【課題】炭化水素ガスやＷ（ＣＯ）₆等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、ＳＥＭ解析と同時に、ＳＥＭ解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー８内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス３５を放出するマーキング源６を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー３を形成可能なマーキング装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 一枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度で、短時間に分析しうるシリコンウェーハの金属不純物の分析方法であって、１枚のシリコンウェーハ表面の任意の箇所での任意の深さにおける金属不純物を測定する為の前処理方法を提供する。
【解決手段】 無電解メッキ法と呼ばれる湿式化学エッチング・溶解法を用いて、シリコンウェーハの深さ方向に対して、均質な細孔を空ける前処理技術を用いて処理した一枚のシリコンウェーハの細孔よりフッ酸を加えながら吸引した回収溶解液を定容して誘導結合プラズマ質量分析法またはＩＣＰ質量分析法により分析する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面の不純物をより高精度に回収することが可能な不純物の回収方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に存在する不純物を測定するための不純物の回収方法であって、半導体基板１の表面の被測定領域に、不純物を回収する回収部材２を接触させ、回収部材２を被測定領域に接触させた状態を維持しつつ半導体基板１に対して相対的に移動させて、回収部材２に半導体基板１上に存在する不純物を回収する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハを水銀プローブ法により短時間で評価するための手段を提供すること。
【解決手段】弗酸処理を施したシリコンウェーハ表面と水銀を接触させ、シリコンウェーハと水銀との間に電圧を印加して電気的特性を測定することによりシリコンウェーハを評価する方法。前記測定中、少なくとも、シリコンウェーハの水銀と接触する表面近傍の湿度を５０％以上に制御する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤパルス発生器、被試験装置。ＥＳＤ試験システムがより広く適用可能となるようにする。
【解決手段】ＥＳＤパルス発生器に導体で接続される探針の針、及び、上記パルスの結果としての上記被試験装置の電圧と電流の波形を同時に取得することにより上記被試験装置の過渡的挙動を検出する測定機器であって、（ａ）既知の第１インピーダンスを有する第１の既知のシステムにＥＳＤ試験システムを適用し、（ｂ）既知の第２インピーダンスを有する第２の既知システムにＥＳＤ試験システムを適用し、（ｃ）上記の第１及び第２の既知インピーダンスを考慮し、取得した電圧と電流の波形に基づき、上記ＥＳＤ試験システムの過渡的挙動に対する較正データを決定する、ステップから成る。好適な実施形態では、波形は関連付けのために周波数領域に変換される。 （もっと読む）

【課題】１枚の半導体ウエハで、半導体ウエハの表裏両面に付着している金属不純物を収集することを目的とする。
【解決手段】基板面に処理液を滴下し、処理液を回収することにより、基板面に付着している不純物を収集する基板処理装置であって、基板の第１の面を上方に向けて基板が載置される固定部と、基板に処理液を滴下する滴下部と、基板の第１の面を吸着し、基板を上方から保持する保持部と、保持部を垂直面で回転し、基板の第１の面に対する裏面を上方に向ける回転部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】実装後のバーンイン試験の接触構造及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の接触構造は、印刷回路基板、該印刷回路基板上に固定されたはんだ接合部、及び固定プレートを有する。はんだ接合部は、印刷回路基板上に固定され、該はんだ接合部は、接触金属ボールと接続された複数の接触金属バネを有する。固定プレートは、はんだ接合部間に位置決めされる。固定プレートは複数のプレートから形成され、最下部プレートの孔の口径は最小であり、最上部プレートの孔の口径は最大である。実質的に一定の圧力が、ウエハレベル・パッケージの表面と接触する固定プレートの表面を使用することによって、接触金属ボール及び金属バネの間で維持される。 （もっと読む）

【課題】真空プローブ装置のための検査ステージと検査方法の提供。
【解決手段】ウエハ状の基板Ｗ上に形成された被検査体を真空状態で検査するプローブ装置１００のための検査ステージである。この検査ステージは、大気雰囲気下に配置される大気ステージ１０、該大気ステージ上に配置され、ウエハ状の基板Ｗを支持するように構成された第一の支持機構１４、該第一の支持機構をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動するように構成された第一の移動機構１３ａ、１３ｂ、アームに設けられたアライメント用の撮影機構１５ａ、真空室２１、該真空ステージ内に配置されたプローブ機構とを具備する。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率を向上させることのできる膜質評価方法および膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜シリコン系デバイスに用いる結晶質シリコン膜に光を照射し、結晶質シリコン膜で反射された反射光を検出し、検出した反射光の輝度に係るパラメータを計測し、該輝度に係るパラメータが予め設定されている適正範囲内であるか否かに応じて、該結晶質シリコン膜の膜質評価を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からＴＥＭ観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部（ＳＥＭ部）１と試料作製加工用のイオンビーム部１０１とを併設し、ＳＥＭ部１によるウエハ７の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ７上の欠陥（異物やパターン欠陥）の存在部位からのＴＥＭ観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ８上で一貫して行なえるようにした。 （もっと読む）

