の振幅（強度）を求めて合否を判定する工程と、前記判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの支持基板層中に存在する不純物金属及び積層欠陥を区別して簡便且つ低コストに検査することが可能な方法を提供する。
【解決手段】支持基板層（１３）上に埋め込み酸化膜層（１２）を有するとともに該埋め込み酸化膜層（１２）上にＳＯＩ層（１１）を有するＳＩＭＯＸウェーハ（１０）に関して、支持基板層（１３）中の欠陥を検査する方法は、ＳＯＩ層（１１）及び酸化膜層（１２）を除去し、続いて支持基板層（１３）をエッチング液により選択エッチングして表面に存在する欠陥をエッチピットとして顕在化させ、エッチピットのサイズをカウンタにより測定し、前記サイズが１μｍ以上の場合には不純物金属に起因するものと同定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、逆テーパ条件によるエッチングにおいて逆テーパの大きさを容易に求めることができるエッチング検査方法の提供。
【解決手段】エッチング時に被エッチング基板の一部分に幅または直径の異なる柱状構造体である複数のダミーピラーを形成し、エッチング終了後、前記被エッチング基板におけるダミーピラーを形成した部分を観察し、前記複数のダミーピラーの内、少なくとも一部が消失していたときは、前記エッチングにおいて前記被エッチング基板に形成されたトレンチが逆ピラー状の側壁形状を有するものと判断し、且つ、前記エッチングによって消失したダミーピラーのうち幅または直径の最も大きなものの１／２以上、残存したダミーピラーのうち幅または直径の最も小さなものの１／２未満を前記トレンチにおけるオーバハング量とすることを特徴とするエッチング検査方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層に存在する転位の種類を正確に特定することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体層４に存在する転位６，８，１０，１２の種類を特定する方法である。この方法は、半導体層４を化学エッチングすることによって、半導体層４の表面４ｂから窪んでいるエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａを形成する形成工程と、上記表面４ｂに対するエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αを特定する傾斜角度特定工程と、傾斜角度特定工程で特定されたエッチピット６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａの傾斜角度αに基づいて、各転位６，８，１０，１２の種類を特定する転位種類特定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程の途中でエピ膜厚を測定できる手段を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。このため、これらの高さの差、つまり段差を測定することにより、ｎ型エピ層２を測定することができる。すなわち、これら各部において、測定装置から測定対象の最表面までの距離を求め、その差を測定することにより、半導体基板１の表面に成長したｎ型エピ層２の膜厚を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】機械的プローブと被接触物との接触を正確に検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】接触検出装置は、被接触物に接触するために移動可能な機械的プローブと、前記被接触物に照射する荷電粒子線を生成する荷電粒子線ビーム源と、前記被接触物からの二次粒子又は反射粒子を検出するための検出器と、前記検出器からの検出信号より前記被接触物に投影された前記機械的プローブの影の特徴量を演算する演算装置と、前記機械的プローブの操作を制御する制御装置と、を有する。演算装置は、機械的プローブの影の特徴量として、影の深さS(x,y)を演算し、該影の深さS(x,y)に基づいて、前記被接触物と前記機械的プローブの間の距離を示す評価値J(z)を求める。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度を変化させて試料検査を行う場合、チャンバー内にあるホルダ，試料ステージ，プロービング機構全体，試料台などの熱膨張によるドリフトが生じてしまう。この試料ドリフトの影響は、プローブを測定箇所へ接触させる際の大きな障害となる。一方、荷電粒子線を用いた観察では、コンタミネーションが生じることがあり、目的とする測定領域を埋没させてしまうため、プローブによる電気特性測定が困難となる。特に、試料を加熱する場合、試料表面や試料内部に内在するガス分子が発生しやすくなり、コンタミネーションが生じやすくなる。さらに、荷電粒子線を用いた観察では、荷電粒子線照射による熱ダメージの影響で試料の構造が破壊されてしまう場合がある。
【解決手段】
上述の問題点に鑑み、本発明では、局所加熱および冷却を実現出来る機能を有する微小ブロックの集合体を特徴とする試料台を用いて、所望箇所の温度調整を実現する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜形成前のシリコンウェーハの表面、及び／又は、表面層の状態によって酸化条件を調整することができ、それにより例えば極薄の酸化膜でも精度良く形成することができる酸化膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコンウェーハの酸化膜形成方法であって、予め、シリコンウェーハの表面ラフネス、及び／又は、シリコンウェーハ表層部の結晶性を測定し、測定値よりシリコンウェーハの酸化条件を調整して、調整した酸化条件下でシリコンウェーハに酸化膜を形成するシリコンウェーハの酸化膜形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料にダメージを加えることなく、高分解能かつ高精度で多様な情報を取得することができる半導体評価方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第１の面側に形成された半導体素子と、半導体素子を覆うように形成された絶縁層とを有する半導体装置より成る試料を、走査型プローブ顕微鏡を用いて評価する半導体評価方法であって、試料の絶縁層が形成されている側が試料台に接するように、試料台上に試料を固定する第１のステップＳ３と、半導体基板の第２の面側を研磨することにより、半導体基板を所定の厚さまで薄くする第２のステップＳ４と、走査型プローブ顕微鏡の探針にバイアス電圧を印加し、探針を半導体基板の第２の面側に接触させ、走査を行いながら探針に流れる電流を測定する第３のステップＳ８とを有し、第３のステップでは、バイアス電圧を順次変化させ、各々のバイアス電圧毎に探針に流れる電流を順次測定する。 （もっと読む）

