【課題】 アモルファスシリコンを固相結晶化した際に結晶化が充分進行したかどうかを簡単かつ確実に判定する。
【解決手段】 基板上の検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、 閾値（Ｔｈ） ＝ 最小値 ＋（最大値 − 最小値）× Ａ （ただし、Ａ＝０〜１） 前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、固相結晶化の進行度を判定することができる。また、この判定結果をネットワークを通じて他の製造工程に反映させ、製品の品質を高いものにする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの製造時における研磨や洗浄を効果的に行なうために半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを定量的に評価する半導体ウエーハの評価方法及び前記評価方法を用いた半導体ウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を測定し、該測定したウエーハの表面形状をパワースペクトルに変換し、該パワースペクトルにおいて、空間波長１μｍでのパワースペクトル密度及び／又は空間波長０．１μｍでのパワースペクトル密度を求め、該求めたパワースペクトル密度によって前記半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法及び前記方法により前記ウエーハ表面のマイクロラフネスを評価し、該評価結果に応じて、研磨条件及び／又は洗浄条件を調整することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエーハの製造時における研磨や洗浄を効果的に行なうために半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスを短時間で簡易的に評価する半導体ウエーハの評価方法及び前記評価方法を用いた半導体ウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】予め半導体ウエーハ表面の垂直照射・高角度受光のヘイズ値及び／又は斜角照射・低角度受光のヘイズ値を測定すると共に、該ウエーハの表面形状を測定し、該測定したウエーハの表面形状のデータをパワースペクトルに変換し、該パワースペクトルにおいて、空間波長１μｍでのパワースペクトル密度と垂直照射・高角度受光ヘイズ値との相関関係及び／又は空間波長０．１μｍでのパワースペクトル密度と斜角照射・低角度受光ヘイズ値との相関関係を求めておく半導体ウエーハの評価方法、及び前記方法によりウエーハの表面形状を評価し、該評価結果に応じて研磨条件及び／又は洗浄条件を調整する半導体ウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】溝深さ測定器の精度に依存することなく、溝深さ測定器の精度よりも更に高い精度でレーザ加工溝の深さを測定可能にすること。
【解決手段】レーザ加工溝８０の深さを測定する溝深さ測定方法は、ウエーハ３４に形成されたレーザ加工溝８０の延在方向に平行な一つの溝深さ測定経路Ｌ１を設定しかつ溝深さ測定器７０を、溝深さ測定経路Ｌ１に位置付けてレーザ加工溝８０の深さを測定する最初の溝深さ測定ステップと、ウエーハ３４を、溝深さ測定経路Ｌ１に直交する方向にそれぞれ一定の間隔で順次に割り出し送りして溝深さ測定経路Ｌ１に平行な他の溝深さ測定経路Ｌ２〜Ｌｎに位置付ける毎にレーザ加工溝８０の深さを測定する他の複数の溝深さ測定ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】
ドライエッチング工程などで用いられる静電チャックにおいて脱離特性に優れると共に、ドライエッチング品質のバラツキを抑制できるウェーハを供給するために、ウェーハの背面粗さを適切に評価できる方法及び装置を提供すること並びに前記ウェーハの背面粗さの評価方法を利用したウェーハの製造方法及びウェーハの選別方法を提供する。
【解決手段】
チャンバー内に設置されたウェーハステージに評価すべきウェーハの被評価面である背面を保持させる工程と、前記チャンバー内を真空状態にする工程と、前記チャンバー内に評価用ガスを導入する工程と、前記ウェーハステージと前記ウェーハの背面との隙間から該ウェーハの背面側にリークする前記評価用ガスの量を測定する工程と、前記測定された評価用ガスのリーク量に基づいて前記ウェーハの背面の粗さを評価する工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定値のばらつきを少なくすることが可能なエピタキシャル層の前処理方法およびエピタキシャル層の抵抗率の測定方法並びにウェーハの抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成させたエピタキシャル層に金属電極を接触させてエピタキシャル層の抵抗率を測定する際のエピタキシャル層の前処理方法であり、エピタキシャルウェーハ１０のエピタキシャル層１０ａに酸化膜１０ｂを形成すると同時に、前記酸化膜１０ｂの表層に炭素含有領域１０ｃを形成することを特徴とするエピタキシャル層の前処理方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによる損傷を防止し、正確な断面形態観察を実現することのできる形態断面観察方法を提供する。
【解決手段】 試料表面に蒸着法により保護膜を形成する工程と、前記保護膜上にＦＩＢを用いて加工用保護膜を形成する工程と、前記加工用保護膜の形成された試料をＦＩＢにより切断し、断面を観察する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲートバイアス下でソースとドレイン間の印加電圧(Ｖｄｓ)に対するドレイン電流(Ｉｄｓ)の特性で定義されるしきい値電圧（Ｖｔｈ）を実際に測定しながらゲート領域の追い込み拡散を行うことが可能で、これにより高精度に諸特性が制御された半導体装置を得ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】表面側に活性領域１acを備えた半導体基板１上に、活性領域１acに対してオーミック接続させた状態で高融点金属からなるソース電極７ｓおよびドレイン電極７ｄを形成する。ソース電極７ｓ−ドレイン電極７ｄ間における活性領域１acの表面層にｐ型不純物を拡散させてゲート領域９ｂを形成する。ソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ、ゲート領域９ｂに連続して形成されたｐ型のパッド領域１０ｂに端子を接続させ電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層の拡がり抵抗測定方法、ＳＯＩ層の拡がり抵抗測定に使用するＳＯＩチップおよびＳＯＩ基板であって、埋め込み酸化膜層の影響を殆ど受けずに、拡がり抵抗測定方法を用いてＳＯＩ層を測定することのできるＳＯＩ層の拡がり抵抗測定方法、ＳＯＩチップおよびＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】ＳＯＩチップ１１０端部にアングルラップを施し、露出したＳＯＩ層３の下の埋め込み酸化膜層２とをフッ酸エッチングで除去することにより、支持基板１と接触したＳＯＩ層３の拡がり抵抗を測定する。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘る空洞雰囲気の安定性を査定するための微細なリークテストに存在する欠点を取り除き又は軽減した新しいインラインの超微細リークテストを開発すること。
【解決手段】本発明は、カプセル化されたデバイスのリークレートを測定する方法に係り、ネオン又はアルゴン雰囲気で、少なくとも環境圧力よりも高いボンビング圧力を用いてボンビングする工程と、前記ボンビングの前後でクオリティファクタを測定する工程とを有する。好ましくは、ボンビングの時間は略１０から１００時間であり、ボンビング圧力は、略１．５から１００バール、好ましくは１．５から５バール、最も好ましくは略４バールである。このテストにより、デバイスの微細リークのリークレートが測定される。このテストは、シールの完全性に影響を与え寿命を短くする十分な要因となるウエハプロセッシングに起因する統計的な表面汚染や欠陥を測定することに役立つ。更に、ダイシング、ダイアセンブリ、トランスファモールディングは、本発明の方法で検出される物理的な欠陥を引き起こす。最終的に、本発明の方法はプロセスの最適化に有用である。密閉度の測定は、シーリングプロセスの最適化に大いに助けとなる。 （もっと読む）

