【課題】マイクロ波光導電減衰法によりシリコンウェーハのキャリアライフタイムを測定する際に、不純物等による影響を受けることなく、シリコンウェーハ表面全面にわたって、ケミカルパッシベーション効果を、簡便かつ安定的に保持し、正確なキャリアライフタイム測定が可能となるシリコンウェーハのキャリアライフタイム測定方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１をフッ化水素酸溶液に浸漬してケミカルパッシベーション処理を行った後、該シリコンウェーハ１を測定ステージ２に載置し、前記シリコンウェーハ１表面と３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の間隔Ｓをあけた位置で、かつ、マイクロ波およびレーザ４の非照射部分に、前記測定時にマイナスに帯電する物質５を配置して、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持してキャリアライフタイムを測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周部に対する高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる半導体ウェーハの品質測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの面取り部を遮光カバーにより被い、この状態で半導体ウェーハの表面のフーリエ変換分光分析を行うので、ウェーハ外周部に照射された光は、面取り部に入射されない。その結果、ウェーハ内部での測定光の減光や検出器への測定光の迷光入射が発生せず、面取り部を除く半導体ウェーハの外周部に対して、高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】微細な活性層上にひずみ半導体素子を形成しても、活性層のひずみの緩和を抑制することを可能にする。
【解決手段】基板１と、基板上にメサ状に形成されひずみを有する第１半導体層であって、離間して設けられる第１導電型のソースおよびドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間に設けられる第１導電型と異なる第２導電型のチャネル領域と、を有する第１半導体層３と、ソースおよびドレイン領域上に第１導電型の不純物を含むように形成され、第１半導体層のひずみを制御する第２および第３半導体層４ａと、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、基板の主表面をエッチングして基板を処理するときのエッチングの精度を向上し、高感度にシリコン基板の不純物を分析することができる基板処理装置およびシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板の不純物の分析に用いる基板処理装置であって、少なくとも、被処理基板を保持するステージと、エッチング溶液を貯留する容器と、前記エッチング溶液の蒸気を前記基板の主表面に局所的に噴射するノズルと、前記ノズルを前記基板の主表面に沿って移動する移動機構と、前記容器から前記ノズルに前記エッチング溶液の蒸気を供給するエッチングガス供給管とを備え、前記ノズルおよび／または前記エッチングガス供給管の外側周囲に前記エッチング溶液の蒸気を加熱するヒーターが設置されているものであることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの良、不良をより高精度に判定することができるようにした半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ内の配線について断線不良を検出する配線検査工程、を含み、この配線検査工程は、被検査部を含む回路について機能試験を開始して、被検査部を電荷が供給される状態に設定する工程と、電荷が供給された被検査部に光を照射する工程と、被検査部に光を一定時間照射した後で、機能試験の結果を出力させる工程と、を有する（ステップ（Ｓ）３〜７）。このような方法によれば、被検査部に光を照射しない場合と比べて、断線に起因した動作不良を起こし易くすることができ、断線不良の検出感度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｎ／Ｎ／Ｎエピタキシャル基板を製造する際に必要となる、ＦｅやＭｏ等の重金属の同定と定量を高感度に行うことのできるシリコン単結晶基板の評価方法、及びＦｅやＭｏ等の重金属不純物濃度が低い良好なエピタキシャル基板を得ることが出来るエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型シリコン単結晶基板を準備する工程と、該Ｐ型シリコン単結晶基板の一主表面上にＮ型シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程と、該Ｎ型シリコン単結晶薄膜を有するＰ型シリコン単結晶基板の前記Ｎ型シリコン単結晶薄膜のみを除去して前記Ｐ型シリコン単結晶基板の主表面を露出させる工程と、ＤＬＴＳ法によって該主表面を露出させたＰ型シリコン単結晶基板の重金属濃度の測定を行う工程と、を含むことを特徴とするシリコン単結晶基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、前記シリコン基板の表面にケミカルパッシベーション法によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がＰ型シリコン基板の場合は１×１０^１２〜１×１０^１３Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２、Ｎ型シリコン基板の場合は１×１０^１４〜５×１０^１４Ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ^２のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を高い精度で測定可能な半導体ウェーハの比抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの比抵抗値測定方法は、主表面に略円形状の金属電極を形成する電極形成工程Ｓ２と、撮像装置により金属電極の外縁部の画像を複数に分割して撮像する撮像工程Ｓ３と、撮像工程Ｓ３において撮像された複数の金属電極の画像を用いて金属電極と半導体ウェーハとの境界部の座標を複数測定し、測定された複数の座標に基づいて金属電極の面積を算出する面積算出工程Ｓ４と、半導体ウェーハと金属電極１８とを用いて半導体ウェーハのＣ−Ｖ特性を測定するＣ−Ｖ測定工程Ｓ５と、面積算出工程Ｓ４において算出された金属電極の面積とＣ−Ｖ測定工程Ｓ５において測定されたＣ−Ｖ特性とに基づいて半導体ウェーハの比抵抗値を算出する比抵抗値算出工程Ｓ６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線の形成後に、熱履歴に起因するビア不良を検出するビア不良検出構造を提供する。
【解決手段】 ビア不良検出構造は、半導体基板上の第１配線、前記第１配線の上方に位置する第２配線、及び前記第１配線と第２配線を電気的に接続する第１ビアを含むビアチェーン（１５）と、前記ビアチェーンの一端側に接続される検査領域（Ｃ）と、前記ビアチェーンを、前記半導体基板と電気的に接続するコンタクト領域（Ｂ）と、を含み、前記検査領域は、前記ビアチェーンの一端側から引き出され、前記第１配線よりも大きなサイズの引き出し配線（２２Ｃ、２３Ｃ、２４Ｃ）が前記ビアチェーンの第２配線よりも上層まで積層された多層引き出し配線と、前記多層引き出し配線を各層間で接続する引き出し配線ビア（３２、３３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数のテスト素子によりＭＩＳ型素子の経時変化を評価可能であり、各々のテスト素子に位置依存性が少なく、印加電圧のばらつきも生じ難い、信頼性の高いＭＩＳ型素子の評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＩＳ型素子の評価方法は、ＭＩＳ型素子９５の層構造と同層にて、金属層２６５と半導体層２６７との間に絶縁層２６６が形成されてなるテスト素子２０１ａ〜２０１ｅを複数形成し、金属層２６５と半導体層２６７とを電極として複数のテスト素子２０１ａ〜２０１ｅをそれぞれ並列に接続して、各テスト素子２０１ａ〜２０１ｅに電圧印加した後、所定時間の経過後にテスト素子２０１ａをサンプリングして当該テスト素子２０１ａを評価する一方、さらに所定時間の経過後にテスト素子２０１ｂをサンプリングして当該テスト素子２０１ｂを評価する評価工程を順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】裏面デポの膜厚測定を可能とする方法の提供。
【解決手段】ＦＴＩＲ法によってシリコンウェーハにおける０．３μｍ以下の膜厚変化を測定するための膜厚測定方法であって、膜厚変化を測定する面Ｓ２に測定用の補助膜Ａを成膜する補助膜形成工程Ｓ０１と、補助膜Ａの膜厚を測定する補助膜厚測定工程Ｓ０２と、膜厚変化後に膜厚変化Ｔｒａを測定する測定工程Ｓ０４と、測定工程Ｓ０４の結果および補助膜厚測定工程Ｓ０２の結果から膜厚変化Ｔｒを算出する算出工程Ｓ０５とを有する。 （もっと読む）

【課題】溶液中の金属を高感度に分析する手段の提供。
【解決手段】溶液中の金属濃度を分析する方法。分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤を含む溶液（分析対象の金属が含まれている場合、前記キレート剤の少なくとも一部は前記金属と錯体を形成する）を、前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。または、分析対象の金属と錯体を形成し得るキレート剤および前記錯体を捕獲し得る充填剤を含むカラムに溶液を通液する工程、前記カラムに金属分離用溶液を通液する工程、および、前記カラムを通過した金属分離用溶液中の分析対象の金属濃度を測定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程における半導体装置等の欠陥を発見した場合に、後のレビューに有益な情報を取得する方法の提供。
