【課題】電子部品の電極の導電性積層膜の膜厚を安価な装置で高速に測定する。
【解決手段】絶縁膜１上に上下に積層された導電層２，３（積層膜、例えばＮｉ層およびその上のＡｕ層）からなる半導体基板の電極に対して、段差を触針で測る場合やレーザ光を用いる場合など公知の方法で導電層２，３の厚さ（電極高さ）を測定するステップと、４端針法により電極の表面抵抗を測定するステップとを有し、二つのステップから得られた積層膜の膜厚（電極高さ）と表面抵抗値から、上下に積層した導電層２，３からなる電極の上部皮膜である導電層３の膜厚を計算式から算出する。 （もっと読む）

【課題】保守作業の効率化を図ることができる４探針抵抗率測定装置を提供すること。
【解決手段】少なくともプローブユニット６及び測定ユニット７を含む複数のユニットにより構成される４探針抵抗率測定装置であって、ユニット毎に複数の不揮発性メモリを搭載し、パーソナルコンピュータ１により、この不揮発性メモリに当該ユニットに関する保守情報を定期的に書き込み、上記保守情報を不揮発性メモリから読み出すものである。 （もっと読む）

【課題】測定対象に応じて適切な測定条件で抵抗率測定を行うこと。
【解決手段】４探針抵抗率測定装置により試料の電気抵抗を測定する抵抗率測定方法であって、前記試料における複数の測定ポイント毎に印加電流を供給して電圧値を測定し、前記測定した電圧値が前回の測定ポイントの電圧値の所定範囲を超えると判定した場合に、前記印加電流の電流値を再設定する。 （もっと読む）

【課題】 厚みが薄い試験対象ウエハであっても撓みなく支持できるとともに、簡単な構造で試験対象ウエハの裏面電極にプローブ針を確実かつ簡便に接触させることができる半導体測定装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試験対象ウエハを支持する支持面を備えたウエハチャックと；
前記ウエハチャックを上下方向に貫通する少なくとも３本のチャックピンと；前記チャックピンを上下方向に移動させる第１移動機構と；前記チャックピンの内側に内挿される少なくとも１本の下プローブ針と；前記下プローブ針を上下方向に移動させる第２移動機構と；前記ウエハチャックを上下方向及び水平方向に移動させる第３移動機構と；前記上プローブ針及び前記下プローブ針と電気的に接続されるテスタ装置とを有している半導体測定装置を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】４探針プローブの移動及び移動速度を容易に制御することが可能な抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】 試料が載置される測定ステージと、４探針プローブと、回転軸を有するモーターと、前記モーターの前記回転軸に連結された偏心カムと、前記４探針プローブを保持するとともに、前記偏心カムの回転に従動して前記４探針プローブを前記測定ステージに対して接近する側及び離間する側にそれぞれ移動させる保持体と、前記モーターの回転及び回転速度により前記４探針プローブの移動及び移動速度を制御する制御部と、を備えた抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端部付近における測定値変動を正しく補正し、正確な値を求めることができる半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハ１２の抵抗率を測定する半導体ウェーハ抵抗率測定装置において、４探針プローブ１４の４探針に供給する電流の探針と測定する電圧の探針を変更して半導体ウェーハ１２の端部から半径方向の直線上における複数の位置の抵抗率を測定手段により測定する。前記測定手段により測定された複数値に対して演算を行ってから前記各測定位置から前記ウェーハ端部までの距離と半導体ウェーハ上に生成される薄膜の端部までの距離との差による端部補正係数を乗じて抵抗値を得る。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上の高濃度にドープされたエピタキシャル層の抵抗率であっても、従来に比べて正確且つ容易に測定することができるエピタキシャル層の抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてＳＯＩウェーハを投入し、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハまたはチップからなる基体が積層されている場合に、積層された基体と基体との間の接触部の接続抵抗値を容易に精度良く予測する予測方法を提供する。
【解決手段】面接触部における第１接続部と第２接続部との接触面積（被接触面積Ｓ_１）を算出する工程と、第１接続部と同じ抵抗率を有する第１基準接続部を有する基準値設定用第１基体と、第２接続部と同じ抵抗率を有する第２基準接続部を有する基準値設定用第２基体とを積層し、第１基準接続部と第２基準接続部とを面接触させて形成した基準面接触部における第１基準接続部と第２基準接続部との接触面積（基準接触面積Ｓ_０）を算出する工程と、基準面接触部の接続抵抗値（基準接続抵抗値Ｒ_０）を得る工程と、Ｒ＝Ｒ_０｛１／（S_１／S_０）｝（式１）を用いて面接触部の接続抵抗値Ｒを算出する工程とを備える接続抵抗値の予測方法とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極探針と被測定物との接触面積及び接触面の間隔それぞれをより高い精度で維持できる４探針プローブ及びそれを用いた抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る４探針プローブ１０は、本体部１１とその先端に形成された超硬ボール１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを有する電極探針と、電極探針が４本摺動可能に保持された軸受ガイド１２とを具備し、軸受ガイド１２は、粉末を用いた焼結加工によって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの種類に対応した荷重の制御及び下降速度の制御について調整の最適化を自動で行う半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハの抵抗率を測定する測定装置において、測定に際して４探針抵抗率測定器の４探針プローブが半導体ウェーハに接触するまでの下降速度及び該半導体ウェーハに対する荷重量を設定する自動設定手段を備え、該自動設定手段は、予め設定した荷重量範囲及び下降速度範囲において、下降速度を設定最小値に固定した状態で荷重量を最小値から最大値まで順次増加し各荷重量毎に予め設定した測定種目について測定を行って最適な荷重量を決定し、次に４探針プローブ荷重量を決定された最適値に固定した状態で下降速度を最小値から最大値まで順次増加し各下降速度毎に予め設定した測定種目について測定を行って最適な下降速度を決定する。 （もっと読む）