【課題】測定精度を確保しつつも、スループットを大幅に向上することが可能な表面段差測定方法、およびこの方法を行うための表面段差測定装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された下地パターン間を埋め込む状態で当該基板上を平坦化膜で覆ってなる平坦化表面の表面段差を測定する表面段差測定方法であって、平坦化表面における測定領域内を所定面積にメッシュ分割してなるメッシュ領域毎に前記下地パターンの専有面積率を算出する（Ｓ１〜Ｓ３）。算出された専有面積率に基づき、専有面積率の高い側から所定数分のメッシュ領域と専有面積率の低い側から所定数分のメッシュ領域とを選択する（Ｓ４）。選択されたメッシュ領域の表面段差分布のみを測定する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】 液浸系の対物レンズを用いた場合に、供給された液体を効率よく回収できる顕微鏡観察装置を提供する。
【解決手段】 液浸系の対物レンズ４０と、液体３０が基板４０Ａの観察点に供給された状態で、その観察点を対物レンズの焦点面１０ｃのうち対物レンズの光軸１０ａ付近に位置決めする位置決め手段と、位置決め手段により位置決めされた状態(ａ)から、基板を対物レンズに近づけて（状態(ｂ)）、観察点から液体を回収する回収手段３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの電気特性を評価する際に、半導体ウェーハの主表面にパーティクル等のコンタミネーションを付着させず、半導体ウェーハの電気特性等を正確に評価することが可能であり、さらに評価効率も高い評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの電気特性を評価するための評価装置であって、少なくとも、評価対象の半導体ウェーハを収納するウェーハカセットを載置するウェーハカセット部と、電気特性評価のために前記半導体ウェーハの前処理をするウェーハ前処理部と、水銀プローブを用いて前記半導体ウェーハの電気特性を評価する水銀プローブ部と、前記半導体ウェーハを前記各部へ搬送する自動搬送部とを具備するものであることを特徴とする半導体ウェーハの評価装置。 （もっと読む）