【解決手段】外観検査装置１が取得した検査対象物に関する欠陥情報２１の入力を受け付けて記憶する記憶部３２と、検査対象物に関する画像を取得する画像取得部と、画像取得部を用いて欠陥情報に基づく欠陥レビュー用データを取得する処理部３１と、を備える欠陥レビュー装置２４、２５による欠陥レビュー方法である。処理部は、記憶部から読み出した欠陥情報２２ｂ、２３ｂにおいて、欠陥の集まりを示すクラスタが有るか否かを判定し、クラスタが有ると判定した場合、当該クラスタの分布特徴に基づき、画像取得部を用いて、検査対象物に関してクラスタの一部である欠陥部分の画像と付加的なデータとを取得する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、簡便に測定することにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性を評価する方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を形成したウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層の波数ベクトルｋ≒０のＴ₂フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードの波数を測定し、測定ウェーハ間で、ＴＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以内、かつ、ＬＯモードの波数の差が２ｃｍ^-1以上である場合、ＬＯモードが低波数側にシフトしたウェーハの方が３Ｃ−ＳｉＣ層の結晶性が劣ると判断する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面の銀汚染を高精度に評価でき、従来法に比べて銀の回収作業が簡便で、高い作業効率が得られる半導体ウェーハおよびその銀汚染評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に硝酸水溶液を接触させ、ウェーハ表面の銀を硝酸水溶液に溶解して回収し、その回収された銀からシリコンウェーハの銀汚染度を評価するので、従来のＨＦ／Ｈ_２Ｏ_２の混合水溶液により銀を回収し、シリコンウェーハの銀汚染度を評価するものに比べて、銀の評価精度が高まる。しかも、従来法より銀回収の作業が簡便となり、高い作業効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】高精度に断面解析を行う方法の提供。
【解決手段】素子と、半導体基板１１の上方から見て素子を通る仮想直線の両側にそれぞれ配置された少なくとも一対の位置決めマーカ１６ａ，１６ｂと、を半導体基板１１上に形成する工程と、所定の工程で素子の断面構造を観察する半導体基板１１を選択する工程と、位置決めマーカ１６ａ，１６ｂの断面幅および／または位置決めマーカ１６ａ，１６ｂと素子との距離に基づいて、素子を含んだ壁構造体を形成する工程と、壁構造体の断面構造を観察する工程と、を有する半導体装置１０の製造方法によって、高精度に断面観察を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

本発明は、基板の透過率を確実に検出するシステムおよび方法に関する。構成基板の透過率を検出することによって、例えば温度測定装置を較正することができる。本方法および本システムは、半導体ウェハが集積回路チップへと加工される熱処理チャンバにおける使用に殊に適している。
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本発明の実施形態によって、ウェハをウェハキャリアに配置している間にウェハをテストする方法及び装置が提供される。テスト結果を利用して製造プロセスの調整を行うことで、処理の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】赤外散乱トモグラフィー法による結晶欠陥の検出方法において、測定に用いるシリコン単結晶ウェーハと、該シリコン単結晶ウェーハとは別のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該２枚のシリコン単結晶ウェーハを重ね合わせ、該重ね合わせた２枚のシリコン単結晶ウェーハの間に、シリコン単結晶ウェーハの屈折率と同等の屈折率の液体を介在させ、前記赤外線レーザービームは前記測定用のウェーハとは別に準備した前記シリコン単結晶ウェーハの重ね合わせた面とは反対の面より入射させることによって測定用のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）