【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 基準パターンが繰り返し配置されたアレイ構造中の指定位置を、基準パターン計数によって特定する指定位置特定する。
【解決手段】 アレイ構造像において、始点の位置、始点の番地、単位ベクトルから生成したパターン検出予測領域と、基準パターン像とのパターンマッチングで求めパターン検出位置を比較し、正検出、検出落とし、誤検出などの判断をしながらパターン計数を実施する。イメージシフト偏向器を用いて視野をずらせながらアレイ構造像を順次撮影し、始点からのパターン計数を継続し、番地で指定された終点の位置を特定する。イメージシフト偏向器のみでは終点に到達しない場合は、イメージシフト偏向器の視野移動範囲を試料ステージで移動させ、イメージシフトによる視野移動を継続させる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスが形成された半導体基板に対して略均一に応力を印加することができる半導体デバイス評価装置及び評価方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス評価装置において、半導体基板６２よりも厚いベースプレート５２に半導体基板６２が実装され、支持体５２によって裏面を支持されたベースプレート５２の表面に対して荷重を印加する手段６０を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、解析用にパッドエリアを増やすことなくより多くの信号ラインを持つことで、所望の回路についてより詳細なエリアまでテストを可能にし、不良箇所の特定を容易にする半導体装置を提供する。
【解決手段】 この発明による半導体装置のテスト方法は、異なる信号ライン１２、１３と接続される信号パッド１０、２０が積層構造に配置され、下層部に位置する信号パッド２０はテスト専用パッド部として用いられ、上層に位置する信号パッド１０と下層に位置する信号パッド２０との接続状態を切り替えて、それぞれの信号ライン１２、２２に連なる回路のテストを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に形成された絶縁膜の特性（膜内電荷量、膜厚、比誘電率、表面吸着物に起因する表面電位変化など）を非接触で正確に測定する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜の膜厚および膜内電荷量がそれぞれ複数個仮設定される（Ｓ１）。仮設定値の全組合せに関して理論表面電位特性が計算される（Ｓ２）。各理論表面電位特性に関して、予め非接触で測定された測定表面電位特性における表面電位の平均値と、当該理論表面電位特性における表面電位の平均値との差分が求められ、表面吸着物に起因する表面電位変化とされる（Ｓ３）。各理論表面電位特性に関して、当該理論表面電位特性に対して前記表面電位変化による補正を施した補正表面電位特性に対する測定表面電位特性の標準偏差が求められる（Ｓ４）。この標準偏差が最小となる理論表面電位特性に対応する膜厚および膜内電荷量が求められる（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】電子ビームで検出した欠陥を正確に取り出して解析する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 （もっと読む）

【課題】基板の剥離時の静電気の発生状況を正確に把握することができる静電気検出装置および基板検査装置を提供する。
【解決手段】リフトピン３は、ステージ２上で基板１を支持して上昇および下降させることが可能である。静電気量を測定する複数のセンサ４が基板１の表面よりもステージ２側に配置されている。イオナイザ本体６によってイオン化された気体はイオン放出バー８から基板１の上面に吹き付けられる。また、イオナイザ本体７によってイオン化された気体は、基板１と接触する面に開口したイオン吹き出し口１０から基板１の下面に吹き付けられる。基板剥離時に、静電気が発生しそうな値まで測定値が上昇した場合、制御装置１１は、イオナイザ本体６および７のイオン供給量を調節する、リフトピン３の上昇速度を調節する等の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを用いた欠陥部位を含むマイクロサンプリング摘出等の加工において、高速に安定して加工を行い、スループットを向上する。
【解決手段】加工を開始する前に、加工点でのビーム直径を計測し、ビーム径とビーム走査間隔とがほぼ一致するように加工条件を決める。サンプルプローブを欠陥部に可能な限り接近させて、プローブ移動時間を短縮し、マイクロサンプル切り出し時間を短縮化する為に、パターン部で発生した計測異常値を検出し、除去することで計測精度を上げる。更に、ガスアシスト処理を行っている間、試料室内の真空度を監視し、異常時にガスノズル、ガス源の温度を上昇させ、所定の圧力値まで制御を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】溝型素子分離領域に生じたボイドを高感度に検出することができるボイド検出装置、その製造方法及び評価方法を提供する。
【解決手段】ボイド検出装置１は、複数の活性化領域１１と、複数の溝型素子分離領域２５とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域２５の表面に接続される複数の電極４１と、電極４１の各々に接続される複数の配線１２ａ及び１２ｂを備える。ボイド２７の内部に埋め込まれた導電体が電極４１に電気的に接続されるため、一対の電極４１間のリーク電流を測定することによって、高感度にボイドの存在を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程における欠陥検出検査を高精度で行うことが可能な半導体検査装置及び半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の形成される被検査半導体基板１の露出した導電体層の表面に、窒素を含む反応層を形成する手段と、前記被検査半導体基板における前記半導体素子内の位置に対応する電気的特性の情報を取得する手段と、前記電気的特性情報に基づき選択された領域における外観検査を行う手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの実装基板への実装時の影響を精度良く検査できる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１と、前記半導体基板１に形成されたチップ領域１０と、前記チップ領域１０に形成された電極１２と、前記半導体基板１に形成され、前記チップ領域１０と離間して形成されたチップ検査領域２０と、前記チップ検査領域２０に形成され、前記電極１２と電気的に接続された検査用電極２２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層およびSOI層の品質を高い信頼性をもって評価すること。
【解決手段】基板上にエピタキシャル層を有するシリコンウェーハにおいて、前記エピタキシャル層の品質を再結合ライフタイムを求めることによって評価する。基板上に酸化膜層とSOI層をこの順に有するシリコンウェーハにおいて、前記SOI層の品質を再結合ライフタイムを求めることによって評価する。エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。 （もっと読む）