【課題】試料の絶縁体に帯電した帯電電位をより正確に測定する帯電電位測定機能、及び測定した帯電電位の情報を用いて試料上のパターンを高精度に計測するシステムを提供する
【解決手段】少なくとも一層の絶縁膜を有する試料（たとえば、半導体基板）における絶縁膜表面の帯電電位を測定する帯電電位測定方法を提供する。本方法では、電子線を、金属薄膜を介して絶縁膜表面に照射し、電子線を絶縁膜表面に照射したときの試料電流を測定する。次に、試料に印加する電圧を所定範囲で変化させて得られる、印加電圧と試料電流との関係（検量線）を用いて得られた試料電流に対応する試料の電圧を求める。そして、この得られた試料の電圧を絶縁膜の帯電電位と定める。試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。また、検量線は、試料の種類ごとに予め取得しておいてもいいし、帯電電圧測定動作の度に、電子線を照射しながら検量線を取得し、それを用いるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの特性を劣化させること無く、短期間で半導体製造システムによって作製される半導体デバイスに含まれる異物が発生している箇所を特定し、生産システムの短期立上げや高い歩留を維持する。
【解決手段】少なくとも薄膜堆積装置を含む半導体製造システムにおいて、該半導体製造システムを構成する少なくとも製造工程空間に存在する金属製部材は、前記半導体製造システムによって作製される半導体デバイスに含まれ得る前記金属製部材に由来する異物が前記半導体製造システムにおいて発生した箇所を特定するため、前記金属製部材毎に、前記金属製部材を構成する主成分以外であって、異なる種類及び異なる量、又は異なる種類若しくは異なる量の特定元素を含有していることを特徴とする半導体製造システム。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を用いたデバイスの歩留まり低下の原因となる結晶欠陥の密度を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明における炭化珪素半導体基板１０の製造方法は、（a）炭化珪素基板１を準備する工程と、（b）炭化珪素基板１上に第１のエピタキシャル層５を形成する工程と、（c）第１のエピタキシャル層５に発生する結晶欠陥４の位置を特定する工程と、（d）特定した位置において、第１のエピタキシャル層５を除去するように、かつ炭化珪素基板１に溝２１を形成するようにエッチングを行う工程と、（e）第１のエピタキシャル層５および炭化珪素基板１上に第２のエピタキシャル層２を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＢＡＣ解析は解析対象配線に吸収された電流を検出するため、アンプ接続されたプローブ針を解析対象配線に当てる必要があり、その作業が作業者にとって大きな負担である。たとえば、針当て対象パターンを探し出してＳＥＭ画面中央に位置させた後、プローブ針先端をＳＥＭ画面中央に移動させなければならないが、この操作は、ＳＥＭ像の倍率を低倍にしてプローブ針をＳＥＭ画面内に移動させ、ＳＥＭ観察倍率を上げながらプローブ針を針当てパターン上に移動させる作業を繰り返す必要がある。
【解決手段】本願発明は試料中の解析対象位置（針当て位置）を画像表示部の視野の中心部に移動すると、それに対応して、プローバのプローブ針の先端部を自動的に画像表示部の視野内に移動することができる走査型電子顕微鏡装置である。 （もっと読む）

【課題】適正な径のエッチピットを形成することにより、光学顕微鏡を用いて簡便にＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価ができる方法を提案する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶の表面１ｓに、最大のエッチピット１０ｐｍの径Ｄ_MAXが１２μｍ以上１５μｍ以下となるように複数のエッチピット１０ｐを形成させる工程と、エッチピット１０ｐが形成された表面１ｓを光学顕微鏡により観察して、径Ｄが１μｍ以上１５μｍ以下のエッチピット１０ｐの密度を表面１ｓの転位密度として算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 材料を評価のために無駄に消費しない新たな電子部品製造方法を提供すること
。
【解決手段】 試料に複数の加工プロセスを施して電子部品を形成する電子部品製造方法
において、加工プロセスの終了時に上記試料の一部表面を摘出し、上記一部表面に対して
上記加工プロセスでの加工の進捗をモニタまたは検査または解析のうちの少なくともいず
れかを行なう工程を含む方法とする。
【効果】 ウェーハなど試料無駄に割断することなく評価でき電子部品の製造歩留りが向
上する。 （もっと読む）

【課題】結晶性試料を傾斜させずに該結晶性試料を評価することが可能な試料評価装置及び試料評価方法を提供すること。
【解決手段】試料Sに電子線EBを透過させることによりZOLZ図形３９を得るステップS1と、ZOLZ図形の幾何学的特徴と、試料厚さ及び格子湾曲量との対応関係に基づいて、電子線EBが透過した部分の試料Sの厚さtと格子湾曲量Δθとを求めるステップS2とを有する試料評価方法による。 （もっと読む）

【課題】検査面積の大型化が可能で、検査速度の速い簡便な有機薄膜の検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機薄膜の検査方法は、有機薄膜に電荷を注入し、有機薄膜内部における電荷分布の時間変化を可視化することを特徴とする。
また、本発明に係る有機薄膜の検査装置は、有機薄膜に電荷を注入する電荷注入手段と、有機膜中に光電子を発生させる光電子発生手段と、有機薄膜から放出される光電子を可視化する光電子可視化手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料との良好な電気的接触を確保することができる探針及びそれを用いた測定装置を提供する。
【解決手段】探針基部１１の先端に楕円体状又は球状の導電性ゴム材１２が固定されている。探針基部１１及び導電性ゴム材１２からＳＰＭの探針が構成されている。探針基部１１としては、従来のＳＰＭの探針が用いられている。このような探針が試料に押し付けられると、導電性ゴム材１２がその弾性に応じて変形する。例えば、パッド５１、絶縁部５２及び配線５３が設けられた試料のパッド５１に探針が押し付けられると、導電性ゴム材１２がパッド５１の表面の凹凸に倣って変形する。従って、これらの接触面積が広く確保される。この結果、探針とパッド５１との間の電気的接触が良好なものとなる。 （もっと読む）