【課題】例えば高抵抗の半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定において、電荷によるチャージアップの発生を防止しながら、安定して信頼性の高い測定結果を得ることができる測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率を測定する方法において、測定対象となる半導体シリコン基板の被測定面の酸化膜を除去した後、酸化膜成長を伴う洗浄を行い、その後被測定面に洗浄による酸化膜が形成された状態で導電型及び抵抗率を測定する半導体シリコン基板の導電型及び抵抗率の測定方法。 （もっと読む）

【課題】光を受けると起電力が発生する半導体試料においても、信頼性のある抵抗率測定を行うことができる半導体試料の抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】受光すると起電力が発生する半導体試料２２の抵抗率を測定する抵抗率測定装置において、光源部２１から半導体試料２２に光を照射し、半導体試料２２が発生する起電力を４探針プローブ１５の２つの探針ｂ、ｃ間で検出して電圧測定部１７へ出力する。電圧測定部１７は、４探針プローブ１５の探針ｂ、ｃ間で検出した半導体試料２２の起電力を測定し、制御部１４へ出力する。制御部１４は、電圧測定部１７の測定結果に基づいて半導体試料２２の照度変化に対する抵抗率の変化を求め、表示部１９に表示する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハレベル信頼性試験において、長期にわたって良好な電気的接触を確保することが可能となる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】プローブ５を定電流回路７に接続するか、プローブ５を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ１と、プローブ３を定電流回路７に接続するか、プローブ３を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ２と、プローブ４を定電流回路７に接続するか、プローブ４を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ３と、プローブ６を定電流回路７に接続するか、プローブ６を電圧測定回路８に接続するかを切り替えるスイッチＳ４と、電極Ｆ＋、電極Ｆ−、電極Ｓ＋及び電極Ｓ−の少なくとも１つの電極上において所定時間後に絶縁膜が成長する電極に接続されたプローブを定電流回路７に接続するようにスイッチＳ１〜スイッチＳ４を制御する切替制御回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗率測定の再現性異常を検出する４探針抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針プローブを用いてウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する測定部と、ウェハ上の被検薄膜への４探針プローブの接触位置を移動させる移動手段と、測定部の測定結果を画面に表示する表示部３１と、測定部と移動手段を制御してウェハ上の被検薄膜の複数の測定位置において複数回の抵抗率の測定を行い、測定した複数の抵抗率のばらつきを示す値が所定値以上である場合、測定再現性に異常があると判断してこれを表示部に表示する制御部１１をもつ４探針抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】少数の部品でケルビンプローブを構成することができ、しかも、複数個のケルビンプローブを比較的細かい間隔で配置できること。
【解決手段】ケルビンプローブを構成する一対のプローブ２８ａｉが、互いに略平行に配される支持基板２６Ａおよび２６Ｂ相互間であって、プラスチックで筒状に成形されたハウジング部材３０ａｉにおける隣接して形成される円形断面を有する貫通孔３０ａ内に、それぞれ、配されているもの。 （もっと読む）