【課題】引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。
【解決手段】試料１１と透明基板１３との間に、導電性物質を混合した光反応性樹脂又は熱反応性樹脂を含む導電剤層１２を形成し、透明基板１３側から導電剤層１２に光を照射して硬化させて試料１１と透明基板１３とを固着させ、未硬化部分を除去して引出配線１７を形成する。必要な配線箇所にのみ光を照射して引出配線１７を形成することができるので、引出配線１７の形成後に不必要な部分を除去し、後工程で透明な樹脂を充填することができるので、測定時に裏面から光を照射することによって測定する箇所を容易に確認することもできる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ等のデバイス特性を精確に予測、制御し、特定部位の不良解析を行うことが可能な、微細な半導体デバイスにおける半導体基板内の冶金学的なＰＮ接合位置を検出する方法を提供する。
【解決手段】本発明の接合位置の検出方法は、半導体基板においてＰ型不純物がドーピングされたＰ型不純物領域と、Ｎ型不純物がドーピングされたＮ型不純物領域との接合位置を検出する方法であり、半導体基板から観察対象となる断面を露出させる断面露出工程と、該断面の洗浄処理を行う断面処理工程と、断面にシリサイドを堆積させる堆積工程と、該シリサイドのグレインサイズを観察することにより、接合界面を検出する検出工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜の水素透過率等を直接的に測定し得る手法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いてウエハの状態で直ちに汚染物質を検出及び分析することのできるウエハ汚染物質の分析装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウエハ汚染物質の分析装置１００は、汚染物質を分析するためのウエハＷを支持するウエハホルダ１６０と、ウエハＷから分離した試料を採取するためにウエハＷ側にレーザＬを照射するレーザアブレーション装置１１０と、レーザＬを照射することによってウエハＷ表面から分離した試料を採取するための分析セル１７０と、分析セル１７０に連結されて前記採取する試料から汚染物質を分析するための分析装置１９０とを含む。 （もっと読む）

【課題】
シリコンウェーハ表面上の珪素を効率よく脱離することができるシリコンウェーハ表面の珪素脱離方法、この珪素脱離方法を適用することにより採取した液体サンプル中のシリコン含有量を低く抑えることができるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の液体サンプル採取方法、及びこの採取方法により採取した液体サンプルを用いて分析することにより分析感度を向上させ高感度で安定した分析が行えるようにしたシリコンウェーハ表層下領域の金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】
ＨＦ溶液、ＨＮＯ₃溶液及びＨ₂ＯのそれぞれをＮ₂ガスでバブリングする工程と、シリコンウェーハを収納したチャンバー内に前記それぞれの溶液の揮発蒸気を含んだＮ₂ガスを導入し当該シリコンウェーハをエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコンウェーハをＮ₂ガスでブローすることにより前記シリコンウェーハ表面上の珪素を蒸発する工程と、を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】マスク製造工程の際に、マスクパターンを配置する空間においてコンタミネーションを防止することができる、マスクパターン等のパターンを計測するための計測方法及びそのための装置を提供する。
【解決手段】 基板１、クロム膜２上に形成されたレジストパターン３を荷電粒子ビームによって計測する際に、ＨＦ，ＣｌＦ３，ＮＦ３，ＳｉＦ４，ＷＦ６，ＸｅＦ２等のフッ素ガスを試料室内部に注入して、パターン３の表面に導電性のフッ素化合物膜４を成膜し、荷電粒子ビームによって、フッ素化合物膜４が成膜されたパターン３を計測する。 （もっと読む）

【課題】高価な２次元ステージを用いることなくサファイアインゴット等の被測定物内に存在する欠陥等散乱体の位置と大きさ等を観察できる光散乱観察装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１からのレーザ光線を被測定物５へ照射し被測定物から出射されるレーザ光線をＣＣＤカメラ７で撮影して被測定物内に存在する散乱体を観察する光散乱観察装置であって、レーザ光源と被測定物との間の光路上に、直線偏光の方位を回転させる２分の１波長板２とガルバノミラー３および反射ミラー４が配置されると共に、２分の１波長板を透過したレーザ光線がガルバノミラーと反射ミラーにより平面状に走査されて被測定物断面の散乱像が観察されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】循環する媒体による帯電の影響を緩和した、基板の温度を制御する基板温度制御装置と、当該基板温度制御装置を用いた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する保持台１０１と、前記保持台に、前記基板の温度を制御するための媒体を循環させる循環路１０４と、前記循環路に設置された、前記媒体を通過させる微細孔を複数有する、前記媒体の帯電を緩和するための電極１１２と、を有することを特徴とする基板温度制御装置。 （もっと読む）

【課題】遷移領域における二次イオン質量分析装置の較正を可能とする、２〜５ｎｍの深さに所定濃度の濃度ピークを有する較正用標準試料を提供する。
【解決手段】基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。再結晶化層４は基板１側から基板１表面へと形成される。このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）