【課題】 製品不良の原因となる開口不良を感度よく検出することが可能な、開口不良の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板１上に設けられた第１の絶縁膜２に形成され、かつ少なくとも１つの接続孔を有する接続孔パターンの開口不良を評価する方法であって、接続孔パターンを半導体基板１に転写する転写工程と、転写工程後に第１の絶縁膜２を除去する除去工程と、転写工程にて接続孔パターンが転写された場合に、開口不良がない正常接続孔３であると判定する一方、接続孔パターンが転写されない場合には、開口不良が生じた不良接続孔４である判定する判定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する
【解決手段】 窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶の表面からのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶の表面層の均一歪みが２．１×１０^-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。 （もっと読む）

【課題】 表面のダメージの程度を高精度に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法及び化合物半導体部材の製造方法、並びに、ダメージの程度が小さい窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１０の表面１０ａの分光エリプソメトリ測定を行う。分光エリプソメトリ測定によって得られた光学定数のスペクトルにおいて、化合物半導体基板のバンドギャップに対応する波長を含む波長域におけるスペクトルを用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの周辺部の分析面積を拡大しないようにして、シリコンウェーハ周辺部を必要な範囲に限定して分析でき、しかもシリコンウェーハ周辺部を表面から数十nｍ〜数μｍの深さで複数回エッチングすることによって、シリコンウェーハ周辺部の深さ方向の分析も行うことが出来るようにしたシリコンウェーハ周辺部の分析方法を得ようとすることである。
【解決手段】シリコンウェーハ周辺部のエッチングを１回または複数回行ってこの部分を分析する方法であって、シリコンウェーハの周辺部のエッチングを行う前或いは複数回行うエッチングの間に、シリコンウェーハ周辺部にフッ酸蒸気を吹き付けてシリコンウェーハ周面の酸化膜を分解してこの部分を疎水性とし、その後、シリコンウェーハの周辺部表層をエッチング液に一回または複数回浸漬してその都度エッチング液を回収し、このエッチング液を高周波誘導結合プラズマ質量分析装置又は原子吸光分析装置で分析してシリコンウェーハの周辺部の所定の範囲の深さ方向の不純物濃度を分析するシリコンウェーハ周辺部の分析方法である。 （もっと読む）

【課題】基板と基板保持台との境界での液の移動を速め、基板と基板温度を迅速に制御することができる基板保持台、基板温度制御装置及び基板温度制御方法を提供する。
【解決手段】基板保持台１０は、ウエハＷを保持する保持台１１と、この保持台１１の温度を制御する温度制御装置と、を備え、保持台１１は、保持台１１の上面で開口し且つウエハＷと保持台１１との間に温度制御装置からの第２の冷却液を供給する開口部１１３と、開口部１１３の近傍に形成され且つウエハＷと保持台１１との間の第２の冷却液を排出する真空吸着溝と、真空吸着溝で開口し且つ真空吸着溝から第２の冷却液を排出する開口部１１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子部品における破断等の欠陥状態をより詳しく検出し得る欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｃにフェムト秒レーザを照射するレーザ照射器１と、フェムト秒レーザの照射により発生されたテラヘルツ電磁波を検出する電磁波検出器６と、この電磁波検出器で検出された検出信号を入力して半導体基板に断線等の欠陥が存在するか否かを判断するコンピュータ装置とを具備した装置であって、電磁波検出器６を、電磁波の偏向面に対する検出指向特性を有するボウタイ型の第１および第２アンテナ２３，２４と、これら両アンテナを保持するとともに電磁波の検出位置に順次移動させ得る可動ステージ２１とから構成したものである。 （もっと読む）

ウエハの性状を測定するための測定システムは、４点プローブシステム等の伝導率測定を実行するための装置を、光音響測定システム等の光学測定を実行するための装置と組み合わせたものである。薄膜基板の性質を記述した包括的なデータセットを提供するために、結果が取得され組み合わせられる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプ等な貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板２１の略中央を含んで基板径の半分の径をもつ周で囲まれた真空吸引領域２３を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板２１の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。 （もっと読む）