【課題】プローブとウェハの接触を均一化して抵抗率の測定精度を向上する４探針抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を検出する４探針プローブと、４探針プローブを鉛直方向に駆動する駆動部と、４探針プローブの鉛直方向の位置情報を検出する検出部と、ウェハを載置するためのステージを回転する回転駆動部と、ステージの回転角を検出する角度検出部と、駆動部、回転駆動部、検出部及び角度検出部を用いて、ウェハ上の複数箇所において４探針プローブがウェハに接触する鉛直方向の位置情報を検出して記憶し、ウェハ上の被検薄膜の抵抗率を測定する際に、記憶した複数の位置情報に基いて４探針プローブの鉛直方向の位置を補正した後に測定する制御部をもつ４探針抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】 ４探針抵抗率測定において試料の測定に必要な電圧値を実現するために、試料に供給すべき電流の電流値を決定する方法を提供する。
【解決手段】 ４探針抵抗率測定において試料の電気抵抗を測定する際に、特定電圧値により測定するために試料に供給すべき電流値を決定する測定電流値決定方法であって、試料の測定結果である２組の電流値と電圧値を取得し、２組の電流値と電圧値の座標を結ぶ直線式、ｙ＝ａｘ＋ｂを求め、特定電圧値をこの直線式のｘに代入することで電流値ｙを計算し、計算で求めた電流値ｙを試料に供給して電圧値を測定し、測定された電圧値が特定電圧値の許容範囲に含まれるとき測定された電圧値に対応した電流値を試料の測定に使用する電流値と決定する測定電流値決定方法。 （もっと読む）

【課題】 ４探針プローブのクリーニングにおいて、クリーニングウェハ装着時のユーザの作業負担を軽減すると共に装置内環境を維持する。
【解決手段】 ウェハを載置する測定ステージと、測定ステージを回転させる回転駆動部と、ウェハを測定するための４探針プローブと、４探針プローブを駆動する駆動部と、クリーニング用ウェハを測定ステージに搬送する搬送部と、４探針プローブのクリーニングが必要と判断するとクリーニング用ウェハの使用済みの座標を記憶領域から読み出しこれとは異なる座標で４探針プローブをウェハに接触させてクリーニングを行い、接触に使用した座標情報を更新する制御部を有するウェハ抵抗率測定装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端部付近の測定位置に依存する測定値変動を正しく補正し、正確な値を求めることができる半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】４探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハ１２の抵抗率を測定する半導体ウェーハ抵抗率測定装置において、半導体ウェーハ１２の端部の抵抗率を測定する際、予めウェーハ端部１２ａから半径方向の直線上におけるＰ_ｎ、Ｐ_ｎ＋５、Ｐ_ｎ＋１５の位置の測定値に対し、各測定位置からウェーハ端部１２ａまでの距離Ｒと半導体ウェーハ上に生成される薄膜３１の端部３１ａまでの距離Ｒ’との差による誤差を考慮し、それぞれ異なる誤差の補正係数を乗じて各誤差に対応した補正値を求めると共に該補正値の標準偏差を求め、前記標準偏差が最小となる誤差を実際の誤差として決定する。 （もっと読む）