【課題】 短時間で精度良くシリコンウェハのクラックの有無を検査できる検出方法を提供すること。
【解決手段】 シリコンウェハにひねりを加え、さらに前記シリコンウェハをひねった時に発生する音の強度の周波数分布を測定し、前記シリコンウェハのクラックの有無を検出するシリコンウェハのクラック検出方法であって、前記音の強度の周波数分布が周波数４〜３５ｋＨｚの範囲内で所定のレベルを超える点の有無を測定して前記シリコンウェハのクラックの有無を検出することを特徴とするシリコンウェハのクラック検出方法。
（もっと読む）

【課題】 半導体基板のセルアレイ領域内で選択されたセルブロック上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査するための方法及び装置が開示される。
【解決手段】 コロナチャージャー120は、前記選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電し、複数の測定プローブから選択された測定プローブは、前記誘電膜の表面電圧の変化を測定する。プローブ制御部142は、前記セルブロックの大きさによって前記複数の測定プローブから一つを選択し、前記半導体基板のイメージデータを用いて前記選択された測定プローブを前記選択されたセルブロック上に整列させる。データ処理ユニット160は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムと既に設定された基準データを比較して前記誘電膜の漏洩電流特性を決定する。したがって、各セルブロックに対する誘電膜の漏洩電流特性を容易に検査することができる。 （もっと読む）

【課題】 ボイドの発生の有無を短時間で且つ容易に確認できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に複数の配線パターン１〜４を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記複数の配線パターンの上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に該層間絶縁膜とは異なる物質（例えばＷ）からなる物質層を堆積する工程と、前記複数の配線パターンのうち隣り合う配線２，３間の容量を測定する工程と、前記容量が所定値より小さい場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜の少なくとも一部にボイドが形成されていると判断し、前記容量が所定値以上の場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜にボイドが形成されていないと判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

ウェーハ上のチップに対する圧力試験装置が開示されており、この装置は、圧力チャンバと、ハウジングの上部部分と下部部分との間に配置されている支持プレートと、ウェーハチャックと、試験手段と、位置決め装置とを備える。このウェーハチャックと試験手段と位置決め装置は、支持プレートで支持されており、および、圧力チャンバ内に配置されており、および、さらに、支持プレートは、ハウジングの上部部分と下部部分との間のガス連通を実現する開口を圧力チャンバの内側に備える。
（もっと読む）

【課題】半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域にドーピングされた不純物の深さ方向分布を測定する事は、既存のどの方法においても、主として深さ方向分解能の不足によって、不可能であった。しかし、これを実現させることが最新半導体デバイス開発において必要であるため、これを可能にする技術の実現が切望されていた。
【解決手段】本発明では、半導体表面から１０ｎｍ程度の極浅い領域について、その最表面の１ｎｍ以下の薄い領域を、不純物分布を乱すことなく酸化し、その酸化膜中を薬液により溶解させる。そして、薬液中にとりこまれる不純物量と半導体構成元素量を既存の方法で定量する。これを繰り返すことによって、今まで実質的に不可能だった１０ｎｍ程度の極浅領域の不純物深さ方向濃度分布測定を可能にさせる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程等のような大掛かりな装置や多数の工程を必要とせず、ＳＯＩウエーハの電気特性を短時間で簡便かつ高精度に測定でき、測定装置の稼働率を向上させて効率的にＳＯＩウエーハを評価することのできる評価方法を提供する。
【解決手段】水銀プローブを用いてＳＯＩウエーハを評価する方法において、少なくとも、前記ＳＯＩウエーハにフッ酸洗浄処理を行って該ＳＯＩウエーハの表面に形成されている自然酸化膜を除去し、次に、該自然酸化膜を除去したＳＯＩウエーハにコロナ放電処理を行うことにより該ＳＯＩウエーハのＳＯＩ層表面に電荷を載上させ、その後、該コロナ放電処理したＳＯＩウエーハに水銀プローブを接触させてＳＯＩウエーハの評価を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】形成したポリシリコン膜の状態を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に評価することができるポリシリコン膜評価装置の提供を目的としている。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜をアニール処理することによって形成されたポリシリコン膜を評価するポリシリコン膜評価装置１である。ステージ上のポリシリコン膜が形成された基板Ｗに可視光を照射することによって基板Ｗ上のポリシリコン膜の表面画像を撮像してオーフォーカスする可視光観察光学系４や紫外光の照射による紫外光観察光学系６などを備える。そして、紫外光観察光学系によって得られたポリシリコン膜の表面画像からポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性および周期性を評価し、この直線性および周期性の評価結果に基づき、ポリシリコン膜の状態を評価する。 （もっと読む）